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SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢顯著
- 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設(shè)計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗的大幅降低，這些半導(dǎo)體開關(guān)的應(yīng)用范圍越來越廣。結(jié)果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導(dǎo)體研發(fā)機構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時候，收益遞減
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ST進軍工業(yè)市場，打造豐富多彩的工業(yè)樂園
- 近日，意法半導(dǎo)體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區(qū)域營銷和應(yīng)用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場的特點，并介紹了ST的產(chǎn)品線寬泛且通用性強，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應(yīng)對工業(yè)市場少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領(lǐng)域呈現(xiàn)多樣、少量的特點，需要改變消費類電子大規(guī)模生產(chǎn)的模式，實現(xiàn)少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應(yīng)用的多樣化，即一個大應(yīng)用下面通常有很多小的子應(yīng)用，所以產(chǎn)品會非標(biāo)準(zhǔn)化，即一個產(chǎn)品只能針對某一類小應(yīng)用/小客戶的需
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ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設(shè)備的功耗。另外，羅姆也已開始供應(yīng)SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體？
- 王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036） SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示，2025年整個市場規(guī)模將達到約23億美元。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用?！ 〔贿^，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價格，主要原因有兩個：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應(yīng)地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
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SiC將達23億美元規(guī)模，技術(shù)精進是主攻方向
- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應(yīng)地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠商競爭
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Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察
- 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術(shù)進一步應(yīng)用于功率及射頻元件中。
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支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)
- 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設(shè)計，同時通過在一個封裝中進行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個機型?！ OHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質(zhì)，并于2012年開始供應(yīng)車載充電器用的SiC肖特
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安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示 用先進云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案
- 2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應(yīng)用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設(shè)計之前對系統(tǒng)性能有信心。 Strata Developer S
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集邦咨詢：需求持續(xù)擴張，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%?！ 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè)，2019年
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MACOM和意法半導(dǎo)體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無線網(wǎng)絡(luò)建設(shè)
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設(shè)，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議?！ ‰S著全球推出5G網(wǎng)絡(luò)并轉(zhuǎn)向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預(yù)計
- 關(guān)鍵字： MACOM GaN
碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
- 關(guān)鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動器，可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動器、電焊機和電源。 SIC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
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