gan+sic 文章進(jìn)入gan+sic技術(shù)社區(qū)

MACOM推出寬帶多級(jí)硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊具備靈活安裝性能，實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)敏捷性

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴(kuò)展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過優(yōu)化改良，適用于陸地移動(dòng)無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術(shù)通信和電子對(duì)抗 (ECM) 領(lǐng)域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、兩級(jí)PA架構(gòu)的高效設(shè)計(jì)，以及頂端和底端安
關(guān)鍵字： MACOM GaN

ST將收購(gòu)Norstel 55％股權(quán)，擴(kuò)大SiC器件供應(yīng)鏈

意法半導(dǎo)體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商N(yùn)orstel AB公司簽署協(xié)議，收購(gòu)后者55%股權(quán)。Norstel公司于2005年從Link?ping大學(xué)分拆出來，開發(fā)和生產(chǎn)150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產(chǎn)能受限的情況下控制部分SiC器件的整個(gè)供應(yīng)鏈，并為自己帶來一個(gè)重要的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。
關(guān)鍵字： ST Norstel SiC

GaN逐步向RF領(lǐng)域的發(fā)展之路

目前，氮化鎵(GaN)技術(shù)已經(jīng)不再局限于功率應(yīng)用，其優(yōu)勢(shì)也在向射頻/微波行業(yè)應(yīng)用的各個(gè)角落滲透，而且對(duì)射頻/微波行業(yè)的影響越來越大，不容小覷。因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)從太空、軍用雷達(dá)到蜂窩通信的應(yīng)用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關(guān)度很高，但它也有其他用例。自推出以來，GaN的發(fā)展歷程令人矚目，隨著5G時(shí)代的到來，它可能會(huì)更加引人關(guān)注。
關(guān)鍵字： GaN RF

射頻前端市場(chǎng)潛力巨大 GaN發(fā)展優(yōu)勢(shì)明顯

目前射頻前端元器件基本均由半導(dǎo)體工藝制備，如手機(jī)端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻(RF)開關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對(duì)5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，GaN技術(shù)的運(yùn)用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：射頻 GaN

盤點(diǎn)2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”

今年整個(gè)產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上也是節(jié)節(jié)攀升，2018年可以說是產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產(chǎn)業(yè)也產(chǎn)生了眾多技術(shù)突破。
關(guān)鍵字：芯片，GaN

第三代半導(dǎo)體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？

　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們?cè)谖磥淼拇蠊β?、高溫、高壓?yīng)用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景?！　∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來。　　實(shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 SiC GaN

北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體，推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)

　　11月30日，北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗(yàn)室揭牌?！　　　≡撀?lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強(qiáng)自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開發(fā)。　　　　近年來，以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
關(guān)鍵字：北汽新能源羅姆半導(dǎo)體 SiC

QORVO?憑借行業(yè)首款28 GHZ GAN前端模塊增強(qiáng)其5G領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

　　移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天應(yīng)用RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼：QRVO)憑借行業(yè)首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN) 前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴(kuò)大了其 5G 業(yè)務(wù)范圍。在基站設(shè)備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM 可以幫助他們降低總體系統(tǒng)成本?！　?jù) SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無線接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運(yùn)營(yíng)商能夠滿足 5G 對(duì)速度、延遲、可靠性和容量的
關(guān)鍵字： QORVO GAN

羅姆為汽車、工業(yè)領(lǐng)域提供更多SiC解決方案

羅姆（ROHM）作為一個(gè)日本企業(yè)，很早便打入歐洲市場(chǎng)，豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)、值得信賴的產(chǎn)品品質(zhì)和口碑讓歐洲本土企業(yè)成為羅姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我們也見到了很多羅姆（ROHM）的得意之作。
關(guān)鍵字： ROHM SiC 羅姆

德州儀器用2000萬(wàn)小時(shí)給出使用氮化鎵（GaN）的理由

在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里。　　我們幾個(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級(jí)電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中，進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當(dāng)然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的熱量。我們已經(jīng)將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對(duì)此感到滿意。在這個(gè)探討過程中，我們盤點(diǎn)了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設(shè)備?！　≡谀莻€(gè)雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓?fù)洌詫で螳@得更高的效率和密度，當(dāng)然也要找到改進(jìn)健全性的途徑。一位高級(jí)研究員幫助總
關(guān)鍵字：德州儀器 GaN

使用SiC技術(shù)攻克汽車挑戰(zhàn)

　　摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個(gè)項(xiàng)目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測(cè)試和應(yīng)用方面展開為期36個(gè)月的開發(fā)合作。本文將討論本項(xiàng)目中與汽車相關(guān)的內(nèi)容，重點(diǎn)介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
關(guān)鍵字： SiC WInSiC4AP

尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來革新

　　從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。　　硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對(duì)于即將推出的5G無線網(wǎng)絡(luò)，以及未來的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素。　　“工程師現(xiàn)在處于一個(gè)非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Behe
關(guān)鍵字： GaN，機(jī)器人

ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù))　　近年來，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢(shì)，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受
關(guān)鍵字： ROHM SiC

當(dāng)今的射頻半導(dǎo)體格局正在發(fā)生變化 - 為什么？

　　當(dāng)今的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場(chǎng)需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內(nèi)有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場(chǎng)，如今這種局面已被全新的市場(chǎng)格局所取代 - 有多個(gè)新興市場(chǎng)出現(xiàn)，多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進(jìn)行重大兼并和收購(gòu)。究竟有哪些因素推動(dòng)著市場(chǎng)格局不斷變化?　　哪些因素在推動(dòng)變革?　　半導(dǎo)體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個(gè)要求驅(qū)動(dòng)：對(duì)無所不在的傳感和連接的需求。無論人們身處世界的哪個(gè)位置，無論在家中還是在工作場(chǎng)所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場(chǎng)不再僅僅滿足蜂窩手
關(guān)鍵字：射頻半導(dǎo)體 GaN

“2018 ROHM科技展”：走進(jìn)智能“芯”生活！

　　全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時(shí)，將以“羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”為主題，展示羅姆在汽車電子和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品與解決方案，以及模擬技術(shù)和功率元器件等技術(shù)亮點(diǎn)。同時(shí)，將圍繞汽車電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)、傳感器技術(shù)以及旗下藍(lán)碧石半導(dǎo)體的先進(jìn)技術(shù)等主題，由羅姆的工程師帶來六場(chǎng)技術(shù)專題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現(xiàn)場(chǎng)，與羅姆的技術(shù)專家進(jìn)行面對(duì)面的交流和切磋
關(guān)鍵字： ROHM SiC