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          87C196MC與IPM模塊組成的變頻調(diào)速系統(tǒng)

          • 隨著大功率開關(guān)器件制造技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的迅猛發(fā)展,交流電機(jī)的變頻調(diào)速在一般工業(yè)領(lǐng)域以至許多民用領(lǐng)域中已得到廣泛應(yīng)用。在節(jié)能、減少維修、提高產(chǎn)品產(chǎn)量及產(chǎn)品質(zhì)量等方面都取得了明顯的經(jīng)濟(jì)效益。目前,高性能交
          • 關(guān)鍵字: 變頻調(diào)速  系統(tǒng)  組成  模塊  IPM  87C196MC  

          基于IPM模塊的舵機(jī)控制電路設(shè)計(jì)

          • 摘要:為了實(shí)現(xiàn)水下自主式機(jī)器人的控制,設(shè)計(jì)了一種基于IPM模塊的舵機(jī)控制電路。該電路將舵機(jī)控制信號與舵機(jī)位置反饋信號比較獲得的直流偏置電壓信號作為脈寬調(diào)制芯片UC1637的輸入信號。UC1637根據(jù)輸入直流偏置電壓信
          • 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計(jì)  控制  模塊  IPM  基于  

          IPM

          • IPM智能功率模塊  IPM(Intelligent Power Module),即智能功率模塊,不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一 ...
          • 關(guān)鍵字: IPM  

          利用氬氣改善p型GaN LED的性能

          • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN,那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者:Vla...
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

          采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

          • 在當(dāng)今社會,DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來說:英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

          大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

          • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
          • 關(guān)鍵字: LED  GaN  MOSFET  

          IPM自舉電路設(shè)計(jì)難題探討

          • 實(shí)現(xiàn)自舉有兩個(gè)關(guān)鍵問題:一是自舉電容的初始充電;二是自舉電容充完電后,當(dāng)下臂關(guān)斷后上臂并未立即導(dǎo)通,而在從下臂關(guān)斷到上臂導(dǎo)通期間,電容會放電,因此必須保證少量放電后電容電壓仍有驅(qū)動(dòng)能力。如果以上兩個(gè)問題
          • 關(guān)鍵字: IPM  自舉電路    

          IPM模塊實(shí)現(xiàn)通用變頻器實(shí)用電路

          • 1 前言 變頻器已應(yīng)用于各行各業(yè)的多種設(shè)備,并成為當(dāng)今節(jié)電,改造傳統(tǒng)工業(yè),改善工藝流程,提高生產(chǎn)過程自動(dòng)化水平,提高產(chǎn)品質(zhì)量,改善環(huán)境的主要技術(shù)之一。 開關(guān)器件是變頻器的核心器件,絕緣柵雙極型品體管(ICBT)
          • 關(guān)鍵字: 實(shí)用  電路  變頻器  通用  模塊  實(shí)現(xiàn)  IPM  

          硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

          • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來,LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
          • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    

          硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

          • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器,紫外光探測器,...
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    

          三菱電機(jī)汽車用J系列EV-IPM和EV T-PMPCIM亞洲展亮相

          •        三菱電機(jī)攜同汽車用J系列EV-IPM和EV T-PM,在6月21日于上海國際會議中心開幕的PCIM 2011亞洲展(展位號A78-A87)中亮相,向參觀者介紹高性能、超可靠、低損耗的汽車用功率半導(dǎo)體模塊,大受廠家歡迎。        受到近幾年環(huán)保意識提高的影響,混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車等市場不斷擴(kuò)大。由于對汽車有著很高的安全性要求,因而對用于汽車馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的功率半導(dǎo)體模塊,
          • 關(guān)鍵字: 三菱  EV-IPM  EV T-PM  

          一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

          • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點(diǎn),使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn),使用了Agilent ADS等仿真軟件,進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
          • 關(guān)鍵字: GaN  S波段  寬帶  放大器    

          GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計(jì)

          • 摘要:為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究??紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  探測器  紅外  量子  GaN  

          利用智能功率模塊(IPM)來驅(qū)動(dòng)三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)

          •   過去10年中,盡管永磁同步馬達(dá)(PMSM)備受推崇,使用率也日益增加,但標(biāo)準(zhǔn)三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達(dá)。啟動(dòng)IM最簡單的辦法是把馬達(dá)直接接入三相交流電,以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動(dòng)和軟啟
          • 關(guān)鍵字: 三相  感應(yīng)  馬達(dá)  IM  驅(qū)動(dòng)  IPM  智能  功率  模塊  利用  
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