igbt-ipm 文章進(jìn)入igbt-ipm技術(shù)社區(qū)

Power Integrations推出汽車(chē)級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車(chē)以及建筑和農(nóng)用電動(dòng)汽車(chē)提供強(qiáng)大動(dòng)力

深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門(mén)極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應(yīng)用范圍包括電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力和燃料電池汽車(chē)（包括巴士和卡車(chē)）以及建筑、采礦和農(nóng)用設(shè)備的大功率汽車(chē)和牽引逆變器。SCALE EV板級(jí)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部集成了兩個(gè)增強(qiáng)型門(mén)極驅(qū)動(dòng)通道、相關(guān)供電電源和監(jiān)控遙測(cè)電路。新驅(qū)動(dòng)板已通過(guò)汽車(chē)級(jí)認(rèn)證和ASIL B認(rèn)證，可實(shí)現(xiàn)AS
關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT SiC 模塊驅(qū)動(dòng)器 SCALE EV PI

基于單脈沖試驗(yàn)的IGBT模型的電壓應(yīng)力測(cè)試分析

IGBT作為功率設(shè)備的核心器件，在電力電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。為了進(jìn)一步了解電壓應(yīng)力對(duì)IGBT模塊的影響，本文搭建了實(shí)驗(yàn)樣機(jī)（選用3代IGBT采用T型三電平拓?fù)?，額定輸出線電壓315 V，電流230 A，設(shè)計(jì)輸入電壓范圍500～1 000 V），通過(guò)單脈沖試驗(yàn)對(duì)不同廠家不同型號(hào)的IGBT進(jìn)行電壓應(yīng)力分析并給出解決方案的可行性。
關(guān)鍵字： IGBT 單脈沖電壓應(yīng)力 202203

子單元長(zhǎng)期存放對(duì)焊接質(zhì)量的影響*

長(zhǎng)期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn)，IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時(shí)間長(zhǎng)短對(duì)焊接空洞影響較大，本文分別對(duì)兩批存放時(shí)間差別較大的子單元進(jìn)行封裝，通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比兩批產(chǎn)品的空洞率，結(jié)果表明存放時(shí)間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小，從而提高了IGBT器件的可靠性。
關(guān)鍵字： IGBT 焊接封裝空洞率子單元 202201

環(huán)旭電子預(yù)計(jì)在2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開(kāi)始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報(bào)告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛，與去年同期相比大幅成長(zhǎng)160%，成長(zhǎng)率遠(yuǎn)高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(zhǎng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
關(guān)鍵字：環(huán)旭電子電動(dòng)車(chē)用逆變器 IGBT SiC 電源模塊

環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開(kāi)始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報(bào)告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛，與去年同期相比大幅成長(zhǎng)160%，成長(zhǎng)率遠(yuǎn)高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(zhǎng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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Power Integrations推出適用于“新型雙通道”模塊的SCALE-iFlex Single即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

SCALE-2技術(shù)可優(yōu)化外形尺寸，提高耐壓在3300V以內(nèi)的功率逆變器和變換器的效率、性能和可靠性
關(guān)鍵字： PI 雙通道門(mén)機(jī)驅(qū)動(dòng)器 SCALE-iFlex?Single IGBT

功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究

高端變頻空調(diào)在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機(jī)不工作，經(jīng)過(guò)大量失效主板分析確認(rèn)是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計(jì)分析，對(duì)IGBT失效原因及失效機(jī)理分析，分析結(jié)果表明：經(jīng)過(guò)對(duì)IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機(jī)相關(guān)波形檢測(cè)、熱設(shè)計(jì)分析、IGBT極限參數(shù)檢測(cè)對(duì)比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е?，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計(jì)方面全部提升IGBT工作可靠性。
關(guān)鍵字：主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應(yīng) ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET

Microchip推出業(yè)界耐固性最強(qiáng)的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

如今為商用車(chē)輛推進(jìn)系統(tǒng)提供動(dòng)力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴于高壓開(kāi)關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問(wèn)題限制了開(kāi)關(guān)頻率，之前的技術(shù)要求設(shè)計(jì)人員在性能上做出妥協(xié)并使用復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。此外，電力電
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ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備，開(kāi)發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來(lái)，隨著節(jié)能意識(shí)的提高，在交流400V級(jí)工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來(lái)越廣。而另一方面，在工業(yè)設(shè)備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設(shè)計(jì)周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT

