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          2021年全球MOCVD市場將突破11億美元

          •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長,是LED以及半導體器件的關鍵設備。   根據(jù)Technavio統(tǒng)計,全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場規(guī)模將從201
          • 關鍵字: MOCVD  GaN  

          拯救EMI輻射超標,開關電源能做點啥?

          • 作為工作于開關狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強度較大;干擾源主要集中在功率開關期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導干擾和近場干擾;而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了PCB分布
          • 關鍵字: EMI  開關電源  MOS  

          趁著第三代半導體的東風,紫外LED要做弄潮兒

          • 本文主要介紹了第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關鍵技術的研究目的、意義和社會影響力。
          • 關鍵字: 照明  紫外LED  GaN  第三代半導體  

          GaN組件和AMO技術實現(xiàn)更高效率與寬帶

          • 隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營成本;同時,更少的熱意味著更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
          • 關鍵字: GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

          為IC設計減少天線效應

          • 如同摩爾定律所述,數(shù)十年來,芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知,這種高速成長的趨勢總有一天會結束,只是不知道當這一刻來臨時,芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發(fā)展,芯片密度不斷增加,而閘級氧化層寬度不斷減少,超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制,天線效應便是其中之一。
          • 關鍵字: IC設計  天線  天線效應  充電損害  MOS  

          DC-DC電路當中同步與非同步的差異講解

          • 在開關電源電路設計當中,電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見的一種設計。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換,是指將一個電壓值轉(zhuǎn)化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設計在開關電源當中非常常見,也是新手接觸比較多一種電路設計,本篇文章將為大家介紹這種電路當中非同步與同步的區(qū)別。
          • 關鍵字: DC-DC  MOS  同步  開關電源  非同步  

          第三代半導體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

          • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
          • 關鍵字: GaN  SiC  第三代半導體材料  

          MACOM:硅基GaN產(chǎn)品更適應5G未來的發(fā)展趨勢

          •   MACOM是半導體行業(yè)的支柱型企業(yè),在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中,公司敢于采用大膽的技術手段,為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價值,致力于構筑更加美好的世界。   在基礎設施的建設領域中,MACOM的技術提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量,讓數(shù)百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。   日前在上海舉辦的EDICON展會上,MACOM展出了一系列應用在基礎設施領域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品,根據(jù)客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
          • 關鍵字: MACOM  GaN  

          汽車功率元器件市場前景廣闊

          •   汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015-2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源
          • 關鍵字: SiC  GaN  

          前瞻性技術:加速GaN技術應用

          •   相較于過去所使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應用在同等電壓條件下,以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下,GaN能夠較以硅為基礎的解決方案實現(xiàn)更高的效率。   電源供應設計   德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型,讓工程師能夠輕松地將GaN技術設計至電源解決方案中,進而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測試專業(yè)經(jīng)驗,TI針對GaN進行了數(shù)百萬小時的加速測試,并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設計的生態(tài)系統(tǒng)。   GaN將在功率密集的應用中大展身手,它能夠在保持或提
          • 關鍵字: 德州儀器  GaN  

          汽車功率元器件市場前景廣闊

          •   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源相關芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運用更老的技術節(jié)點,使用200毫米(和
          • 關鍵字: SiC  GaN  

          電源設計控必須了解的2017三大趨勢

          •   2017電源市場需求和技術趨勢風向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動創(chuàng)新的源泉,無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā),也只有適應需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領先電源廠商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場需求與走勢,
          • 關鍵字: SiC  GaN  

          下一波功率轉(zhuǎn)換浪潮—專為實現(xiàn)太陽能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設計

          •   引言  太陽能不再是一項新興技術,而是正在經(jīng)歷重大技術變革的技術,日趨成熟。我們朝著電網(wǎng)平價(太陽能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類型的成本相當),并且改進傳統(tǒng)能源發(fā)電類型構成的目標前進,因為將面板中的直流電轉(zhuǎn)換為可用交流電的過程變得更加高效且經(jīng)濟實惠。  但是,雖然太陽能面板在近幾年價格顯著降低,但下一波太陽能發(fā)展浪潮將由功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的新技術推動。先進復雜的多級功率開關拓撲的興起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料,加上更高的工作電壓(最高1600 VDC),實現(xiàn)更加快速的功率開關,與傳統(tǒng)系
          • 關鍵字: 光伏逆變器  GaN  

          日研究團隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

          •   日本三菱化學及富士電機、豐田中央研究所、京都大學、產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關鍵技術。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術,GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術的實用化,將處于世界優(yōu)勢地位。   功率半導體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能,產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導體中,硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經(jīng)量產(chǎn),但是,GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
          • 關鍵字: GaN  MOSFET  

          2017誰將成為功率器件市場亮點?

          •   通信、汽車驅(qū)動市場增長,國有品牌競爭力提升   市場規(guī)模繼續(xù)擴大,增速較2015年有所回升   2016年,中國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn),增速有所加快,受此影響,中國功率器件市場規(guī)模持續(xù)擴大,市場規(guī)模預計達到1496.1億元,同比增長7.2%,增速較2015年有所回升。   通信、汽車成為2016年市場增長亮點   從下游應用產(chǎn)品的需求來看,通信和汽車領域是推動功率器件市場增長的主要驅(qū)動力。   從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來看,1-10月,我國生產(chǎn)手機17億部,同比增長19.9%,其中智能手機12
          • 關鍵字: 功率器件  GaN  
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