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          GaN組件和AMO技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高效率與寬帶

          • 隨著無(wú)線(xiàn)通信的帶寬、用戶(hù)數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴(kuò)展,基地臺(tái)收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對(duì)于更高效率的需求也不斷成長(zhǎng)。無(wú)線(xiàn)功率放大器所消耗的功率超過(guò)了基地臺(tái)運(yùn)作所需功率的一半。透過(guò)提高效率來(lái)減少功耗具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì),首先,最明顯的好 處是降低運(yùn)營(yíng)成本;同時(shí),更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
          • 關(guān)鍵字: GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

          為IC設(shè)計(jì)減少天線(xiàn)效應(yīng)

          • 如同摩爾定律所述,數(shù)十年來(lái),芯片的密度和速度正呈指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。眾所周知,這種高速成長(zhǎng)的趨勢(shì)總有一天會(huì)結(jié)束,只是不知道當(dāng)這一刻來(lái)臨時(shí),芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展,芯片密度不斷增加,而閘級(jí)氧化層寬度不斷減少,超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見(jiàn)的多種效應(yīng)變得原來(lái)越重要且難以控制,天線(xiàn)效應(yīng)便是其中之一。
          • 關(guān)鍵字: IC設(shè)計(jì)  天線(xiàn)  天線(xiàn)效應(yīng)  充電損害  MOS  

          DC-DC電路當(dāng)中同步與非同步的差異講解

          • 在開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)當(dāng)中,電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見(jiàn)的一種設(shè)計(jì)。通常稱(chēng)為DC-DC轉(zhuǎn)換,是指將一個(gè)電壓值轉(zhuǎn)化為另一個(gè)電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)在開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中非常常見(jiàn),也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計(jì),本篇文章將為大家介紹這種電路當(dāng)中非同步與同步的區(qū)別。
          • 關(guān)鍵字: DC-DC  MOS  同步  開(kāi)關(guān)電源  非同步  

          第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

          • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導(dǎo)體材料  

          MACOM:硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)

          •   MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè),在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中,公司敢于采用大膽的技術(shù)手段,為客戶(hù)提供真正的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)并為投資者帶來(lái)卓越的價(jià)值,致力于構(gòu)筑更加美好的世界。   在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中,MACOM的技術(shù)提高了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無(wú)法想象的巨大通信量,讓數(shù)百萬(wàn)人在生活中每時(shí)每刻方便地交流溝通。   日前在上海舉辦的EDICON展會(huì)上,MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品,根據(jù)客戶(hù)的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
          • 關(guān)鍵字: MACOM  GaN  

          汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

          •   汽車(chē)功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(chē)(2015年為14億部[1],汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2]),但汽車(chē)的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng),2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報(bào)告顯示,該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          前瞻性技術(shù):加速GaN技術(shù)應(yīng)用

          •   相較于過(guò)去所使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下,以更高的切換頻率運(yùn)作。 這代表在相同條件下,GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實(shí)現(xiàn)更高的效率。   電源供應(yīng)設(shè)計(jì)   德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型,讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計(jì)至電源解決方案中,進(jìn)而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測(cè)試專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn),TI針對(duì)GaN進(jìn)行了數(shù)百萬(wàn)小時(shí)的加速測(cè)試,并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)。   GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手,它能夠在保持或提
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  GaN  

          汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

          •   雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(chē)(2015年為14億部[1],汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2]),但汽車(chē)的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng),2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報(bào)告顯示,該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運(yùn)用更老的技術(shù)節(jié)點(diǎn),使用200毫米(和
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          電源設(shè)計(jì)控必須了解的2017三大趨勢(shì)

          •   2017電源市場(chǎng)需求和技術(shù)趨勢(shì)風(fēng)向如何?來(lái)e星球,與超六萬(wàn)的專(zhuān)業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動(dòng)創(chuàng)新的源泉,無(wú)論是時(shí)尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶(hù)需求,潛在的創(chuàng)新動(dòng)力才會(huì)被激發(fā),也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點(diǎn)在哪?帶著疑問(wèn)與期盼請(qǐng)來(lái)亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過(guò)6萬(wàn)多名的專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾以及眾多的國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先電源廠(chǎng)商集聚上海新國(guó)際博覽中心,深度探討2017年中國(guó)電源市場(chǎng)需求與走勢(shì),
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          下一波功率轉(zhuǎn)換浪潮—專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設(shè)計(jì)

