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GaN 如何在基于圖騰柱 PFC 的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都會(huì)用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉(zhuǎn)化為調(diào)節(jié)良好的直流電壓傳輸?shù)诫姎庠O(shè)備。隨著全球范圍內(nèi)功耗的增加，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中的相關(guān)能源損耗成為電源設(shè)計(jì)人員整體能源成本計(jì)算的重要一環(huán)，對(duì)于電信和服務(wù)器等“耗電大戶”領(lǐng)域的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個(gè) 100MW 數(shù)據(jù)
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大功率、高性能汽車(chē)類(lèi) SiC 牽引逆變器參考設(shè)計(jì)

TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)，該參考設(shè)計(jì)為 OEM 和設(shè)計(jì)工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場(chǎng)提供了基礎(chǔ)。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術(shù)（包括用于驅(qū)動(dòng) Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的高性能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器）如何通過(guò)降低電壓過(guò)沖來(lái)提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
關(guān)鍵字： SiC 牽引逆變器

適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案

隨著設(shè)備變得越來(lái)越小，電源也需要跟上步伐。因此，當(dāng)今的設(shè)計(jì)人員有一個(gè)優(yōu)先目標(biāo)：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開(kāi)關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計(jì)劃來(lái)提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設(shè)計(jì)需要在設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器可以減少 30% 的能量損耗，同時(shí)限度地延長(zhǎng)系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅(qū)
關(guān)鍵字： SiC

全球SiC爭(zhēng)霸賽，誰(shuí)在豪擲千金？

“能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國(guó)家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對(duì)美國(guó)具有深遠(yuǎn)的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬(wàn)美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開(kāi)始建設(shè)一個(gè)國(guó)家級(jí)SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國(guó)學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育，以達(dá)到鼓勵(lì)美國(guó)新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線，能夠讓美國(guó)大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(zhǎng)期
關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率損耗碳中和

GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國(guó)電動(dòng)車(chē)應(yīng)用市場(chǎng)

【中國(guó)上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴(kuò)大氮化鎵功率半導(dǎo)體于電動(dòng)車(chē)應(yīng)用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，擁有完整電源供應(yīng)器、電動(dòng)車(chē)充電模塊及車(chē)載充電器產(chǎn)品解決方案。結(jié)合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車(chē)用領(lǐng)域所累積的應(yīng)用實(shí)績(jī)，與安世博能源科技在高功率電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)及批量生產(chǎn)的卓越能力，此次策略合作將為中國(guó)電動(dòng)車(chē)行業(yè)帶來(lái)突破性革新。氮化鎵功率半導(dǎo)體將在實(shí)現(xiàn)下世代電動(dòng)車(chē)對(duì)尺寸微縮、輕
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意法半導(dǎo)體量產(chǎn)PowerGaN器件，讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節(jié)能

2023年8月3日，中國(guó) -意法半導(dǎo)體宣布已開(kāi)始量產(chǎn)能夠簡(jiǎn)化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)的增強(qiáng)模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車(chē)電氣化等應(yīng)用的性能。該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級(jí)650V常關(guān)G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時(shí)的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為7
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GaN如何在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都會(huì)用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉(zhuǎn)化為調(diào)節(jié)良好的直流電壓傳輸?shù)诫姎庠O(shè)備。隨著全球范圍內(nèi)功耗的增加，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中的相關(guān)能源損耗成為電源設(shè)計(jì)人員整體能源成本計(jì)算的重要一環(huán)，對(duì)于電信和服務(wù)器等“耗電大戶”領(lǐng)域的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個(gè) 100MW 數(shù)據(jù)
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意法半導(dǎo)體是怎樣煉成巨頭的？擅長(zhǎng)聯(lián)合，布局多重應(yīng)用，投資未來(lái)

歐洲是世界半導(dǎo)體的重要一極，ST（意法半導(dǎo)體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱(chēng)為歐洲半導(dǎo)體的三駕馬車(chē)，也是全球知名的半導(dǎo)體巨頭。ST的特點(diǎn)是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門(mén)1、自帶一定的應(yīng)用市場(chǎng)，ST要靠自己找市場(chǎng)、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問(wèn)題。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Garnter數(shù)據(jù)，ST 2022年?duì)I收158.4億美元，年增長(zhǎng)率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導(dǎo)體公司。大浪淘沙、洗牌無(wú)數(shù)的半導(dǎo)體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導(dǎo)體巨頭的？又是如何布局未來(lái)的？表1 202
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MCU SiC

ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)，對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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實(shí)測(cè)案例：1200V GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試

氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開(kāi)關(guān)速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時(shí)，極快的開(kāi)關(guān)速度又對(duì)其動(dòng)態(tài)特性的測(cè)試提出了更高的要求，稍有不慎就會(huì)得到錯(cuò)誤結(jié)果。傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng)，研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)開(kāi)拓新的應(yīng)用市場(chǎng)。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測(cè)試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場(chǎng)上具有標(biāo)志性意義，傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件最高電壓普
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汽車(chē)芯片，有兩大好賽道

汽車(chē)的智能化和電動(dòng)化趨勢(shì)，勢(shì)必帶動(dòng)車(chē)用半導(dǎo)體的價(jià)值量提升，其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機(jī)。先看功率半導(dǎo)體，車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車(chē)的重要組件，無(wú)論整車(chē)企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準(zhǔn)這一賽道。新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導(dǎo)體，混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。再看車(chē)規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車(chē)各個(gè)部分均有應(yīng)用，包括車(chē)身、儀表、底盤(pán)、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號(hào)鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車(chē)在充電樁、電池管理、車(chē)載充電、動(dòng)力系統(tǒng)
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 SiC GaN 模擬芯片

英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車(chē)芯片供貨協(xié)議

英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅(qū)動(dòng)。根據(jù)協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國(guó)德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應(yīng)鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長(zhǎng)到50%以上，市場(chǎng)部分料號(hào)供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負(fù)荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過(guò)
關(guān)鍵字：英飛凌賽米控電動(dòng)汽車(chē)芯片 SiC IGBT

羅姆買(mǎi)新廠搶SiC產(chǎn)能

全球車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)，目前主要由IDM大廠獨(dú)霸，根據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計(jì)劃在2025年，將SiC功率半導(dǎo)體的營(yíng)收擴(kuò)大至1,000億日?qǐng)A以上，成為全球市占龍頭。為了達(dá)成目標(biāo)，該公司積極擴(kuò)充SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并宣布買(mǎi)下日本一家太陽(yáng)能系統(tǒng)廠的舊工廠，未來(lái)將引進(jìn)SiC功率半導(dǎo)體8吋晶圓產(chǎn)線到工廠內(nèi)，預(yù)計(jì)在2024年底啟動(dòng)，將使羅姆的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，到2030年增加為2021年的35倍。根據(jù)日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報(bào)導(dǎo)，羅姆將從日本的石油公
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324

前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說(shuō)只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái)，這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的角度來(lái)看芯片和封裝的開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個(gè)SSDC模塊的結(jié)構(gòu)圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個(gè)用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復(fù)雜的，里面包含了許
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
關(guān)鍵字：安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器