- 對于極紫外(EUV)光刻技術而言,掩膜版相關的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝,而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預處理和清洗會議上,針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn),Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論,并在會上向與會的同仁報告了在這一領域Intel和Dai Nippon Printin
- 關鍵字:
光刻 EUV 掩膜 CMOS
- 浸潤式微顯影雙重曝光能進一步延伸摩爾定律的壽命至32納米,不過,22納米以下究竟哪種技術得以出頭,爭議不斷。據(jù)了解,臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案,并已有具體成果,但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示,目前已有數(shù)家客戶下單,最快2009年便可出貨,但哪種技術最終將「一統(tǒng)江湖」,尚未有定論。 ASML表示,目前深紫外光EUV的光波波長可達13.5納米,約是248波長的KrF顯影設備的15分之1,盡管浸潤式顯
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消費電子 EUV 電子束 消費電子
euv介紹
在半導體行業(yè),EUV一般指EUV光刻,即極紫外光刻。
極紫外光刻(英語:Extreme ultra-violet,也稱EUV或EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長的光刻技術。
EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據(jù)瑞利公式(分辨率=k1·λ/NA),這么短的波長可以提供極高 [
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