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MOSFET雪崩能量與器件熱性能和工作狀態(tài)相關(guān)性能
- 關(guān)鍵字： 雪崩能量 熱性能 電源系統(tǒng) MOSFET
恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET
- 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專門針對高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。 技術(shù)要點： &mi
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如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET
- 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表
- 本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計?！ ?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù)表
瑞薩電子高壓MOS在進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)時的注意要點
- 本文主要介紹瑞薩電子(又稱：Renesas)高壓MOS在客戶電源等產(chǎn)品開發(fā)時的選型以及特性的說明，為客戶的產(chǎn)品開發(fā)提供參考性的設(shè)計意見。 MOSFET以其電壓控制、開關(guān)頻率高、開關(guān)速度快等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電源等產(chǎn)品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應(yīng)用十分廣泛。 MOSFET最重要的兩個參數(shù)是漏源電壓(VDSS)和導(dǎo)通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細(xì)觀察，因為它們只有
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PI推出帶集成控制器/MOSFET的高效率功率因數(shù)校正IC產(chǎn)品系列
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款集成高壓MOSFET并可實現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設(shè)計相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積，同時簡化系統(tǒng)設(shè)計并增強(qiáng)可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應(yīng)用。 歐洲
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