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	gan mos driver
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          怎樣用最小的代價降低MOS的失效率？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中，自舉電路因技術簡單、成本低廉得到了廣泛的應用。然而在實際應用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破?一個合適的電阻就可搞定問題。
　　【問題分析】
　　

 
　　上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續(xù)流，導致VS端產(chǎn)生負壓，且負壓的大小與寄生電感與成正比關系。該負壓會把驅(qū)動的電位拉到負電位，導致驅(qū)動電路異常，還可能讓自舉電容過充電
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          • 關鍵字：
                        MOS  SCR                          
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          英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會議暨展覽會（APEC）
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產(chǎn)品。GaN技術可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場開辟新的機會。
　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  GaN                          
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          英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。
　　作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  松下  GaN                          
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          TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個高頻驅(qū)動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
　　全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。
　　TI高壓電源
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          • 關鍵字：
                        德州儀器  GaN                          
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          英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。
　　作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  GaN                          
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          英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN技術
          
                                                            
            
                    	
          • 　英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結(jié)合。
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  松下  GaN                          
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          GaN在射頻功率領域會所向披靡嗎？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現(xiàn)出色!帥呆了!
　　至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
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          • 關鍵字：
                        GaN  射頻                          
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          場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 一、場效應管的工作原理- -概念
　　場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，也稱為單極性場效應管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。

二、
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          • 關鍵字：
                        場效應管  MOS  JFET  場效應管工作原理                          
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          高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊， 對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標。
　　在接收機中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級模塊設計的難度， 有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號強度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對性能要求越來越高， 無論是應用于接收機系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應用于發(fā)射機系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設計具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點。
　　在CMOS電路設
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          • 關鍵字：
                        MOS  諧波混頻器                          
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          你造嗎？	四大MOSFET實用技巧
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。
　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。
　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。
　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  MOS                          
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          分立器件的創(chuàng)新這樣體現(xiàn)在性能、效率、成本和交貨的完美契合
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在人們的印象中，東芝NAND Flash(閃存)享譽世界。其實，東芝的分立器件也在市場上占有重要位置。
　　
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          • 關鍵字：
                        東芝  LED  晶圓  MOS  分立器  201411                          
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          CMOS電路ESD保護結(jié)構(gòu)設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　1　引　言
　　靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設計者主要考慮的問題。
　　2　ESD保護原理
　　ESD保護電路的設計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
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          • 關鍵字：
                        CMOS  ESD  MOS                          
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          LED驅(qū)動設計小Tips：不可不知的5大關鍵點
          
                                                            
            
                    	
          • 　　1、芯片發(fā)熱
　　這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的
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          • 關鍵字：
                        LED  MOS  變壓器                          
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          一種低電壓、低功耗模擬電路設計簡介
          
                                                            
            
                    	
          • 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術的閾值電壓并不會遠低于現(xiàn)有標準，于是采用襯底驅(qū)動技術進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
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          • 關鍵字：
                        MOS  CMOS                          
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          一種可程控調(diào)制脈沖電源模塊的研制
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 脈沖電源是脈沖制式供電方式裝備必不可少的供電電源。本文對脈沖電源特點及主要參數(shù)的影響原因進行分析，給出了一種脈沖電源的電路方案。重點分析輸出脈沖電壓跌落幅度產(chǎn)生原因及解決方法，總結(jié)了實用的脈沖電源工程設計方法。
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          • 關鍵字：
                        電源  MOS  脈沖電壓  跌落幅度  脈沖電源  201405                          
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