gan+sic 文章 進(jìn)入gan+sic技術(shù)社區(qū)
Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件
- Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利,是設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新、用于陽臺的小型發(fā)電廠的先驅(qū)。EET公司選用了宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管(EPC2204), 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實(shí)現(xiàn)了最佳折衷,這對于要求嚴(yán)格的硬開關(guān)應(yīng)用至關(guān)重要,同時(shí)在緊湊的封裝中實(shí)現(xiàn)100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設(shè)計(jì)顯著縮小了PCB的尺寸,保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)
- 奈梅亨,2023年11月30日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件,RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高,可滿足電動(dòng)
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三菱電機(jī)將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
- 11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開發(fā),將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度,同時(shí)滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn),預(yù)計(jì)最早將于2023年內(nèi)開始供應(yīng)。公開消息顯示,安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭,目前是中國聞泰科技的子公司。11月初,安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司,三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點(diǎn)不同,前者以“多個(gè)離散元件組合
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理想自研芯片進(jìn)展曝光:在新加坡設(shè)立辦公室,團(tuán)隊(duì)規(guī)模已超160人
- 11 月 21 日消息,據(jù)晚點(diǎn) LatePost 報(bào)道,在芯片自研方面,理想同時(shí)在研發(fā)用于智能駕駛場景的 AI 推理芯片,和用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器的 SiC 功率芯片。報(bào)道稱,理想目前正在新加坡組建團(tuán)隊(duì),從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場應(yīng)用 LinkedIn 上,已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個(gè)新加坡招聘崗位,包括:總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設(shè)計(jì)專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設(shè)計(jì)專家。報(bào)道還稱,用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
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面向GaN功率放大器的電源解決方案
- RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計(jì)上有別于其它技術(shù),有時(shí)設(shè)計(jì)具有一定挑戰(zhàn)性;但它的性能在許多應(yīng)用中是獨(dú)特的。閱讀本文,了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今,電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負(fù)電壓工作。這曾經(jīng)被視為負(fù)面的——此處“負(fù)面”和“負(fù)極”并非雙關(guān)語——但今天,有一些技術(shù)使這種柵極負(fù)壓操作變得微不足道。今天,我們擁有電源管理集成電路(PMIC)器件,可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電,以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢。我們將在下
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日本開發(fā)新技術(shù),可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月13日,沖電氣工業(yè)株式會(huì)社(OKI)與信越化學(xué)合作,宣布成功開發(fā)出一種技術(shù),該技術(shù)使用OKI的CFB(晶體薄膜鍵合)技術(shù),從信越化學(xué)特殊改進(jìn)的QST(Qromis襯底技術(shù))基板上僅剝離氮化鎵(GaN)功能層,并將其粘合到不同材料的基材該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了GaN的垂直導(dǎo)電,有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻(xiàn)。兩家公司將進(jìn)一步合作開發(fā)垂直GaN功率器件,并與制造這些器件的公司合作,讓這些器件能應(yīng)用到實(shí)際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注,尤其在1800
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Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),雙方聯(lián)手開發(fā),將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度,同時(shí)滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠,在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車采用了這些模塊,并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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三菱電機(jī)和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
- 三菱電機(jī)將與Nexperia(安世)合力開發(fā)SiC芯片,通過SiC功率模塊來積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機(jī)株式會(huì)社(Mitsubishi Electric Corporation,TOKYO: 6503)今天宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片,Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動(dòng)汽車市場正在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大,并有助于推動(dòng)Si
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電裝5億美元入股這家SiC公司
- 11月6日,株式會(huì)社電裝(Denso)宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元,入股后,電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長期穩(wěn)定采購。關(guān)于本次投資,市場方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報(bào)道稱,電裝、三菱電機(jī)等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣,并且已經(jīng)就收購Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數(shù)股權(quán)進(jìn)行過討論。分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機(jī)會(huì),同時(shí)也是對SiC發(fā)展前景的看好,Coher
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1250V!PI PowiGaN?提升GaN開關(guān)耐壓上限
- 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。相比于生成工藝復(fù)雜的SiC,GaN的生成工藝相對成熟,可以制作成尺寸小巧的芯片封裝,因此非常適合在各種消費(fèi)級和工業(yè)級開關(guān)功率應(yīng)用。當(dāng)然,相比SiC在高壓領(lǐng)域的出色表現(xiàn),GaN在高壓的表現(xiàn)并不突出。因此,作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations(PI)創(chuàng)新地將GaN開關(guān)的耐壓上限提升到1250V,再次為GaN開關(guān)的應(yīng)用填補(bǔ)了新的耐受電壓領(lǐng)域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過60個(gè)的市場應(yīng)用中
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Transphorm推出TOLL封裝FET,將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 -新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:TGAN)近日宣布,推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET,導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗(yàn)證的高壓動(dòng)態(tài)(開關(guān))導(dǎo)通電阻可
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EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現(xiàn)更小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車、機(jī)器人和無人機(jī)
- 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計(jì)顯著提高了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率(比功率)增加了一倍以上。該逆變器非常微型,可集成到電機(jī)外殼中,從而實(shí)現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V,可提供高達(dá)60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,包括電動(dòng)自行車、電動(dòng)滑板車、無人
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CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司(TWSE:6412)和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議,共同設(shè)計(jì)和開發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統(tǒng)整體解決方案提供商,專注于各種應(yīng)用的電源和適配器,包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設(shè)備和服務(wù)器/云解決方案。劍橋大學(xué)高壓微電子和傳
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應(yīng)對汽車檢測認(rèn)證機(jī)構(gòu)測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案
- _____近年來,在國家“雙碳”戰(zhàn)略指引下,汽車行業(yè)油電切換提速,截至2022年新能源汽車滲透率已經(jīng)超過25%。汽車電動(dòng)化浪潮中,半導(dǎo)體增量主要來自于功率半導(dǎo)體,根據(jù) Strategy Analytics,功率半導(dǎo)體在汽車半導(dǎo)體中的占比從傳統(tǒng)燃油車的21%提升至純電動(dòng)車的55%,躍升為占比最大的半導(dǎo)體器件。同其他車用電子零部件一樣,車規(guī)級功率半導(dǎo)體也須通過AEC-Q100認(rèn)證規(guī)范所涵蓋的7大類別41項(xiàng)測試要求。對于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體器件,業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應(yīng)用于開發(fā)
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通過碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲能系統(tǒng)
- 電池可以用來儲存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí),就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案,可作為硅MOSFET 或IGBT開關(guān)的替代方案,改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種,分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機(jī)械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外,鋰離子電池技術(shù)成熟,因
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