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電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)：新一代功率解決方案提升能效和可靠性

1? ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵是可靠性和能效電機(jī)在現(xiàn)代生活中無(wú)處不在，從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車(chē)、工廠和基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)國(guó)際能源署 (International Energy Agency) 的數(shù)據(jù)，電機(jī)占全球總電力消耗的45％，因此電機(jī)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的可靠性和能效會(huì)對(duì)世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應(yīng)用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人是電機(jī)最重要的應(yīng)用之一，隨著傳統(tǒng)機(jī)器人、協(xié)作機(jī)器人和自主移動(dòng)機(jī)器人的采用，我們看到工廠和其他設(shè)施變得更加自動(dòng)化。一種提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)能效的方法是，以基于三相
關(guān)鍵字： MOSFET IPM 202103

基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應(yīng)加熱設(shè)計(jì)

電磁感應(yīng)加熱在小家電市場(chǎng)(如電飯煲，油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，減小系統(tǒng)尺寸，降低系統(tǒng)成本和提高可靠性是越來(lái)越多客戶(hù)的需求。本文設(shè)計(jì)了一款2.1 kW電磁感應(yīng)加熱平臺(tái)。搭載了英飛凌自帶保護(hù)IPD Protect，XMC單片機(jī)和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓?fù)洳捎脝味瞬⒙?lián)諧振電路，最大輸出功率2.1 kW，實(shí)現(xiàn)了IPD Protect的快速過(guò)流保護(hù)，過(guò)壓保護(hù)，過(guò)溫報(bào)警和保護(hù)，輸入電壓欠壓保護(hù)和低靜態(tài)電流等功能，其中IPD protect過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)點(diǎn)可以根據(jù)系統(tǒng)要求來(lái)調(diào)節(jié)。同時(shí)，
關(guān)鍵字：感應(yīng)加熱 IPD Protect IGBT 小家電 TRENCHSTOP 202102

電動(dòng)車(chē)用大功率 IGBT 模塊測(cè)試解決方案

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種類(lèi)眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類(lèi)，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類(lèi)。根據(jù)iHS預(yù)測(cè)，MOSFET和IGBT將是2020-2025年增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的半導(dǎo)體功率器件。增長(zhǎng)的市場(chǎng)空間被行業(yè)專(zhuān)家拆解成兩個(gè)方面：折舊帶來(lái)的替換市場(chǎng)以及電氣化程度加深帶來(lái)的新增市場(chǎng)。既然新增市場(chǎng)源于電氣化程度的加深，那
關(guān)鍵字： IT6862A IT6015D-80-450 電動(dòng)車(chē)用大功率 IGBT 模塊測(cè)試

科索為中型機(jī)器人控制器和工廠自動(dòng)化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案

科索有限責(zé)任公司近日宣布擴(kuò)大其為中型機(jī)器人和工廠自動(dòng)化設(shè)計(jì)的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開(kāi)放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專(zhuān)門(mén)為機(jī)器人控制器和工廠自動(dòng)化定制?；谝粋€(gè)獨(dú)特的概念，科索RBC300F系列提供三個(gè)可配置隔離輸出，其中一個(gè)具有增強(qiáng)隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應(yīng)用供電。RBC300F通過(guò)EN62477-1過(guò)電壓類(lèi)別（OVC）Ⅲ認(rèn)證，當(dāng)連接到配電板時(shí)，通過(guò)減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡(jiǎn)化了系統(tǒng)架構(gòu)師的設(shè)計(jì)過(guò)程，同時(shí)降低了成本。RBC3
關(guān)鍵字： OVC IGBT COSEL RBC300F 對(duì)流冷卻設(shè)計(jì)

推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)

隨著電動(dòng)汽車(chē)（EV）數(shù)量的增加，對(duì)創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長(zhǎng)，如此便可更快地為車(chē)輛充電。與先前的電動(dòng)汽車(chē)相比，新型電動(dòng)汽車(chē)具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開(kāi)發(fā)快速直流充電解決方案以滿(mǎn)足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車(chē)充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn)，快速DC充電站可提供高達(dá)400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI

GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)洹aN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開(kāi)關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類(lèi)拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳
關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開(kāi)辟新應(yīng)用領(lǐng)域

英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開(kāi)了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門(mén)。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗
關(guān)鍵字： MOSFET TIM IGBT

