flash 文章 進入flash技術(shù)社區(qū)
一季度 NAND Flash合約價預計上漲15%-20%
- 供應商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價格。
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閃存芯片將掀起新一輪漲價潮
- 2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢，供應鏈人士透露，2024 年 1 月，預計 NOR Flash 價格將上漲 5%，并保持上漲態(tài)勢，到第二季度，漲幅將達到 10%。過去幾年，隨著整個半導體市場的變化，NOR Flash 的供需和價格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場需求較為疲軟，而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升，導致當年的價格進入下行周期。經(jīng)過一年的低迷期后，NOR Flash 價格在 2
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NAND Flash和NOR Flash的異同
- NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型NOR Flash是Intel于1988年首先開發(fā)出來的存儲技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NAND=NOT AND(與非門) &?NOR=NOT OR(或非門)相同點· 兩者都是非易失性存儲器，可以在斷電后保持存儲的數(shù)據(jù)?！?兩者都可以進行擦寫和再編程?！?兩者在寫之前都要先
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預估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)品采購以建立安全庫存水位，而供應商為減少虧損，對于推高價格勢在必行，預估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復。2024年第一季供應商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應商產(chǎn)能利用率提早拉升
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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
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集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產(chǎn)效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
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明年半導體暴增20%，哪些賽道市場回暖？
- 今年的半導體可謂寒風瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導體企業(yè)也疲于應對蕭瑟的市場環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預測，認為半導體市場已經(jīng)觸底，明年開始半導體將會加速恢復增長。在它的預測中，2023 年全球半導體市場收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元，2024 年收入預期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年，全球半導體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術(shù)情報研究經(jīng)理 Rudy Tor
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨
- NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財務數(shù)
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兆易創(chuàng)新車規(guī)閃存產(chǎn)品成功應用于懸架控制器，在奇瑞多款車型實現(xiàn)量產(chǎn)
- 兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布，搭載了兆易創(chuàng)新GD25F128F車規(guī)級SPI NOR Flash的明然科技國產(chǎn)化主動懸架控制器（CDC）出貨量已超數(shù)萬臺，并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車型上量產(chǎn)。在汽車底盤懸架系統(tǒng)等安全性要求較高的場景中穩(wěn)定運行，標志著兆易創(chuàng)新車規(guī)級SPI NOR Flash的可靠性得到進一步驗證。懸架是車架（或車身）與車轎（或車輪）之間的傳力連接裝置，分為傳統(tǒng)被動式、半主動式和主動式三類，而主動式懸架系統(tǒng)能根據(jù)車輛的運動狀態(tài)和路面情況自適應調(diào)節(jié)減振器阻尼力，使其更好地適用于當前路段，懸架
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預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
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第四季NAND Flash合約價季漲幅預估8~13%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應商嚴格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略，且服務器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價，促使PC OEM欲在價格相對低點預備庫存，采購量會較實際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client SSD價格沒有
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消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格
- 10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報道，三星內(nèi)部認為目前 NAND Flash 供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務產(chǎn)量，眼下正試圖推動
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集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%，預期第三季將成長逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場需求仍低迷，供過于求態(tài)勢延續(xù)，使NAND Flash第二季平均銷售單價（ASP）續(xù)跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達19.9%，合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預期第三季將擴大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時也在醞釀漲價，供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應商家數(shù)多，在庫存仍高的情
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NAND Flash第四季價格有望止跌回升
- 近日，三星（Samsung）為應對需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預測，NAND Flash價格反彈會早于DRAM，由于NAND Flash供應商虧損持續(xù)擴大，銷售價格皆已接近生產(chǎn)成本，供應商為了維持營運而選擇擴大減產(chǎn)，以期帶動價
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flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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