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          瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術(shù)擴展電源產(chǎn)品陣容

          • 2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST,日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”,Nasdaq:TGAN)于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股,較Transphorm在2024年1月
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  Transphorm  GaN  

          MOS 管的死區(qū)損耗計算

          • MOS 管在逆變電路,開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn),習慣上稱之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器,High-side MOSFET 為上管, Low-side MOSFET為下管.如果上管和下管同時導通,就會導致電源短路,MOS 管會損壞,甚至時電源損壞,這種損壞是災(zāi)難行動,必須避免.由于MOS 的開通和關(guān)斷都是有時沿的,為了避免上管和下管同時導通,造成短路現(xiàn)象,從而引入了死區(qū)的概念,也就是上下管同時關(guān)斷的區(qū)間,如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
          • 關(guān)鍵字: MOS 管  逆變電路  

          GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

          • 近期,大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底,制作出了氮化鎵(GaN)晶體管,其散熱性能是使用碳化硅(SiC)襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上,有望應(yīng)用于5G通信基站、氣象雷達、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領(lǐng)域,該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。隨著半導體技術(shù)不斷發(fā)展,功率密度和散熱等問題日益凸顯,業(yè)界試圖通過新一代材料解決上述問題。據(jù)悉,金剛石具備極強的導熱性能,氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性,居于上述特性,以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中,大阪公立大學的科學家們成
          • 關(guān)鍵字: GaN  散熱能力  

          使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積

          • 盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進步,但對于許多應(yīng)用來說,完全不依賴純電池設(shè)計可能是不可行、不適用和無法接受的。醫(yī)療系統(tǒng)就屬于這類應(yīng)用。相反,設(shè)備通常必須直接通過 AC 線路運行,或至少在電池電量不足時連接 AC 插座即可運行。除了滿足基本的 AC/DC 電源性能規(guī)范外,醫(yī)用電源產(chǎn)品還必須符合監(jiān)管要求,即滿足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標準是為了確保用電設(shè)備即使在電源或負載出現(xiàn)故障時,也不會給操作員或病人帶來危險。與此同時,醫(yī)療電源的設(shè)計者必須不斷提地
          • 關(guān)鍵字: DigiKey  GaN  AC/DC  

          超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用

          • 一、變頻器的定義及應(yīng)用領(lǐng)域 變頻器的定義變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流(交流變直流)、濾波、逆變(直流變交流)、制動單元、驅(qū)動單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應(yīng)用領(lǐng)域鋼鐵、軋鋼制線、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調(diào)整電機的功率,實現(xiàn)電機的變速運行,達到省電的目的。2、降低電力線路中電壓的波動,避免一旦電壓發(fā)生異常而導致設(shè)備的跳閘或者出現(xiàn)異常運行的現(xiàn)象。3、減少對電網(wǎng)的沖擊,從而有效地減少無功損耗,增
          • 關(guān)鍵字: RS瑞森半導體  MOS  變頻器  

          基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設(shè)計 TIDA-00961 FAQ

          • 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
          • 關(guān)鍵字: TI  GaN  圖騰柱  PFC  TIDA-00961  FAQ  

          宜普電源轉(zhuǎn)換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術(shù)的消費電子應(yīng)用場景

          • PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術(shù)如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術(shù)如何為消費電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻 ,包括實現(xiàn)更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間,EPC的技術(shù)專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進行技術(shù)交流、討論氮化鎵技術(shù)及其應(yīng)用場景的最新發(fā)展。氮化鎵技術(shù)正在改變大批量消費應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域包括:推動人工智能
          • 關(guān)鍵字: 宜普電源  CES 2024  氮化鎵  GaN  

          Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

          • 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝,為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識,如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級聯(lián)氮化鎵場效應(yīng)管(GaN FET),Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應(yīng)管,采用CCP
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET  