          •   引言  太陽(yáng)能不再是一項(xiàng)新興技術(shù),而是正在經(jīng)歷重大技術(shù)變革的技術(shù),日趨成熟。我們朝著電網(wǎng)平價(jià)(太陽(yáng)能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類(lèi)型的成本相當(dāng)),并且改進(jìn)傳統(tǒng)能源發(fā)電類(lèi)型構(gòu)成的目標(biāo)前進(jìn),因?yàn)閷⒚姘逯械闹绷麟娹D(zhuǎn)換為可用交流電的過(guò)程變得更加高效且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠?! 〉?,雖然太陽(yáng)能面板在近幾年價(jià)格顯著降低,但下一波太陽(yáng)能發(fā)展浪潮將由功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的新技術(shù)推動(dòng)。先進(jìn)復(fù)雜的多級(jí)功率開(kāi)關(guān)拓?fù)涞呐d起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料,加上更高的工作電壓(最高1600 VDC),實(shí)現(xiàn)更加快速的功率開(kāi)關(guān),與傳統(tǒng)系
          • 關(guān)鍵字: 光伏逆變器  GaN  

          日研究團(tuán)隊(duì)制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

          •   日本三菱化學(xué)及富士電機(jī)、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過(guò)發(fā)光二極管的開(kāi)發(fā)積累了GaN元件技術(shù),GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)用化,將處于世界優(yōu)勢(shì)地位。   功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車(chē)、電車(chē)等的節(jié)能,產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中,硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn),但是,GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
          • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

          2017誰(shuí)將成為功率器件市場(chǎng)亮點(diǎn)?

          •   通信、汽車(chē)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng),國(guó)有品牌競(jìng)爭(zhēng)力提升   市場(chǎng)規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大,增速較2015年有所回升   2016年,中國(guó)電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn),增速有所加快,受此影響,中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到1496.1億元,同比增長(zhǎng)7.2%,增速較2015年有所回升。   通信、汽車(chē)成為2016年市場(chǎng)增長(zhǎng)亮點(diǎn)   從下游應(yīng)用產(chǎn)品的需求來(lái)看,通信和汽車(chē)領(lǐng)域是推動(dòng)功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。   從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來(lái)看,1-10月,我國(guó)生產(chǎn)手機(jī)17億部,同比增長(zhǎng)19.9%,其中智能手機(jī)12
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  GaN  

          技術(shù)路線(xiàn)圖指導(dǎo) 做強(qiáng)中國(guó)功率半導(dǎo)體

          • 在我國(guó)綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動(dòng)下,功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為建設(shè)節(jié)約型社會(huì)、促進(jìn)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  GaN  

          “十三五”期間,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線(xiàn)圖?

          •   如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的心臟,功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟,它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制。我國(guó)發(fā)布《中國(guó)制造2025》,勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過(guò)程中,功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。   然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國(guó)每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較,其實(shí)如果按比例計(jì)算,我國(guó)功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  GaN  

          手機(jī)及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

          •   充電和電池管理對(duì)智能手機(jī)來(lái)說(shuō),仍是關(guān)鍵的功能,未來(lái)多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)充電的改進(jìn)可能大大擴(kuò)展便攜式產(chǎn)品的使用,我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射器和接收器(如智能手機(jī)和平板電腦)的設(shè)計(jì)都具高能效。安森美半導(dǎo)體專(zhuān)注于這兩大應(yīng)用,提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案,以滿(mǎn)足所有這些產(chǎn)品的功率要求?! ∈袌?chǎng)對(duì)于更快充電時(shí)間、更大電池容量和更小適配器的要求,把智能手機(jī)和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
          • 關(guān)鍵字: 安森美  GaN  
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          gan mos driver介紹

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