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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術的硅片成功流片
- 這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術為音頻IP提供完整解決方案的產品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質與功能。這款專用測試芯片通過加快產品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產品設計，堅定客戶對Dolphin Design產品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業(yè)領先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產權（IP）以及ASIC設計的行業(yè)領先供應商Dolphin De
- 關鍵字： Dolphin Design 12納米 12nm FinFet 成功流片
晶體管進入納米片時代
- 3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發(fā)展路線圖至關重要。
- 關鍵字： FinFET
IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖：FinFET將于3nm到達盡頭
- 近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開發(fā)計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術，預計2024年進入量產，之后還有FSFET和CFET等技術?！鱏ource：IMEC隨著時間發(fā)展，轉移到更小的制程節(jié)點會越來越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
- 關鍵字： IMEC 1nm 制程 FinFET
ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進FD-SOI
- 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節(jié)點，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠將于2024年開始生產芯片，到2026年將達到滿負荷生產，每年生產多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看，F(xiàn)D-SOI是一種技術含量較低的方法，可以實現(xiàn)FinF
- 關鍵字： FD-SOI GAAFET FinFET
Intel 4制程技術細節(jié)曝光 具備高效能運算先進FinFET
- 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術細節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發(fā)中產品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進先進技術和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術細節(jié)。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critic
- 關鍵字： Intel 4 制程技術 FinFET Meteor Lake
5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能
- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進節(jié)點FinFET設計的源漏尺寸和側墻厚
- 關鍵字： 泛林 5nm FinFET
為技術找到核心 多元化半導體持續(xù)創(chuàng)新
- 觀察2021年主導半導體產業(yè)的新技術趨勢，可以從新的半導體技術來著眼?；旧习雽w技術可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術，基礎技術是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產制程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規(guī)模導入極紫外光刻技術，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創(chuàng)新必須能轉化為成本可承受的產品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉向奈米片全環(huán)繞
- 關鍵字： CMOS FinFET ST
新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發(fā)DesignWare IP產品組合
- 要點： 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 兩家公司之間的長期合作已成功實現(xiàn)了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發(fā)，可應用于廣泛領域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發(fā)用于G
- 關鍵字： 新思科技 12LP+FinFET DesignWare IP
finfet介紹
FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]
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