          “四兩撥千斤”,寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

          • 在半導體行業(yè),新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力,輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中,寬禁帶半導體的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個人電子設(shè)備等應(yīng)用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應(yīng)用性能炸裂,怎么做到的?寬禁帶材料的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在:? 與傳統(tǒng)的硅基半導體材料相比,寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度,更高的擊穿
          • 關(guān)鍵字: GaN  寬禁帶  SiC  

          Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件

          • Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利,是設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新、用于陽臺的小型發(fā)電廠的先驅(qū)。EET公司選用了宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管(EPC2204), 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現(xiàn)了最佳折衷,這對于要求嚴格的硬開關(guān)應(yīng)用至關(guān)重要,同時在緊湊的封裝中實現(xiàn)100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設(shè)計顯著縮小了PCB的尺寸,保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
          • 關(guān)鍵字: Efficient Energy Technology  EET  SolMate  EPC  氮化鎵器件  GaN  

          面向GaN功率放大器的電源解決方案

          • RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設(shè)計上有別于其它技術(shù),有時設(shè)計具有一定挑戰(zhàn)性;但它的性能在許多應(yīng)用中是獨特的。閱讀本文,了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今,電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負電壓工作。這曾經(jīng)被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關(guān)語——但今天,有一些技術(shù)使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天,我們擁有電源管理集成電路(PMIC)器件,可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電,以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢。我們將在下
          • 關(guān)鍵字: Qorvo  GaN  功率放大器  

          日本開發(fā)新技術(shù),可實現(xiàn)GaN垂直導電

          • 當?shù)貢r間11月13日,沖電氣工業(yè)株式會社(OKI)與信越化學合作,宣布成功開發(fā)出一種技術(shù),該技術(shù)使用OKI的CFB(晶體薄膜鍵合)技術(shù),從信越化學特殊改進的QST(Qromis襯底技術(shù))基板上僅剝離氮化鎵(GaN)功能層,并將其粘合到不同材料的基材該技術(shù)實現(xiàn)了GaN的垂直導電,有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻。兩家公司將進一步合作開發(fā)垂直GaN功率器件,并與制造這些器件的公司合作,讓這些器件能應(yīng)用到實際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注,尤其在1800
          • 關(guān)鍵字: GaN  垂直導電  OKI  

          高壓MOS/低壓MOS在單相離線式不間斷電源上的應(yīng)用

          • 單相離線式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS,市電直接供電給用電設(shè)備再為電池充電,一旦市電供電品質(zhì)不穩(wěn)或停電時,市電的回路會自動切斷,電池的直流電會被轉(zhuǎn)換成交流電接手供電的任務(wù),直到市電恢復正常。UPS只有在市電停電了才會介入供電,不過從直流電轉(zhuǎn)換的交流電是方波,只限于供電給電容型負載,如電腦和監(jiān)視器等。一、前言 單相離線式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS,市電直接供電給用電設(shè)備再為電池充電,一旦市電供電品質(zhì)不穩(wěn)或停電時,市電的回路會自動切斷,電池的直流電會被轉(zhuǎn)換成交流電接手供電的任務(wù),直到市電恢復正
          • 關(guān)鍵字: MOS  

          1250V!PI PowiGaN?提升GaN開關(guān)耐壓上限

          • 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。相比于生成工藝復雜的SiC,GaN的生成工藝相對成熟,可以制作成尺寸小巧的芯片封裝,因此非常適合在各種消費級和工業(yè)級開關(guān)功率應(yīng)用。當然,相比SiC在高壓領(lǐng)域的出色表現(xiàn),GaN在高壓的表現(xiàn)并不突出。因此,作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations(PI)創(chuàng)新地將GaN開關(guān)的耐壓上限提升到1250V,再次為GaN開關(guān)的應(yīng)用填補了新的耐受電壓領(lǐng)域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過60個的市場應(yīng)用中
          • 關(guān)鍵字: 1250V  PI  PowiGaN  GaN  

          Transphorm推出TOLL封裝FET,將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件

          • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 -新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達克股票代碼:TGAN)近日宣布,推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET,導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準,這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗證的高壓動態(tài)(開關(guān))導通電阻可
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          gan mos driver介紹

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