- 又到了超紫外光(EUV)微影技術的關鍵時刻了?？v觀整個半導體發(fā)展藍圖，研究人員在日前舉辦的IMEC技術論壇(ITF)上針對EUV微影提出了各種大大小小即將出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。
到了下一代的10nm節(jié)點，降低每電晶體成本將會變得十分棘手。更具挑戰(zhàn)性的是在7nm節(jié)點時導入EUV微影。更進一步來看，當擴展到超越5nm節(jié)點時可能就需要一種全新的晶片技術了。
目前最迫在眉睫的是中期挑戰(zhàn)。如果長久以來一直延遲的EUV微影系統(tǒng)未能在2017年早期就緒的話，7nm制程將會成為一個昂貴的半節(jié)點。
不過，研究人
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EUV SanDisk
- 按照現(xiàn)在量產產品工藝進展的速度，幾乎可以預見的是，2018年上7納米的愿望很美好，但是實際情況卻困難重重，幾乎是不太可能的事，即便在技術上能實現(xiàn)，在商業(yè)上來看也不能算是理性的選擇。
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臺積電 7納米 EUV
- ASML公司第3代極紫外光(EUV)設備已出貨6臺。這預示著預示了全球兩家頂級大廠未來采用EUV光刻技術，在10nm的量產關鍵技術選項中幾乎同步，或者說臺積電在10nm時順利趕上業(yè)界龍頭英特爾。
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半導體 EUV
- 核心提示：荷蘭半導體設備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數半導體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術來生產10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術;不過這恐怕將使得10奈米節(jié)點因為無法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。
荷蘭半導體設備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數半導體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術來生產10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術;不過這恐怕將使得
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EUV 7納米
- KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質量控制解決方案，支持 20nm 及更小設計節(jié)點。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學技術，提供必要的靈敏度和靈活性，以評估新光罩的質量，監(jiān)控光罩退化，并檢測影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區(qū)和無圖案區(qū)的晶體增長或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領先的產能，可支持更快的生產周期，以滿足檢驗
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KLA-Tencor SL650 EUV
- 當半導體工藝發(fā)展到10nm水平時，傳統(tǒng)的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰(zhàn)，所有經典物理的規(guī)律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實用的思路來進一步延續(xù)集成電路的發(fā)展。
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EUV 10nm
- 據美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。
摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。
在幾十年來，芯片技術得以快速變革和發(fā)展，變得更加強大，節(jié)省了更
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EUV 摩爾定律
- 微影設備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術的生產效率，在2012年購并光源供應商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每小時晶圓產出片數為43片，預計2013年底前，可達到80瓦的目標，2015年達250瓦、每小時產出125片。
半導體生產進入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進行多次的微影制程曝光，將導致生產流程拉長，成本會大幅墊高，半導體大廠為
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ASML EUV
- 極紫外光(EUV)微影技術將于2015年突破量產瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術在半導體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產業(yè)明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產出速度，預計2015年可發(fā)布首款量產型EUV機臺。
ASML亞太區(qū)技術行銷協(xié)理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎研究，但目前對相關設備的開發(fā)計劃仍抱持觀望態(tài)度。
ASML亞太區(qū)技術行銷協(xié)理鄭國偉表示，ASML于2012年
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ASML EUV
- 5月7日消息，全球代工市場規(guī)模繼2011年增長7%，達328億美元之后，2012年再度增長16%，達到393億美元，預計2013年還將有14%的增長。
臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發(fā)展先進制程技術，希望在10nm附近全面趕上英特爾。
而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內，在工藝制程方面趕上臺積電。
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半導體代工 EUV
- Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進行，會在一到兩年內投入量產。
2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發(fā)，并為其投產擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產要等到2014年了。
而從2015年開始，Intel又會陸續(xù)進入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點。
Rattner指出，Intel
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Intel 晶圓 EUV
- 而關于臺積電是否足夠支應大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認為，臺積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺積電今年預估會再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費用。
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臺積電 EUV
- IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
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EUV 晶圓
- 美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術目前在商業(yè)化方面領先一步，有可能在22納米以下的工藝生產中取代目前使用的浸末式光刻技術，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
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光刻 EUV
- GlobalFoundries公司的光刻技術專家Obert Wood在最近召開的高級半導體制造技術會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術成熟過程中最“忐忑”的因素。
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GlobalFoundries EUV
euv介紹
在半導體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術。
EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [
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