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          功率MOSFET雪崩擊穿問題分析

          • 摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比,反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點(diǎn)”的作用,而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在
          • 關(guān)鍵字: 問題  分析  擊穿  雪崩  MOSFET  功率  

          Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝,具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。   
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  SiA923EDJ  

          MOSFET基礎(chǔ):理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

          • 通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  RDS  

          Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術(shù),在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
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          DC/DC 控制器驅(qū)動5V 邏輯電平 MOSFET 以實(shí)現(xiàn)高效率

          • 近日(2010年11月2日)凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/寬輸入電壓范圍(2.7V至5...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          IR新款高性能PQFN功率MOSFET系列

          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier,簡稱IR)推出一系列25V及3...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          Linear 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本

          •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本,該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動器,為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計。該驅(qū)動器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結(jié)合,可構(gòu)成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作,而 I 級版本的工作溫度范
          • 關(guān)鍵字: Linear  MOSFET   

          利用低門限電壓延長電池壽命

          •         降低能量消耗、延長電池壽命,這是每個工程師在設(shè)計便攜式電子產(chǎn)品時努力的目標(biāo)。電池技術(shù)的進(jìn)步非常緩慢,所以便攜式產(chǎn)品的設(shè)計者把延長電池壽命的重點(diǎn)放在電源管理上。多年以來,從事電源管理業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新,這些產(chǎn)品需要峰值性能,要求設(shè)計者在設(shè)備的物理尺度內(nèi)實(shí)現(xiàn)盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術(shù),但還遠(yuǎn)不能滿
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          用創(chuàng)新封裝簡化電源設(shè)計

          •          今天,電源工程師面臨的一個主要挑戰(zhàn)是如何減小商用電子產(chǎn)品中電源電路的電路板空間。在任何電子產(chǎn)品零售商店里轉(zhuǎn)上一圈,你就會發(fā)現(xiàn)個人電腦已經(jīng)變得更小,甚至小型化已經(jīng)成為許多電子設(shè)備的發(fā)展趨勢。隨著這些產(chǎn)品的尺寸不斷減小,它們的功能正在增加。在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多功能,意味著要縮小留給電源電路的面積,這會導(dǎo)致一系列熱、功率損耗和布局方面的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。   工程師應(yīng)對這種挑戰(zhàn)的一個辦法是利用在MOSFET硅技術(shù)和封裝
          • 關(guān)鍵字: 電源設(shè)計  MOSFET  PowerPAIR  

          英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

          •   英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu),使得CoolMOS晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化,這為取得成功奠定了堅實(shí)基礎(chǔ)。   
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  

          安森美半導(dǎo)體推出6款單通道功率MOSFET

          •   應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認(rèn)證邏輯電平單通道功率MOSFET,用于汽車模塊,采用小型扁平引腳(FL)封裝。   
          • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  

          IR推出車用平面MOSFET系列

          •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列,適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應(yīng)用。   
          • 關(guān)鍵字: IR   MOSFET  

          在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗

          • 摘要:升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率,設(shè)計者必須選擇低開關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中,利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言  在開關(guān)電源設(shè)計中,效率是一個關(guān)鍵性的參
          • 關(guān)鍵字: 減少  開關(guān)  損耗  MOSFET  新型  變換器  利用  升壓  

          安森美半導(dǎo)體推出六款汽車用功率MOSFET器件

          • 六款新的邏輯電平功率MOSFET通過AEC-Q101認(rèn)證,采用小型扁平引腳封裝,兼具大額定電流及低導(dǎo)通阻抗,針對汽車...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  安森美半導(dǎo)體  

          UniFET?II MOSFET功率轉(zhuǎn)換器[飛兆半導(dǎo)體]

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