簡介
功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠導致更高頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產的經驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監(jiān)視的必要性。
使用壽命預測指標
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數個供貨商所使
關鍵字：
GaN
當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。
n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元
由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
關鍵字：
GaN SiC
根據YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產值。
目前銷售Ga
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氮化鎵 GaN
根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現更高功率。
在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業(yè)。Yole預期EV/HEV產業(yè)將持續(xù)大力推動Si
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SiC GaN
安森美半導體應用專家在此解答您的設計問題。這視頻將向您介紹智能功率模塊(IPM)如何應用于汽車中。安森美半導體用于汽車的智能功率模塊，是一個創(chuàng)新的3相電機驅動器模塊，由于無線路板(PCB-less)的設計，顯著減少電機控制的空間、重量和成本。
關鍵字：
IPM 紹智能功率模塊
目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構成這些系統(tǒng)的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。
各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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SiC GaN 電流傳感器
1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術進行高功率開關組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關參數(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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GaN EMI
英飛凌科技股份公司今天宣布收購LS Power Semitech Co., Ltd.所有已發(fā)行股份，這是一家英飛凌和韓國LS工業(yè)系統(tǒng)公司于2009年成立的合資公司。此次戰(zhàn)略收購將擴大英飛凌在不斷增長的智能功率模塊(IPM)市場領域的業(yè)務足跡，IPM可使冰箱、冰柜、洗衣機、干衣機和空調等家用電器的能效更高。
“功率半導體器件是我們致力于迎接全球能效挑戰(zhàn)的基石。在這個行業(yè)，功能性整合是一個關鍵趨勢。隨著我們在IPM領域投入力度的加大，我們將全面投身這個快速成長并富有吸引力的市場。而我們在
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英飛凌 IPM
英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術和產品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產品。GaN技術可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產品在諸如超薄LED電視機等終端產品市場開辟新的機會。
英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產品組合，結合公司了所
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英飛凌 GaN
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規(guī)定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
關鍵字：
英飛凌 松下 GaN
近日，德州儀器推出了業(yè)內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內的一個高頻驅動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。
TI高壓電源
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德州儀器 GaN
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規(guī)定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
關鍵字：
英飛凌 GaN
英飛凌和松下聯合開發(fā)GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
關鍵字：
英飛凌 松下 GaN
氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色!帥呆了!
至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
關鍵字：
GaN 射頻
為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導體業(yè)者無不積極研發(fā)經濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
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Cascode GaN 場效應管
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