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杰平方半導體宣布啟動香港首間碳化硅（SiC）先進垂直整合晶圓廠項目
- 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進重點企業(yè)辦公室共同推動，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍圖》中，明確指出應加強支持具策略性的先進制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導體芯片，促進香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導體進出口市場之一，香港更是位處大
- 關鍵字： 香港科技園公司 杰平方半導體 碳化硅 SiC 垂直整合晶圓廠
新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過3,500種LTspice模型
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)提供超過3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型，這些模型從各產(chǎn)品頁面均可下載。目前，羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對應的LTspice?模型覆蓋率
- 關鍵字： SiC IGBT模型 羅姆 LTspice模型
基于ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案
- L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng)新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓啟動功能，無需使用傳統(tǒng)的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊摺?ST 提供兩個版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
- 關鍵字： ST SIC 第三代半導體 CCM PFC 4986 電動工具 割草機 雙boost double boost 無橋PFC
基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案
- 過往產(chǎn)品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導致裝置汰換時將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產(chǎn)品都透過此接口傳輸數(shù)據(jù)，進而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產(chǎn)品需要較長的時間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規(guī)范 (USB Power Delivery Specifi
- 關鍵字： ST 意法半導體 GAN 第三代半導體 Power and energy PD 協(xié)議 快充
GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺
- 全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標準，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
- 關鍵字： GaN Systems 氮化鎵
保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
- 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言，建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
- 關鍵字： 安森美 SiC
保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡
- 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言，建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
- 關鍵字： 碳化硅 SiC
意法半導體為博格華納提供SiC，“上車”沃爾沃？
- 近日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設計電驅(qū)逆變器平臺。為了充分發(fā)揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導體和博格華納技術團隊密切合作，力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開關匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅(qū)架構尺寸并提升經(jīng)濟效益。意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
- 關鍵字： 意法半導體 博格華納 SiC 沃爾沃
基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案
- STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時，測量峰值效率為96.3%
- 關鍵字： ST 第三代半導體 SIC GNA 圖騰柱PFC 無橋PFC 全橋LLC 數(shù)字電源
日本新技術將GaN材料成本降90%
- 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)，日本最大的半導體晶圓企業(yè)信越化學工業(yè)和從事ATM及通信設備的OKI開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導體材料的技術。制造成本可以降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導體裝入充電器、小型家電以及連接純電動汽車(EV)馬達與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究報告顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率
- 關鍵字： 日本 GaN 材料 成本
自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
- _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動汽車領域。根據(jù)彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現(xiàn)電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關模式電源和電機驅(qū)動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
- 關鍵字： 寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
碳化硅芯片是否即將主宰市場？阿斯麥臉色不再重要！
- 在科技領域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著移動互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領域的迅速發(fā)展，芯片技術也不斷突破創(chuàng)新。而在這股技術浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統(tǒng)芯片巨頭的重磅投資，人們開始紛紛關注，碳化硅芯片是否即將主宰市場？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結構決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
- 關鍵字： 碳化硅芯片 SiC 阿斯麥
東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業(yè)應用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預計未來幾年內(nèi)DC?1500V將得到廣泛應用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
- 關鍵字： 東芝 2200V 雙碳化硅 SiC MOSFET模塊
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