一種電動(dòng)汽車(chē)能量回饋下IGBT保護(hù)策略?xún)?yōu)化及驗(yàn)證

　　舒暉（奇瑞新能源汽車(chē)股份有限公司，安徽蕪湖 241002）　　摘要：針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)在能量回饋時(shí)，動(dòng)力電池高壓繼電器異常斷開(kāi)的特殊工況下，提出了一種IGBT保護(hù)策略?xún)?yōu)化方案，快速檢測(cè)因動(dòng)力電池瞬斷產(chǎn)生的尖峰電壓，觸發(fā)保護(hù)機(jī)制保護(hù)IGBT模塊。本文通過(guò)臺(tái)架實(shí)驗(yàn)對(duì)比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值，最終通過(guò)實(shí)車(chē)驗(yàn)證了該方案的可行性。結(jié)果表明，優(yōu)化后的保護(hù)策略能更快地檢測(cè)到抬升的母線(xiàn)電壓，觸發(fā)保護(hù)機(jī)制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風(fēng)險(xiǎn)?！　￡P(guān)鍵詞：電動(dòng)汽車(chē)；能量回饋；IGBT　　0 引言　　傳統(tǒng)汽車(chē)
關(guān)鍵字： 202007 電動(dòng)汽車(chē) 能量回饋 IGBT

新基建驅(qū)動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

我國(guó)正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)充電樁、5G手機(jī)等對(duì)電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷(xiāo)及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對(duì)工業(yè)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷(xiāo)及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
關(guān)鍵字：電源 SiC IGBT GaN

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能源效率

本文將強(qiáng)調(diào)出無(wú)論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來(lái)看,工業(yè)傳動(dòng)不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點(diǎn)。摘要由于電動(dòng)馬達(dá)佔(zhàn)工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動(dòng)的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導(dǎo)體製造商必須花費(fèi)大量心神,來(lái)強(qiáng)化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。意法半導(dǎo)體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標(biāo)準(zhǔn)。1.導(dǎo)言目前工業(yè)傳動(dòng)通常採(cǎi)用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開(kāi)發(fā)的碳化
關(guān)鍵字： MOSEFT FWD ST IGBT

東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機(jī)功率損耗

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出型號(hào)為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設(shè)計(jì)用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。并計(jì)劃于今日開(kāi)始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當(dāng)前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設(shè)備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級(jí)安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅(qū)動(dòng)帶方波輸入信號(hào)的無(wú)刷直流電機(jī)，無(wú)需PWM控制
關(guān)鍵字： IPD IGBT IC

東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過(guò)監(jiān)控集電極電壓實(shí)現(xiàn)過(guò)流檢測(cè)。產(chǎn)品于今日起開(kāi)始出貨。新型預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器，來(lái)控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來(lái)實(shí)現(xiàn)電流放大，這會(huì)在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠
關(guān)鍵字： IGBT MOSEFT

CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車(chē)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對(duì)汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰(zhàn)，并推出用于電動(dòng)汽車(chē)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺(tái)。這項(xiàng)新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺(tái)同時(shí)優(yōu)化了功率開(kāi)關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制，對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)（EV）整車(chē)廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡(jiǎn)潔電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)制造商而言，該平臺(tái)可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。該可擴(kuò)展
關(guān)鍵字： SiC IPM

Power Integrations出爐簡(jiǎn)單易用的SCALE-2即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，適用于壓接式IGBT模塊

中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的創(chuàng)新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品專(zhuān)為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開(kāi)發(fā)。新的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計(jì)而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。1SP0351驅(qū)動(dòng)器裝備了動(dòng)態(tài)高級(jí)有源鉗位功能(DAAC)、短路保護(hù)
關(guān)鍵字：門(mén)極驅(qū)動(dòng)器 IGBT

電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)及控制解決方案

顧偉俊? （羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師）摘? 要：介紹了電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動(dòng)向。關(guān)鍵詞：電機(jī)；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)?隨著智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、物流自動(dòng)化等概念的普及深化，在與每個(gè)人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車(chē)載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域，各類(lèi)電機(jī)在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的需求。?在家電領(lǐng)域，電器的智能化需要電器對(duì)人機(jī)交流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如掃地機(jī)器人需要掃描計(jì)算空間，規(guī)劃路線(xiàn)，然后執(zhí) 行移動(dòng)以及相應(yīng)
關(guān)鍵字： 202003 電機(jī) BLDC MCU SiC IPM