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          ASML公司開撕美國?光源技術(shù)不是根源,不交付EUV光刻機(jī)另有原因

          • ASML公司雖然是荷蘭企業(yè),但不少網(wǎng)友都把ASML公司“美”化了,這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前,中國半導(dǎo)體企業(yè)就曾向ASML公司支付了定金,采購了一臺(tái)EUV光刻機(jī)。然而,ASML公司卻遲遲沒有發(fā)貨,這也引起了網(wǎng)友的各種猜疑。眾所周知,全世界只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī),而一部EUV光刻機(jī)上就有超過10w的精密零件,各方面的技術(shù)也是來自全世界各國的頂尖技術(shù)。所以ASML公司的光刻機(jī)一直是供不應(yīng)求。但明明已經(jīng)收了定金,10億一部的EUV光刻機(jī),ASML公司為何有生意不做呢?大部分的
          • 關(guān)鍵字: EUV  ASML  光刻機(jī)  

          俄羅斯投資6.7億盧布,開發(fā)新型的光刻機(jī),性能或?qū)⒊紼UV光刻機(jī)

          • Warning: getimagesize(https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/14710617955/1000): failed to open stream: HTTP request failed! HTTP/1.1 503 Service Temporarily Unavailable in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.
          • 關(guān)鍵字: EUV  光刻機(jī)  俄羅斯  疊加芯片  

          雪佛蘭Bolt EV/EUV在電池起火召回后終于宣布恢復(fù)生產(chǎn)

          • 通用汽車(GM)已經(jīng)恢復(fù)了2022款雪佛蘭Bolt EV和EUV的生產(chǎn),現(xiàn)在它們可以獲得新電池組的供應(yīng),而這些電池組應(yīng)該不會(huì)有火災(zāi)隱患。此前,雪佛蘭Bolt因潛在的電池火災(zāi)而被召回,該次召回影響到了所有的車型,導(dǎo)致Bolt EV和EUV汽車的生產(chǎn)自去年8月起完全凍結(jié)。“我們的目標(biāo)是恢復(fù)并坦率地說超過業(yè)務(wù)指標(biāo),”雪佛蘭營銷副總裁Steve Majoros在昨日的新聞電話會(huì)議上說道。Bolt的復(fù)出計(jì)劃包括趕上新的2022款Bolt EV和EUV訂單(2023年的訂單將于7月開始)、將在MLB開幕日投放的新電視
          • 關(guān)鍵字: EUV  雪佛蘭  

          阿斯麥CEO:不賣EUV給中國大陸“是政府們的選擇”

          • (原標(biāo)題:光刻機(jī)巨頭阿斯麥CEO:不賣EUV給中國大陸“是政府們的選擇”)【文/觀察者網(wǎng) 呂棟】“這不是我們的選擇,而是政府們(《瓦森納協(xié)定》成員國)的選擇?!比涨?,荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥CEO溫彼得再次就向中國大陸出口EUV光刻機(jī)一事解釋道。他今年1月曾表示,中國不太可能獨(dú)立復(fù)制出(replicate)頂尖的光刻技術(shù),但也別那么絕對,“他們肯定會(huì)嘗試”。觀察者網(wǎng)注意到,由于最先進(jìn)的EUV設(shè)備無法向中國大陸出口,溫彼得自2021年以來曾多次發(fā)聲。2021年4月,他曾喊話美國政府,對華出口管制不僅不能阻礙中國
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          EUV提前半年問世:Intel先進(jìn)工藝不跳票

          • 前不久的Intel投資者會(huì)議上,英特爾發(fā)布了先進(jìn)工藝的路線圖,從去年的Intel 7工藝開始一路推進(jìn)到Intel 18A工藝,酷睿處理器從12代一直持續(xù)到16代酷睿,甚至17代酷睿都在準(zhǔn)備中了,2025年上市。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?不僅工藝規(guī)劃的很好,而且這一次Intel更有信心,因?yàn)槎啻に噷?shí)際上提前量產(chǎn)了,具體如下:Intel 4工藝是Intel第一個(gè)
          • 關(guān)鍵字: EUV  Intel  先進(jìn)工藝  

          ASML:努力向中國提供一切能夠提供的技術(shù)

