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三星5nm EUV研發(fā)完成：功耗降低20%
- 在芯片代工領(lǐng)域，臺積電和三星是實(shí)力最強(qiáng)勁的兩大巨頭。不過，最近幾年，臺積電的實(shí)力要更勝一籌，通過7nm工藝，臺積電拿到了蘋果、高通、AMD、比特大陸等多家的大訂單。而三星自家最新的Exynos 9820處理器，采用的則還是8nm工藝。今天，三星在官網(wǎng)上帶來了一個(gè)新消息，5nm EUV成功開發(fā)完成。這對三星而言，算是一個(gè)里程碑式的成就。三星表示，與7nm相比，5nm FinFET工藝功耗降低了20％，性能提高了10％。需要說明的是，三星的7nm工藝去年10月開始宣布并初步生產(chǎn)，今年年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。最近三星曝光
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英特爾巨資升級美國D1X晶圓廠，上馬7nm EUV工藝
- 12月中旬英特爾宣布擴(kuò)建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產(chǎn)能。英特爾這次的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃有對應(yīng)14nm的，但是并不是應(yīng)急用的，也有面向未來工藝的，其中俄勒岡州的D1X晶圓廠第三期工程就是其中之一，未來英特爾的7nm EUV處理器會在這里生產(chǎn)?！ ?018年下半年英特爾忽然出現(xiàn)了14nm產(chǎn)能不足的危機(jī)，這件事已經(jīng)影響了CPU、主板甚至整個(gè)PC行業(yè)的增長，官方也承認(rèn)了14nm產(chǎn)能供應(yīng)短缺，并表示已經(jīng)增加了額外的15億美元支出擴(kuò)建產(chǎn)能。12月中旬英特爾宣布擴(kuò)建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產(chǎn)
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EUV需求巨大！ASML最新財(cái)報(bào)顯示今年將出貨30臺
- 荷蘭當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月23日，ASML發(fā)布了去(2018)年第四季度及全年的業(yè)績報(bào)告?！ ?bào)告指出，去年第四季度凈銷售額為31億歐元，凈收入為7.88億歐元，毛利率為44.3%?！ 【唧w來看，ASML指出，DUV光刻業(yè)務(wù)中，存儲客戶的需求使得TWINSCAN NXT:2000i保持著持續(xù)增長。同時(shí)ASML也提高了該產(chǎn)品的可靠性，據(jù)了解，上一代產(chǎn)品需要六個(gè)月才能達(dá)到高可靠性，而該產(chǎn)品僅用了兩個(gè)月。 去年全年，ASML凈銷售額為109億歐元，凈收入為26億歐元?！ ≈档米⒁獾氖牵珹SML已與尼康簽署了諒解
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全面起底ASML的EUV光刻技術(shù)
- 用于高端邏輯半導(dǎo)體量產(chǎn)的EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線光刻)曝光技術(shù)的未來藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術(shù)節(jié)點(diǎn)到今年(2019年，也是從今年開始)，每2年~3年一個(gè)階段向新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展?！ 「叨诉壿嫲雽?dǎo)體的技術(shù)節(jié)點(diǎn)和對應(yīng)的EUV曝光技術(shù)的藍(lán)圖?！ ∫簿褪钦f，在EUV曝光技術(shù)的開發(fā)比較順利的情況下，5nm的量產(chǎn)日程時(shí)間會大約在2021年，3nm的量產(chǎn)時(shí)間大約在2023年。關(guān)于更先進(jìn)的2nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，還處于模糊階段，據(jù)預(yù)測，其量產(chǎn)時(shí)間最快也是在2026
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Imec與ASML聯(lián)手，EUV成主流技術(shù)工具
