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IPM

IPM智能功率模塊　　IPM(Intelligent Power Module)，即智能功率模塊，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動電路集成在一 ...
關(guān)鍵字： IPM

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
關(guān)鍵字： GaN LED

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
關(guān)鍵字： GaN LED

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
關(guān)鍵字： LED GaN MOSFET

IPM自舉電路設(shè)計難題探討

實現(xiàn)自舉有兩個關(guān)鍵問題：一是自舉電容的初始充電;二是自舉電容充完電后，當下臂關(guān)斷后上臂并未立即導(dǎo)通，而在從下臂關(guān)斷到上臂導(dǎo)通期間，電容會放電，因此必須保證少量放電后電容電壓仍有驅(qū)動能力。如果以上兩個問題
關(guān)鍵字： IPM 自舉電路

IPM模塊實現(xiàn)通用變頻器實用電路

1 前言變頻器已應(yīng)用于各行各業(yè)的多種設(shè)備,并成為當今節(jié)電,改造傳統(tǒng)工業(yè),改善工藝流程,提高生產(chǎn)過程自動化水平,提高產(chǎn)品質(zhì)量,改善環(huán)境的主要技術(shù)之一。開關(guān)器件是變頻器的核心器件,絕緣柵雙極型品體管(ICBT)
關(guān)鍵字：實用電路變頻器通用模塊實現(xiàn) IPM

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
關(guān)鍵字： LED芯片硅襯底 GaN

硅襯底上GaN基LED的研制進展

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
關(guān)鍵字： MOCVD GaN LED芯片

三菱電機汽車用J系列EV-IPM和EV T-PMPCIM亞洲展亮相

三菱電機攜同汽車用J系列EV-IPM和EV T-PM，在6月21日于上海國際會議中心開幕的PCIM 2011亞洲展（展位號A78-A87）中亮相，向參觀者介紹高性能、超可靠、低損耗的汽車用功率半導(dǎo)體模塊，大受廠家歡迎。受到近幾年環(huán)保意識提高的影響，混合動力汽車和電動汽車等市場不斷擴大。由于對汽車有著很高的安全性要求，因而對用于汽車馬達驅(qū)動的功率半導(dǎo)體模塊，
關(guān)鍵字：三菱 EV-IPM EV T-PM

一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計

摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
關(guān)鍵字： GaN S波段寬帶放大器

GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計

摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
關(guān)鍵字：設(shè)計探測器紅外量子 GaN

IGBT-IPM智能模塊計及其在SVG裝置中的應(yīng)用

關(guān)鍵字： IGBT-IPM 智能模塊電路設(shè)計 SVG DSP

利用智能功率模塊(IPM)來驅(qū)動三相感應(yīng)馬達(IM)

　　過去10年中，盡管永磁同步馬達(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標準三相感應(yīng)馬達(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達。啟動IM最簡單的辦法是把馬達直接接入三相交流電，以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動和軟啟
關(guān)鍵字：三相感應(yīng) 馬達 IM 驅(qū)動 IPM 智能功率模塊利用

一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計

氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設(shè)計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
關(guān)鍵字：設(shè)計功率放大器 GaN 一種

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
關(guān)鍵字： GaN LED 襯底功率型

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GaN（氮化鎵）將推動電源解決方案的進步
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于家電的高能效電機驅(qū)動方案
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于白家電的二合一智能功率模塊（IPM）
基于STM32單片機的大扭矩永磁同步電機驅(qū)動系統(tǒng)

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