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LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)小Tips：不可不知的5大關(guān)鍵點(diǎn)

　　1、芯片發(fā)熱　　這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的
關(guān)鍵字： LED MOS 變壓器

因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì)遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，于是采用襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計(jì)就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號(hào)加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號(hào)通路上得以避開。襯底驅(qū)動(dòng)MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也就是一個(gè)耗盡型器件，它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
關(guān)鍵字： MOS CMOS

脈沖電源是脈沖制式供電方式裝備必不可少的供電電源。本文對(duì)脈沖電源特點(diǎn)及主要參數(shù)的影響原因進(jìn)行分析，給出了一種脈沖電源的電路方案。重點(diǎn)分析輸出脈沖電壓跌落幅度產(chǎn)生原因及解決方法，總結(jié)了實(shí)用的脈沖電源工程設(shè)計(jì)方法。
關(guān)鍵字：電源 MOS 脈沖電壓跌落幅度脈沖電源 201405

　　為了解決現(xiàn)有浪涌保護(hù)電路可靠性差、專用模塊體積龐大以及效率低的問題，提出一種抗機(jī)載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案。其設(shè)計(jì)思路從以下幾個(gè)方面考慮：(1)能夠承受航空供電系統(tǒng)中80V/50ms過壓浪涌且能正常工作;(2)外圍電路較為簡(jiǎn)單，通過分離元器件可實(shí)現(xiàn)抗浪涌功能;(3)構(gòu)建的電路占用體積僅為專用模塊的50%～60%左右;(4)正常工作時(shí)，電路轉(zhuǎn)換效率能達(dá)到90%以上;80V/50ms的高壓浪涌電壓時(shí)，電路轉(zhuǎn)換效率能達(dá)到80%以上
關(guān)鍵字： PCB MOS 恒流源

　　引言：　　鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動(dòng)電源方案知識(shí)甚少，而移動(dòng)電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動(dòng)電源網(wǎng)開設(shè)移動(dòng)電源方案技術(shù)篇連載，對(duì)目前市面主流品牌，暢銷產(chǎn)品等移動(dòng)電源方案一一深度剖析，與移動(dòng)電源設(shè)計(jì)師和技術(shù)迷們一起分享!我們首款產(chǎn)品就選目前最熱門的小米10400mAh移動(dòng)電源吧?！　≌模骸　∫苿?dòng)電源網(wǎng)獨(dú)家撰稿，轉(zhuǎn)載請(qǐng)保留出處鏈接?！　〈蠹液?我是來福，移動(dòng)電源資深技術(shù)愛好者，鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動(dòng)電源方案知識(shí)甚少，而移動(dòng)電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動(dòng)電源網(wǎng)開設(shè)移動(dòng)電源方案技術(shù)篇連載，
關(guān)鍵字：小米 10400 BQ24195 ABOV MOS

在下面的兩個(gè)帖子當(dāng)中，我將簡(jiǎn)短地介紹構(gòu)成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，這相當(dāng)于IC設(shè)計(jì)中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
關(guān)鍵字： CPU IC設(shè)計(jì) 單晶硅 MOS 硅

為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應(yīng)管

GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來的部分。
關(guān)鍵字： GaN.功率元件

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
關(guān)鍵字： SiC GaN

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體