- 日前，有消息稱，比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec和微影設(shè)備制造商ASML計(jì)劃成立一座聯(lián)合研究實(shí)驗(yàn)室，共同探索在后3nm邏輯節(jié)點(diǎn)的奈米級元件制造藍(lán)圖。此次雙方這項(xiàng)合作是一項(xiàng)為期五年計(jì)劃的一部份，分為兩個(gè)階段： 首先是開發(fā)并加速極紫外光(EUV)微影技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，包括最新的EUV設(shè)備準(zhǔn)備就緒?！ ∑浯螌⒐餐剿飨乱淮邤?shù)值孔徑(NA)的EUV微影技術(shù)潛力，以便能夠制造出更小型的奈米級元件，從而推動(dòng)3nm以后的半導(dǎo)體微縮?！ O紫外光(EUV)微影技術(shù) EUV光刻也叫極紫外光刻，它以波長為10-14 nm的極紫外
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三星促使EUV制程技術(shù)走紅，遵循摩爾定律方向發(fā)展
- 繼聯(lián)電在2017年進(jìn)行高階主管大改組，并宣布未來經(jīng)營策略將著重在成熟制程之后，格芯也在新執(zhí)行長Tom Caulfield就任半年多后，于日前宣布無限期暫緩7nm制程研發(fā)，并將資源轉(zhuǎn)而投入在相對成熟的制程服務(wù)上?！ ∫隕UV工藝是半導(dǎo)體7nm工藝的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn) 眾所周知，目前半導(dǎo)體領(lǐng)域，7nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)。而7nm工藝是半導(dǎo)體制造工藝引入EUV技術(shù)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折，這是摩爾定律可以延續(xù)到5nm以下的關(guān)鍵，引入EUV工藝可以大幅提升性能，縮減曝光步驟、光罩?jǐn)?shù)量等制造過程，節(jié)省時(shí)間和成本?！ 〔贿^引入EU
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5nm技術(shù)指日可待，EUV技術(shù)有重磅突破
- 全球一號代工廠臺積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在2019年4月開始試產(chǎn)。今年4月開始，臺積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)褂盟圃?，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)?！ 《酉聛淼牡诙?nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺積電將首次應(yīng)用EUV，不過僅限四個(gè)非關(guān)鍵層，以降低風(fēng)險(xiǎn)、加速投產(chǎn)，也借
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拚不過對手 英特爾放棄搶推EUV？
- 引領(lǐng)技術(shù)開發(fā)的少數(shù)芯片制造商認(rèn)定，極紫外光(EUV)微影技術(shù)將在明年使得半導(dǎo)體元件的電晶體密度更進(jìn)一步向物理極限推進(jìn)，但才剛失去全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭寶座的英特爾(Intel)，似乎放棄了繼續(xù)努力在采用EUV的腳步上領(lǐng)先;該公司在1990年代末期曾是第一批開始發(fā)展EUV的IC廠商?！ ≡请娮庸こ處煹氖袌鲅芯繖C(jī)構(gòu)Bernstein分析師Mark Li表示，英特爾不會在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)入EUV，該公司仍在克服量產(chǎn)10納米制程的困難，因此其7納米制程還得上好幾年，何時(shí)會用上EUV更是個(gè)大問題?！ ≡诖送瑫r(shí)，三星(S
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Entegris EUV 1010光罩盒展現(xiàn)極低的缺陷率，已獲ASML認(rèn)證
- 業(yè)界領(lǐng)先的特種化學(xué)及先進(jìn)材料解決方案的公司Entegris(納斯達(dá)克：ENTG)日前發(fā)布了下一代EUV 1010光罩盒，用于以極紫外(EUV)光刻技術(shù)進(jìn)行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是與全球最大的芯片制造設(shè)備制造商之一的ASML密切合作而開發(fā)的，已在全球率先獲得ASML的認(rèn)證，用于NXE:3400B等產(chǎn)品?！ ‰S著半導(dǎo)體行業(yè)開始更多地使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)制程的大批量制造(HVM)，對EUV光罩無缺陷的要求比以往任何時(shí)候都要嚴(yán)格。Entegris的EUV 1010光罩盒已
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