euv 文章 進入euv技術(shù)社區(qū)
重回摩爾定律兩大武器... EUV＋三五族 成大勢所趨
- 英特爾在14奈米及10奈米制程推進出現(xiàn)延遲，已影響到處理器推出時程，也讓業(yè)界及市場質(zhì)疑：摩爾定律是否已達極限?不過，英特爾仍積極尋求在7奈米時代重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術(shù)世代交替的極紫外光(EUV)，以及開始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導(dǎo)體材料。 摩爾定律能否持續(xù)走下去，主要關(guān)鍵在于微影技術(shù)難度愈來愈高。目前包括英特爾、臺積電、三星等大廠，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤式微影(immersionlitho
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EUV微影技術(shù)準備好了嗎？
- 又到了超紫外光(EUV)微影技術(shù)的關(guān)鍵時刻了。縱觀整個半導(dǎo)體發(fā)展藍圖，研究人員在日前舉辦的IMEC技術(shù)論壇(ITF)上針對EUV微影提出了各種大大小小即將出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。 到了下一代的10nm節(jié)點，降低每電晶體成本將會變得十分棘手。更具挑戰(zhàn)性的是在7nm節(jié)點時導(dǎo)入EUV微影。更進一步來看，當擴展到超越5nm節(jié)點時可能就需要一種全新的晶片技術(shù)了。 目前最迫在眉睫的是中期挑戰(zhàn)。如果長久以來一直延遲的EUV微影系統(tǒng)未能在2017年早期就緒的話，7nm制程將會成為一個昂貴的半節(jié)點。 不過，研究人
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EUV將在7納米節(jié)點發(fā)威？
- 核心提示：荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得10奈米節(jié)點因為無法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得
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KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測系統(tǒng)
- KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產(chǎn)品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案，支持 20nm 及更小設(shè)計節(jié)點。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù)，提供必要的靈敏度和靈活性，以評估新光罩的質(zhì)量，監(jiān)控光罩退化，并檢測影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區(qū)和無圖案區(qū)的晶體增長或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能，可支持更快的生產(chǎn)周期，以滿足檢驗
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EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律
- 據(jù)美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。 摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容為：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進步的速度。 在幾十年來，芯片技術(shù)得以快速變革和發(fā)展，變得更加強大，節(jié)省了更
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ASML提升新EUV機臺技術(shù)生產(chǎn)效率
- 微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每小時晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預(yù)計2013年底前，可達到80瓦的目標，2015年達250瓦、每小時產(chǎn)出125片。 半導(dǎo)體生產(chǎn)進入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進行多次的微影制程曝光，將導(dǎo)致生產(chǎn)流程拉長，成本會大幅墊高，半導(dǎo)體大廠為
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ASML：量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位
- 極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機臺。 ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎(chǔ)研究，但目前對相關(guān)設(shè)備的開發(fā)計劃仍抱持觀望態(tài)度。 ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉表示，ASML于2012年
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全球半導(dǎo)體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)
- 5月7日消息，全球代工市場規(guī)模繼2011年增長7%，達328億美元之后，2012年再度增長16%，達到393億美元，預(yù)計2013年還將有14%的增長。 臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導(dǎo)體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發(fā)展先進制程技術(shù)，希望在10nm附近全面趕上英特爾。 而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內(nèi)，在工藝制程方面趕上臺積電。
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Intel：14nm進展順利 一兩年后量產(chǎn)
- Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進行，會在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。 2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發(fā)，并為其投產(chǎn)擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。 而從2015年開始，Intel又會陸續(xù)進入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點。 Rattner指出，Intel
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