          • 芯片行業(yè)一直是困擾全球的“卡脖子”領(lǐng)域,而其中核心的光刻機(jī)技術(shù)被幾家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片領(lǐng)域有長足的進(jìn)步,光刻機(jī)這種核心設(shè)備就要有所突破。而之前美國通過自身在全球市場的控制能力,通過修改法案等手段一直將光刻機(jī)設(shè)備和技術(shù)限制對中國進(jìn)行輸出。但近期光刻機(jī)頭部企業(yè)ASML則明確表態(tài)將會(huì)盡其所能向中國市場提供一切他們能夠提供的技術(shù),其中DUV光刻機(jī)將會(huì)不需要認(rèn)可許可即可向中方企業(yè)提供。ASML光刻機(jī)除此之外,ASML表示在當(dāng)前法律框架之下,他們除了EUV光刻機(jī)無法向中方企業(yè)提供,其他產(chǎn)品都可以正常發(fā)售。
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          單臺(tái)1.5億美元 ASML制造新一代EUV光刻機(jī)

          • 據(jù)《連線》雜志報(bào)道,在美國康涅狄格州郊區(qū)的一間潔凈室中,ASML的工程師們正在為一臺(tái)單臺(tái)造價(jià)1.5億美元的新機(jī)器制造關(guān)鍵部件,該部件是新一代EUV系統(tǒng)的組成部分,會(huì)采用一些新技術(shù)來最大限度地減少其使用的光波長,包括縮小芯片的特征尺寸并提升性能。ASML的工程師正在裝配系統(tǒng)組件(圖片來自ASML)      要知道,當(dāng)前的EUV機(jī)器已經(jīng)像一輛公共汽車那么大,包含10萬個(gè)零部件和兩公里長的電纜,運(yùn)輸這些組件需要40個(gè)貨運(yùn)集裝箱、三架貨機(jī)和20輛卡車,能夠買得起這種設(shè)備的公
          • 關(guān)鍵字: ASML  EUV  光刻機(jī)  

          阿斯麥的新一代EUV光刻機(jī):造價(jià)1.5億美元 公共汽車大小

          •   9月2日消息,荷蘭阿斯麥的新一代極紫外(EUV)光刻機(jī)每臺(tái)有公共汽車大小,造價(jià)1.5億美元。其前所未有的精度可以讓芯片上的元件尺寸在未來幾年繼續(xù)縮小?! ≡谖挥诿绹的腋裰萁紖^(qū)的一間大型潔凈室里,工程師們已經(jīng)開始為一臺(tái)機(jī)器制造關(guān)鍵部件,這臺(tái)機(jī)器有望讓芯片制造行業(yè)沿著摩爾定律至少再走上10年時(shí)間?! ∵@臺(tái)極紫外光刻機(jī)是由荷蘭阿斯麥公司制造的。阿斯麥于2017年推出世界上第一臺(tái)量產(chǎn)的極紫外光刻機(jī),在芯片制造領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,已經(jīng)被用于制造iPhone手機(jī)芯片以及人工智能處理器等最先進(jìn)的芯片。阿斯
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          美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn):1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入

          • 三星、SK海力士及美光確定未來會(huì)用EUV工藝,其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息,CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后,EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會(huì)用EUV工藝,其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn),美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖,將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節(jié)點(diǎn)開始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn),預(yù)
          • 關(guān)鍵字: 美光  EUV  DRAM  

          EUV技術(shù)開啟DRAM市場新賽程

          • SK海力士公司在7月12日表示,本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外(EUV)工藝,這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法,比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品,第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%,成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商,并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明,正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片,批量生產(chǎn)采用
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          為什么ASML加速來華?

          • 芯片雖小,制造難度卻很大,而且芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備光刻機(jī)的缺乏,更是成為限制我國高端芯片的一大難題。尤其是近兩年華為事件的不斷發(fā)酵,讓我國半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的問題越加明顯,那就是在芯片制造的設(shè)備上,我國依然受制于人的問題相當(dāng)嚴(yán)重。為什么ASML加速來華?北大教授的發(fā)聲很現(xiàn)實(shí),國產(chǎn)光刻機(jī)突破在即雖然華為研發(fā)出基于5nm工藝的麒麟9000芯片,令一眾對手刮目相看,但是沒有臺(tái)積電為其代工生產(chǎn),沒有屬于中國自己的高端光刻機(jī),就等同于一張“紙老虎”。作為中國大陸最先進(jìn)的芯片制造企業(yè)中芯國際,因?yàn)闆]有高端光刻機(jī),至今仍然沒
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          三星有意在美國建5nm EUV芯片廠 巨額投資

