EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
gan mos driver
gan mos driver 文章 進(jìn)入gan mos driver技術(shù)社區(qū)
英飛凌加速氮化鎵布局,引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元
- 近年來,隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長(zhǎng),半導(dǎo)體行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵(GaN)作為一種新型半導(dǎo)體材料,以其高功率、高效率、耐高溫等特性,在消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕,通過戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場(chǎng)地位。近日,英飛凌在上海慕尼黑展會(huì)期間舉辦了一場(chǎng)專門的氮化鎵新品媒體溝通會(huì),會(huì)上英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
- 關(guān)鍵字: 氮化鎵 英飛凌 GaN Systems
氮化鎵為何被如此看好,能否替代硅基材料大放異彩?
- 氮化鎵材料相較于硅基材料,顯著優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開關(guān)速度,在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨(dú)占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開關(guān)頻率的大幅提升,進(jìn)而允許大幅縮減被動(dòng)元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量,有效降低了物料消耗,彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外,在效率層面,氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū),通過實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通阻抗(即單位面積上可達(dá)到的最小電阻),相較于硅材料實(shí)現(xiàn)了數(shù)量級(jí)的優(yōu)化。這種高效的導(dǎo)電性能,是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢(shì),氮化鎵的應(yīng)用不僅促進(jìn)了系統(tǒng)性
- 關(guān)鍵字: 氮化鎵 GaN
氮化鎵(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展
- 本文要點(diǎn)? 氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。? 氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導(dǎo)體,徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導(dǎo)體的電流速度更快,因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)行業(yè)。氮化
- 關(guān)鍵字: GaN
Guerrilla RF宣布收購(gòu)Gallium GaN技術(shù)
- 近期,Guerrilla RF宣布收購(gòu)了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示,通過此次收購(gòu),公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示,公司計(jì)劃向韓國(guó)市場(chǎng)供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管,并將其
- 關(guān)鍵字: Guerrilla RF Gallium GaN
純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商
- 7月1日,純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)宣布已收購(gòu)Tagore專有且經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵(GaN)技術(shù)及IP產(chǎn)品組合,以突破汽車、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應(yīng)用的效率和性能界限。資料顯示,無晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月,旨在開拓用于射頻和電源管理應(yīng)用的GaN-on-Si半導(dǎo)體技術(shù),在美國(guó)伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計(jì)中心。格芯表示,此次收購(gòu)進(jìn)一步鞏固公司對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心,該技術(shù)提供多種優(yōu)勢(shì),可幫助數(shù)據(jù)中心滿足不斷增長(zhǎng)的電力需求,
- 關(guān)鍵字: 晶圓代工 格芯 GaN
臺(tái)達(dá)電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,瞄準(zhǔn)GaN
- 6月21日,臺(tái)達(dá)電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商德州儀器(TI)成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。臺(tái)達(dá)表示,此舉不僅深化雙方長(zhǎng)期合作關(guān)系,亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵(GaN)等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗(yàn)及創(chuàng)新技術(shù),強(qiáng)化新一代電動(dòng)車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢(shì),增強(qiáng)臺(tái)達(dá)在電動(dòng)車領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。臺(tái)達(dá)交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁及電動(dòng)車方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示:“透過與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,運(yùn)用TI在數(shù)位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)優(yōu)勢(shì),提升電動(dòng)車電源系統(tǒng)的功率密度和效能,期盼雙方達(dá)到更緊密的技術(shù)交流及合作,以更具前瞻
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)達(dá)電子 TI GaN
GaN“上車”進(jìn)程加速,車用功率器件市場(chǎng)格局將改寫
- 根據(jù)Yole機(jī)構(gòu)2024 Q1的預(yù)測(cè),氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復(fù)合年增長(zhǎng) (CAGR) 將高于45%,其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場(chǎng)(automotive & mobility),“從無到有”,五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應(yīng)用市場(chǎng)(圖1)。而相比之下,碳化硅(SiC)應(yīng)用市場(chǎng)成長(zhǎng)則顯得比較溫和,CAGR遠(yuǎn)低于GaN(圖1)。隨著GaN“上車”進(jìn)程加速,功率器件器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局或?qū)⒈桓膶?。圖1:在GaN市場(chǎng)份額變化中,汽車與出行市場(chǎng) “從無到有”,五年后
- 關(guān)鍵字: GaN 車用功率器件 Transphorm SiC
一文了解SiC MOS的應(yīng)用
- 作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對(duì)比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
- 關(guān)鍵字: SiC MOS 碳化硅 MOSFET
德州儀器推出先進(jìn)的GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)
- ●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù),助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率?!? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了對(duì)外部散熱器的需求,工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時(shí)通常面臨的許多設(shè)
- 關(guān)鍵字: 德州儀器 GaN IPM 高壓電機(jī)
漲知識(shí)!氮化鎵(GaN)器件結(jié)構(gòu)與制造工藝
- 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同,本文通過深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu),再對(duì)增強(qiáng)型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比,總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外,對(duì)氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述,加深對(duì)氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上,對(duì)不同半導(dǎo)體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對(duì)比說明。一、器件結(jié)構(gòu)與制造工藝(一)器件結(jié)構(gòu)對(duì)比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié),目前市面上還未出現(xiàn)G
- 關(guān)鍵字: 氮化鎵 GaN 結(jié)構(gòu) 制造工藝
純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)
- 6月14日,純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化鎵(GaN)技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。目前,NP12-0B鑒定測(cè)試已經(jīng)完成,最終建模/PDK生成預(yù)計(jì)將于2024年8月完成,并計(jì)劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹,該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù),該技術(shù)結(jié)合了多項(xiàng)改進(jìn),以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性,并增加芯片級(jí)防潮性。NP12-0
- 關(guān)鍵字: 純化合物 半導(dǎo)體 RF GaN
CGD為電機(jī)控制帶來GaN優(yōu)勢(shì)
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN) 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克股票代碼:QRVO)合作開發(fā) GaN 在電機(jī)控制應(yīng)用中的參考設(shè)計(jì)和評(píng)估套件(EVK)。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機(jī)(BLDC)和永磁同步電機(jī)(PMSM)應(yīng)用中的使用,打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
- 關(guān)鍵字: CGD 電機(jī)控制 GaN
CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
- 無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗(yàn)證的 DFN 封裝,堅(jiān)固可靠。DHDFN-9-1(雙散熱器DFN)是一種薄的雙面冷卻封裝,外形尺寸僅為10x10 mm,并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù),便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻(Rth(JC)),可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行,
- 關(guān)鍵字: CGD 數(shù)據(jù)中心 逆變器 GaN 功率IC
CGD與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)簽署了諒解備忘錄,以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場(chǎng)信息、實(shí)現(xiàn)對(duì)潛在客戶的聯(lián)合訪問和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作,ITRI擁有一個(gè)電力解決方案研究團(tuán)隊(duì),在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗(yàn)
- 關(guān)鍵字: CGD GaN 電源開發(fā)
Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議,收購(gòu)垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將于2024年7月完成,屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購(gòu)將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列,包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
- 關(guān)鍵字: Power Integrations Odyssey 氮化鎵 GaN
gan mos driver介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan mos driver!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)gan mos driver的理解,并與今后在此搜索gan mos driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)gan mos driver的理解,并與今后在此搜索gan mos driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473