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	gan mos driver
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          英國專家用半極性GaN生長高效益LED
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英國雪菲爾大學(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。　　利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED?！　∠噍^于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波
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          • 關鍵字：
                        GaN  LED                          
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          波音和通用實驗室研發(fā)出GaN CMOS場效應晶體管
          
                                                            
            
                    	
          • 　　由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室-HRL實驗室已經(jīng)宣布其實現(xiàn)互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。
　　在此過程中，該實驗室已經(jīng)確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術鋪平了道路。
　　氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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          • 關鍵字：
                        GaN  場效應晶體管                          
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          新型GaN功率器件的市場應用趨勢
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術展望研討會　　時間：2016.01.14 下午　　地點：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡　　演講主題: 新型GaN功率器件的市場應用趨勢　　演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經(jīng)理　　主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會越來越依賴新型功
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          • 關鍵字：
                        GaN  功率器件                          
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          物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導體芯片廠商？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 未來虛擬現(xiàn)實和智能汽車成為焦點，VR將會引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題，VR也必會給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來變革，而對于IoT可能帶來的更多變化，半導體廠商該如何應對?
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          • 關鍵字：
                        物聯(lián)網(wǎng)  GaN                          
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          第三代半導體崛起 中國照明能否彎道超車？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導體研究前沿和熱點，中國也不例外地快馬加鞭進行部署。有專家指出，第三代半導體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類信息化社會發(fā)展的基石，是推動節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟發(fā)展方式，提升新一代信息技術核心競爭力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導體材料，能否讓中國掌控新一輪半導體照明發(fā)展的話語權(quán)?
　　

 
　　第三代半導體材料雙雄：SiC和GaN
　　半
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          • 關鍵字：
                        半導體  GaN                          
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          深度分析MOS場效應管在消費類電子中的電路設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　當我們還是學生的時候，不論從做題還是原理分析上,通常會重點學習NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計算、動態(tài)信號分析等等。對于MOS管，老師一般都會草草帶過，沒有那么深入的分析和了解，一般都會說MOS管和三極管的不同就是一個是電壓控制，一個是電流控制，一個Ri大，一個Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實戰(zhàn)的角度進行MOS場效應管的分析。　　首先我們來看下經(jīng)常使用的增強型mos場效應管：N溝道和P溝道m(xù)os場效應管?！　≡谙M類電子設計中由于對功耗要求比較嚴格，通常使用N溝道和P溝道MOS
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          • 關鍵字：
                        MOS  場效應管                          
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          Bulk Si技術近極限，功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。
　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　硅基GaN潛力大
　　近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。”

　　圖1 GaN的巨大潛力
　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。

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          • 關鍵字：
                        GaAs  GaN                          
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          實時功率GaN波形監(jiān)視的設計方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　簡介
　　功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監(jiān)視的必要性。
　　使用壽命預測指標
　　功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使
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          • 關鍵字：
                        GaN                          
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          氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。
　　

 
　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元
　　由碳化硅電力設備市場驅(qū)動，n型碳化硅基
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          怎樣正確使用MOS 集成電路
          
                                                            
            
                    	
          • 　　所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡進行保護，雖然如此，器件內(nèi)的保護網(wǎng)絡還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實驗指出，在高電壓放電時器件會失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式，最嚴重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
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          • 關鍵字：
                        MOS  集成電路                          
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          到底什么是fmax講解
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　簡介： 今天一個剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f，他的老板給了他一個MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后，他還問到怎么才能加大這個fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個參數(shù)，就寫個短短的文章說一下fmax到底是什么和哪些參數(shù)有關。
　　這兩個頻率都是晶體管的重要參數(shù)，無論BJT還是MOS，也決定了將來電路能工作到的最大頻率(當然這個最大頻率是絕對不可能到fmax和ft的)。這兩個頻率其實離得不遠，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來定義的，fmax是用最大功率增益來定義的，千萬別弄混了哦。下圖是一
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          • 關鍵字：
                        MOS  fmax                          
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          氮化鎵元件將擴展功率應用市場
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
　　Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產(chǎn)值。
　　目前銷售Ga
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                          
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          一種簡單的防短路保護方法
          
                                                            
            
                    	
          • 　　簡介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個概念，不要混淆在一起。
　　前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。
　　雖然MOS管導通內(nèi)阻非常小，但所流過的電
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          • 關鍵字：
                        靜電損壞  MOS                          
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          EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　根據(jù)Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。
　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
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          • 關鍵字：
                        SiC  GaN                          
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          gan mos driver介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan mos driver!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan mos driver的理解，并與今后在此搜索gan mos driver的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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