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          納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC: NCA1462-Q1

          • 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC(信號(hào)改善功能,Signal Improvement Capability)NCA1462-Q1。相比當(dāng)前主流的CAN FD車載通信方案,NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標(biāo)準(zhǔn)的前提下,進(jìn)一步兼容CiA 601-4標(biāo)準(zhǔn),可實(shí)現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能,即使在星型網(wǎng)絡(luò)多節(jié)點(diǎn)連接的情況下,NCA1462-Q1仍具有良好的信號(hào)質(zhì)量;此外,超高的EMC表現(xiàn),更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
          • 關(guān)鍵字: 納芯微  振鈴抑制  CAN SIC  

          英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

          • 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后,該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小,系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外,英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計(jì),進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示:“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  Worksport  氮化鎵  GaN  便攜式發(fā)電站  

          EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

          • 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
          • 關(guān)鍵字: EPC  1mΩ  導(dǎo)通電阻  GaN FET  

          基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計(jì)為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用鋪平了道路

          • 先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用(如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等)需要相匹配的逆變器支持,但業(yè)界一直為其開(kāi)發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導(dǎo)體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅(SiC)功率器件的完整逆變器參考設(shè)計(jì)很好地解決了這一問(wèn)題。該參考設(shè)計(jì)整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動(dòng)器,Silicon Mobility公司的控制板和軟件,超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器,直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用提供了一個(gè)已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開(kāi)發(fā)平
          • 關(guān)鍵字: SiC  逆變器  電機(jī)  CISSOID  Silicon Mobility  

          Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊

          • 中國(guó) 北京,2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅(SiC)模塊,其中兩款為半橋配置,兩款為全橋配置,導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應(yīng)用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET,從而簡(jiǎn)化
          • 關(guān)鍵字: Qorvo  1200V  SiC模塊  SiC  

          適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

          • 激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無(wú)人機(jī)、倉(cāng)庫(kù)自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類參與其中,因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對(duì)眼睛造成傷害。為防止此類傷害,汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求,同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖,重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性,因?yàn)樾枰褂梦⒖刂破骰蚱渌笮蛿?shù)字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管,但又不能直接驅(qū)動(dòng)它,這樣就必須增加一個(gè)柵極
          • 關(guān)鍵字: 自主駕駛  LiDAR  GaN  FET  

          內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC,助推工廠智能化

          • 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度,在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力,需要輔助設(shè)備用的高效率電源,而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今,從汽車、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠,既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì),還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)(降低功耗和減少溫室氣體排放)。在以往的制造業(yè)中,提高工廠的生產(chǎn)效率和
          • 關(guān)鍵字: 電力轉(zhuǎn)換  SiC  MOSFET  

          安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向

          • 回首2023年,盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn),但我們看到了不少閃光點(diǎn),比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆,以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天,安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)?lái)了他對(duì)過(guò)去一年的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)和對(duì)新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過(guò)去一年中,汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場(chǎng)需求的變化,可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題,汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購(gòu)策略以應(yīng)對(duì)潛在的風(fēng)險(xiǎn)和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢(shì)力進(jìn)入新能源汽車市場(chǎng),競(jìng)爭(zhēng)壓力加大,汽車制造商需要不斷提
          • 關(guān)鍵字: 智能電源  智能感知  汽車領(lǐng)域  SiC  

          帶隙對(duì)決:GaN和SiC,哪個(gè)會(huì)占上風(fēng)?

          • 電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          SR-ZVS與GaN:讓電源開(kāi)關(guān)損耗為零的魔法

          • 當(dāng)今,快充市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。風(fēng)暴仍在繼續(xù),快充市場(chǎng)的迅猛發(fā)展,用戶對(duì)于充電器的功率需求也在不斷增大;移動(dòng)設(shè)備的普及,用戶對(duì)于充電器體積的要求也越來(lái)越高;同時(shí)為了在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出,低成本是每個(gè)快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對(duì)快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴(yán)格,不僅需要高效率、高功率,還需要適應(yīng)多樣化的標(biāo)準(zhǔn)和滿足用戶個(gè)性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下,PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開(kāi)關(guān)IC,在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級(jí)開(kāi)關(guān)、初級(jí)側(cè)控制器、FluxLink?
          • 關(guān)鍵字: PI  SR-ZVS  GaN  氮化鎵  

          意法半導(dǎo)體:SiC新工廠今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿足井噴市場(chǎng)需求

          • 回首2023,碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步?出現(xiàn)了哪些變化?2024將迎來(lái)哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)?為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來(lái)的前進(jìn)方向,行家說(shuō)三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024,火力全開(kāi)》專題報(bào)道。本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場(chǎng)和應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI(沐杰勵(lì))。全工序SiC工廠今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說(shuō)三代半:據(jù)《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》統(tǒng)計(jì),2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車型又新增了40多款,預(yù)計(jì)明年部分
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  SiC  

          臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項(xiàng)目

          • 2月1日消息,近日,浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺(tái)電機(jī)控制器”建設(shè)項(xiàng)目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露,該項(xiàng)目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體(嘉興)有限公司,臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等,項(xiàng)目建筑面積達(dá)45800m2。公開(kāi)資料顯示,臻驅(qū)科技成立于2017年,是一家提供國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動(dòng)解決方案的公司,總部位于上海浦東,在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國(guó)亞?。ˋachen)等地布局了多家子
          • 關(guān)鍵字: 功率模塊  碳化硅  SiC  

          Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能

          • 中國(guó) 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅(SiC)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ,非常適合車載充電器、DC/DC 
          • 關(guān)鍵字: Qorvo  SiC FET  電動(dòng)汽車  

          SiC生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷

          • 眾所周知,提高 SiC 晶圓質(zhì)量對(duì)制造商來(lái)說(shuō)非常重要,因?yàn)樗苯記Q定了 SiC 器件的性能,從而決定了生產(chǎn)成本。然而,具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(zhǎng)仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米(4英寸)到150毫米(6英寸)晶圓的艱難過(guò)渡,正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(zhǎng),同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性,這導(dǎo)致生長(zhǎng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高,導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
          • 關(guān)鍵字: SiC  晶圓  

          EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動(dòng)激光二極管,實(shí)現(xiàn)75~231A脈沖電流

          • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出三款激光驅(qū)動(dòng)器電路板,這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實(shí)現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC推出三款評(píng)估板,分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動(dòng)器和通過(guò)車規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長(zhǎng)距離和
          • 關(guān)鍵字: EPC GaN FET  激光二極管  
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