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從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應(yīng)用需求，對我國“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當(dāng)下我國應(yīng)該集中優(yōu)勢資源重點發(fā)展。
關(guān)鍵字： ?202310 碳化硅 SiC 襯底 8英寸擴產(chǎn)

圖騰柱無橋PFC與SiC相結(jié)合，共同提高電源密度和效率

效率和尺寸是電源設(shè)計的兩個主要考慮因素，而功率因數(shù)校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時對交流電源基礎(chǔ)設(shè)施的影響，需要使用 PFC。但要設(shè)計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過修改傳統(tǒng) PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來更好地實現(xiàn)這一目標(biāo)。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還有一種提高
關(guān)鍵字：安森美 PFC SiC 電源密度

采用SiC提高住宅太陽能系統(tǒng)性能

預(yù)計在未來五年，住宅太陽能系統(tǒng)的數(shù)量將大幅增長。太陽能系統(tǒng)能為家庭提供清潔和綠色的能源，用于為家用電器供電，為電動汽車充電，甚至將多余的電力輸送至電網(wǎng)。有了太陽能系統(tǒng)，即使發(fā)生電網(wǎng)故障，也不用擔(dān)心。本篇博客介紹了住宅太陽能系統(tǒng)的主要組成部分，并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來提高太陽能系統(tǒng)的效率、可靠性和成本優(yōu)勢。住宅太陽能逆變器系統(tǒng)概述住宅太陽能逆變器系統(tǒng)中包括了產(chǎn)生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉(zhuǎn)換器使用“最大功率點跟蹤”(MPPT) 方法（根據(jù)陽光的強度和方向優(yōu)化能量采集），將可
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杰平方半導(dǎo)體宣布啟動香港首間碳化硅（SiC）先進(jìn)垂直整合晶圓廠項目

由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點企業(yè)辦公室共同推動，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍(lán)圖》中，明確指出應(yīng)加強支持具策略性的先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導(dǎo)體芯片，促進(jìn)香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導(dǎo)體進(jìn)出口市場之一，香港更是位處大
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新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過3,500種LTspice模型

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認(rèn)和驗證電路是否按設(shè)計預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)提供超過3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型，這些模型從各產(chǎn)品頁面均可下載。目前，羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對應(yīng)的LTspice?模型覆蓋率
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基于ST CCM PFC L4986A 設(shè)計的1KW 雙BOOST PFC電源方案

L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng)新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓啟動功能，無需使用傳統(tǒng)的放電電阻。可以支持的功率范圍從一兩百瓦到幾千瓦。 ST 提供兩個版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
關(guān)鍵字： ST SIC 第三代半導(dǎo)體 CCM PFC 4986 電動工具割草機雙boost double boost 無橋PFC

基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案

過往產(chǎn)品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導(dǎo)致裝置汰換時將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產(chǎn)品都透過此接口傳輸數(shù)據(jù)，進(jìn)而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產(chǎn)品需要較長的時間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規(guī)范 (USB Power Delivery Specifi
關(guān)鍵字： ST 意法半導(dǎo)體 GAN 第三代半導(dǎo)體 Power and energy PD 協(xié)議快充

GaN晶體管尺寸和功率效率加倍

無論是在太空還是在地面，這些基于 GaN 的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
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GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺

全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務(wù)器電源供應(yīng)器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
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保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設(shè)計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
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保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設(shè)計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
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意法半導(dǎo)體為博格華納提供SiC，“上車”沃爾沃？

近日，意法半導(dǎo)體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設(shè)計電驅(qū)逆變器平臺。為了充分發(fā)揮意法半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體和博格華納技術(shù)團(tuán)隊密切合作，力爭讓意法半導(dǎo)體的芯片與博格華納的Viper功率開關(guān)匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅(qū)架構(gòu)尺寸并提升經(jīng)濟效益。意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導(dǎo)體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體博格華納 SiC 沃爾沃

基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

STDES-3KWTLCP參考設(shè)計針對5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計針對5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設(shè)計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構(gòu)。前級圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉(zhuǎn)換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設(shè)計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時，測量峰值效率為96.3%
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意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計

●? ?意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現(xiàn)電動化目標(biāo)●? ?博格華納將采用意法半導(dǎo)體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來的多款純電動汽車設(shè)計電驅(qū)逆變器平臺服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SiC 博格華納功率模塊沃爾沃電動汽車

日本新技術(shù)將GaN材料成本降90%

據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)，日本最大的半導(dǎo)體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)和從事ATM及通信設(shè)備的OKI開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體材料的技術(shù)。制造成本可以降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導(dǎo)體裝入充電器、小型家電以及連接純電動汽車(EV)馬達(dá)與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究報告顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率
關(guān)鍵字：日本 GaN 材料成本