智能功率模塊適合中小功率應(yīng)用，ROHM 打造600 V耐壓產(chǎn)品

1? ?中小功率市場(chǎng)，IPM開(kāi)始流行隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及及用戶體驗(yàn)的提升，需要產(chǎn)品有更長(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間或工作時(shí)間，這無(wú)疑會(huì)增加電能的消耗，這就要求功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的效率越來(lái)越高；與此同時(shí)，新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)周期越來(lái)越短，需要快速的電源設(shè)計(jì)。因此，適合高效率且低功耗的、模塊化的智能功率模塊（IPM）開(kāi)始普及。IPM 不同于普通的功率模塊。普通功率模塊是把需要用到的功率器件集成在一個(gè)封裝里。對(duì)于應(yīng)用工程師，還需要匹配驅(qū)動(dòng)等外圍電路。IPM 不僅把功率器件集成進(jìn)去了，還把驅(qū)動(dòng)電路以及周邊的保護(hù)電路全部集成到了
關(guān)鍵字： 202106 智能功率模塊 IPM

在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)

摘要隨著汽車(chē)電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車(chē)輛給電網(wǎng)充電應(yīng)用也是方興未艾，越來(lái)越多的應(yīng)用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應(yīng)用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應(yīng)用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢(shì)，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導(dǎo)體進(jìn)行了輸出功率和開(kāi)關(guān)頻率比較。前言隨著汽車(chē)電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車(chē)輛給電網(wǎng)充電
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IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來(lái)監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測(cè)器可以用較低阻值，達(dá)到更高的檢測(cè)線性度。無(wú)論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計(jì)得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過(guò)熱或外部溫度過(guò)高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說(shuō)明功率模
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

集中供電電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*

用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應(yīng)具備不間斷供電的特性，能夠進(jìn)行電池充電及智能顯示。本文通過(guò)半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機(jī)，使用繼電器控制電路實(shí)現(xiàn)主備電無(wú)縫切換，使用電池充電電路對(duì)蓄電池進(jìn)行智能充電管理，最后搭建實(shí)際電路進(jìn)行驗(yàn)證。驗(yàn)證結(jié)果表明：設(shè)計(jì)的集中供電電源輸出性能指標(biāo)較高，且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
關(guān)鍵字：集中供電電源半橋拓?fù)?/a> 充電管理智能 202104 MOSFET IGBT

比亞迪半導(dǎo)體將發(fā)布新一代高性能IGBT

2018年比亞迪半導(dǎo)體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片，樹(shù)立了國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)級(jí)中高端IGBT芯片標(biāo)桿。歷時(shí)兩年積累沉淀，比亞迪半導(dǎo)體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區(qū)已經(jīng)匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè)，隨著西安研發(fā)中心大樓的落成，也標(biāo)志著比亞迪半導(dǎo)體正式入駐中國(guó)“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購(gòu)了寧波中緯。中緯賬面上最有價(jià)值的東西是源自臺(tái)積電淘汰的一條8英寸晶圓線，但這筆收購(gòu)給還給比亞迪帶來(lái)了晶圓車(chē)間、技術(shù)團(tuán)隊(duì)等資源。當(dāng)時(shí)長(zhǎng)三角地區(qū)是中國(guó)半導(dǎo)體制造的重要基地。彼時(shí)這些資
關(guān)鍵字：比亞迪 IGBT

為何智能功率模塊會(huì)盛行，ROHM的600V產(chǎn)品有哪些特色

1? ?低碳時(shí)代驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的變革當(dāng)前，世界各國(guó)以全球協(xié)約的方式減排溫室氣體，我國(guó)也提出了碳達(dá)峰和碳中和的目標(biāo)，這對(duì)電子產(chǎn)品的降低能耗提出了巨大挑戰(zhàn)。因?yàn)殡S著物聯(lián)網(wǎng)的普及，產(chǎn)品需要有更長(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間；由于產(chǎn)品的性能提高和功能豐富，也會(huì)增加工作能耗。這就需要功率轉(zhuǎn)換元器件和模塊的效率進(jìn)一步提升，因此，近年來(lái)IPM（智能功率器件）開(kāi)始盛行。2? ?適合小功率電機(jī)的IPM?IPM的優(yōu)勢(shì)是高效率、低功耗、模塊化。以空調(diào)市場(chǎng)為例，全球空調(diào)市場(chǎng)的出貨量這兩年約1.5億臺(tái)
關(guān)鍵字： IPM IGBT