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三菱化學(xué)計劃擴(kuò)增LED用GaN基板產(chǎn)能
- 因照明用LED需求大增，三菱化學(xué)計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍。 目前，三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。 而為了要達(dá)到穩(wěn)定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴(kuò)大至4-6寸，所以，三菱化學(xué)計劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程，開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施，開始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍
- 關(guān)鍵字： LED GaN
GaN類功率元件，高耐壓成功率半導(dǎo)體主角
- 采用Si基板降低成本，通過改變構(gòu)造改善特性那么，GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術(shù)方面存在...
- 關(guān)鍵字： GaN類功率半導(dǎo)體 功率半導(dǎo)體 GaN
IPM自舉電路設(shè)計過程中的關(guān)鍵問題研究
- 通常IPM模塊應(yīng)有四路獨立電源供電，下橋臂三個IGBT控制電路共用一個獨立電源，上橋臂三個IGBT控制電路用三...
- 關(guān)鍵字： IPM 自舉電路設(shè)計
功率半導(dǎo)體下一個主戰(zhàn)場 電動汽車等新興領(lǐng)域
- 據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù)，全球功率半導(dǎo)體市場2012年增長率為5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會恢復(fù)兩位數(shù)字增長 作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導(dǎo)體運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間，對降低電路損耗、提高電源使用效率，發(fā)揮著重要作用。隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已逐漸從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C領(lǐng)域，向新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場邁進(jìn)。關(guān)注功率器件行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢，促進(jìn)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展至關(guān)重要。 增長點來自新領(lǐng)域 LE
- 關(guān)鍵字： 安森美 IPM
富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率器件 GaN
基于DSP與IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)設(shè)計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： IPM DSP 變頻調(diào)速 硬件
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