          • 據(jù)韓媒援引業(yè)內(nèi)人士消息,三星電子已決定在美國得克薩斯州奧斯丁設(shè)立EUV半導(dǎo)體工廠,以滿足日益增長的小型芯片需求和美國重振半導(dǎo)體計(jì)劃。該工廠將采用5nm制程,計(jì)劃于今年Q3開工,2024年投產(chǎn),預(yù)計(jì)耗資180億美元,同時(shí)也是三星電子首次在韓國之外設(shè)立EUV產(chǎn)線。去年,臺(tái)積電去宣布將在美國建設(shè)芯片工廠,建成之后將采用5nm工藝為相關(guān)的客戶代工芯片,目標(biāo)是2024年投產(chǎn)。最新消息稱,臺(tái)積電管理層目前正在討論,他們在美國的下一座芯片工廠,是否采用更先進(jìn)的3nm制程工藝,為相關(guān)的客戶代工芯片。
          • 關(guān)鍵字: 三星  5nm  EUV  芯片廠  

          阿斯麥已生產(chǎn)的極紫外光刻機(jī) 70%賣給了臺(tái)積電

          •   本周一,外媒援引韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部一份有關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略文件報(bào)道稱,光刻機(jī)制造商阿斯麥將投資2.12億美元,在京畿道華城建設(shè)極紫外光刻機(jī)再制造廠和培訓(xùn)中心。在報(bào)道阿斯麥將在華城建設(shè)極紫外光刻機(jī)再制造廠和培訓(xùn)中心時(shí),外媒還提到,雖然三星電子、SK海力士已引進(jìn)了阿斯麥生產(chǎn)的極紫外光刻機(jī),但他們獲得的數(shù)量同臺(tái)積電相比,有不小的差距?! ⊥饷皆趫?bào)道中提到,阿斯麥目前已生產(chǎn)的極紫外光刻機(jī),70%是賣給了臺(tái)積電,留給其他廠商的就只有30%?! “⑺果?zhǔn)悄壳叭蛭ㄒ荒苤圃鞓O紫外光刻機(jī)的廠商,他們已推出了TWIN
          • 關(guān)鍵字: 阿斯麥  極紫光刻機(jī)  EUV  臺(tái)積電    

          不用EUV光刻機(jī)就搞定類7nm工藝?中芯國際回應(yīng)

          •   做為國內(nèi)最大也是最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司,中芯國際在先進(jìn)工藝上的進(jìn)展引人關(guān)注,其中7nm及以下節(jié)點(diǎn)非常重要,這還牽涉到EUV光刻機(jī)?! ∪涨坝泄擅裨诨?dòng)平臺(tái)上詢問,稱有報(bào)道指出中芯國際不用EUV光刻就攻克了類7nm工藝,要求中芯國際澄清?! Υ?,中芯國際表示,公司不針對傳言進(jìn)行評論?! 闹行緡H官網(wǎng)的介紹來看,該公司提到的最先進(jìn)工藝還是14nm,接下來的是N+1、N+2工藝,但沒有指明具體的工藝節(jié)點(diǎn)。  中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍曾表示,經(jīng)過三年的積累,F(xiàn)inFET工藝已經(jīng)取得了不錯(cuò)的成績,N+1已經(jīng)
          • 關(guān)鍵字: EUV  光刻機(jī)  中芯國際  

          里程碑!IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片

          • 藍(lán)色巨人出手就是王炸。  5月6日消息,IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片?! 『诵闹笜?biāo)方面,IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百萬顆晶體管)為333.33,幾乎是臺(tái)積電5nm的兩倍,也比外界預(yù)估臺(tái)積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高?! ?nm晶圓近照  換言之,在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi),就能容納500億顆晶體管。  同時(shí),IBM表示,在同樣的電力消耗下,其性能比當(dāng)前7nm高出45%,輸出同樣性能則減少75%的功耗。    實(shí)際上,I
          • 關(guān)鍵字: IBM  2nm  EUV  
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          euv介紹

          在半導(dǎo)體行業(yè),EUV一般指EUV光刻,即極紫外光刻。 極紫外光刻(英語:Extreme ultra-violet,也稱EUV或EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長的光刻技術(shù)。 EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下的特征尺寸。 根據(jù)瑞利公式(分辨率=k1·λ/NA),這么短的波長可以提供極高 [ 查看詳細(xì) ]

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