- 英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項創(chuàng)新，設立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產品的優(yōu)點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產品的競爭優(yōu)勢。
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英飛凌 MOSFET
- Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結點至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256oC/W，在連續(xù)條件下功耗高達1.3W，而同類產品的功耗則多出一倍。
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Diodes MOSFET
- 電路功能與優(yōu)勢 數字控制電流源在許多應用中至關重要，如電源管理、電磁閥控制、電機控制、阻抗測量、傳 ...
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實驗室電路 MOSFET 運算放大器
- Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代兩個獨立的SOT23封裝MOSFET，節(jié)省七成的電路板空間?！?/li>
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Diodes MOSFET
- 高電壓MOSFET技術在過去幾年中經歷了很大變化，給電源工程師帶來了不少選擇。只要提供有關不同技術的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達成其應用的效率和成本目標。了解不同MOSFET部件的細微差別及不同開
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MOSFET 高壓 合適 選擇 應用
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用DirectFET?2 功率 MOSFET 芯片組，適合內燃機、混合動力和電動車中的DC-DC 應用。
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IR MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用。
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IR MOSFET
- 據IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費領域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。
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IGBT MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用。
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IR MOSFET
- 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級) 版本，該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅動器，在-55°C 至125°C的工作節(jié)溫范圍內工作。該高功率驅動器設計用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率，從而使其能夠驅動高功率N 溝道MOSFET 或多個并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅動電壓從5V 至8V 是可調的，從而允許設計師選擇標準門限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
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Linear MOSFET 柵極驅動器
- Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布擴展了其MOSFET驅動器系列產品。在已獲得業(yè)界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅動器上，Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅動器。經擴展后，這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓范圍寬達4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳，可實現(xiàn)關斷功能以節(jié)省能耗，并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
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Microchip MOSFET
- 為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實現(xiàn)額外的功率耗散。
Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結點到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆
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Fairchild MOSFET Dual Cool
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數。
40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最
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Vishay MOSFET
- saber下MOSFET驅動仿真實例,設計中，根據IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關參數，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，圖5-1所示MOSFET DC Characteris
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實例 仿真 驅動 MOSFET saber
- 賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝，具有業(yè)內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數。
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MOSFET 最低導通電阻
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