igbt-ipm 文章進(jìn)入igbt-ipm技術(shù)社區(qū)

全力以赴抗疫情開足馬力促生產(chǎn)——華虹二廠投入再創(chuàng)新高

基于國內(nèi)外大客戶對(duì)高端功率半導(dǎo)體器件的旺盛需求，特別是超級(jí)結(jié)產(chǎn)品(SJ)和絕緣柵雙極型器件(IGBT)的應(yīng)用，華虹集團(tuán)旗下華虹二廠在2020年1月的投入再創(chuàng)新高，光刻層數(shù)達(dá)到了48萬！生產(chǎn)線在年度動(dòng)力檢修后已滿負(fù)荷運(yùn)行，在1月也取得了出貨6.12萬片晶圓的佳績！
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 IGBT SJ 華虹

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

　　王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川成都 610054）　　摘? 要：作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關(guān)速度，可能會(huì)引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會(huì)在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導(dǎo)。基于對(duì)公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動(dòng)態(tài)擴(kuò)展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時(shí)的可靠性?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT；
關(guān)鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性

東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡化設(shè)備設(shè)計(jì)

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。?GT20N135SRA產(chǎn)品圖GT20N135SRA的集電極-發(fā)射極的飽和電壓[1]為1.75V，二極管正向電壓[2]為1.8V，分別比東芝當(dāng)前產(chǎn)品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對(duì)高溫（TC=100℃）條件下的導(dǎo)通損耗特性進(jìn)行了改進(jìn)，而且新款I(lǐng)GBT還有助于降低設(shè)備功耗。該產(chǎn)品的結(jié)殼熱阻為0
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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
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同類最佳的超級(jí)結(jié)MOSFET和具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動(dòng)汽車充電樁

插電式混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(xEV)包含一個(gè)高壓電池子系統(tǒng)，可采用內(nèi)置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進(jìn)行充電。充電(應(yīng)用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開發(fā)高能效、高性能、具豐富保護(hù)功能的充電樁對(duì)于實(shí)現(xiàn)以盡可能短的充電時(shí)間續(xù)航更遠(yuǎn)的里程至關(guān)重要。常用的半導(dǎo)體器件有IGBT、超結(jié)MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導(dǎo)體為電動(dòng)汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過AEC車規(guī)認(rèn)證的超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，
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隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性

　　Thomas?Brand（ADI慕尼黑公司?現(xiàn)場應(yīng)用工程師）　　摘?要：探討了IGBT隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性。　　關(guān)鍵詞：IGBT；隔離式；柵極驅(qū)動(dòng)器　　在功率電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時(shí)間。然而，快速開關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器
關(guān)鍵字： 201909 IGBT 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

向小功率和大功率延伸三菱電機(jī)五大新品看點(diǎn)

在產(chǎn)業(yè)電子化升級(jí)過程中，作為電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)元器件之一的功率半導(dǎo)體器件越來越得到重視與應(yīng)用。而中國作為需求大國，已經(jīng)占有約39％的市場份額，在中國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵時(shí)期，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的需求將會(huì)越來越大。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受電壓能力達(dá)到6500V，并且實(shí)現(xiàn)了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) PCIM亞洲展 IGBT

變頻空調(diào)IPM可靠性研究與應(yīng)用

　　黎長源，李帥，項(xiàng)永金（格力電器（合肥）有限公司，安徽合肥 230088）　　摘要：針對(duì)空調(diào)用IPM模塊生產(chǎn)過程及運(yùn)輸周轉(zhuǎn)過程中出現(xiàn)IPM本體開裂問題，本文從IPM失效機(jī)理、器件結(jié)構(gòu)工藝設(shè)計(jì)、器件應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)質(zhì)量可靠性等方面進(jìn)行分析。通過器件失效機(jī)理、結(jié)構(gòu)對(duì)比、X光、機(jī)械應(yīng)力測試等對(duì)IPM器件本體全方位分析論斷，分析結(jié)果表明：IPM整體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)存在質(zhì)量缺陷，IPM抗機(jī)械應(yīng)力強(qiáng)度水平低，在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境中以較高的可靠性工作，本次IPM物理機(jī)械失效與器件本身設(shè)計(jì)質(zhì)量缺陷存在較大關(guān)聯(lián)；從器件本身可靠性設(shè)計(jì)、本
關(guān)鍵字：變頻空調(diào) IPM 開裂器件結(jié)構(gòu) 機(jī)械應(yīng)力 201907

IGBT場效應(yīng)管的工作原理及檢測方法

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達(dá)林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，具備易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點(diǎn)，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關(guān)斷晶閘管），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
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更換老化的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

電機(jī)用于電梯、食品加工設(shè)備、工廠自動(dòng)化、機(jī)器人、起重機(jī)……這樣的例子不勝枚舉。交流感應(yīng)電機(jī)在這種應(yīng)用中很常見，且總是通過用于電源級(jí)的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實(shí)現(xiàn)交流感應(yīng)電機(jī)所需的正弦電流。在設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí)，保護(hù)操作重型機(jī)械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應(yīng)考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離的重要任務(wù)由驅(qū)動(dòng)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)
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安森美半導(dǎo)體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器將在歐洲PCIM 2019推出

2019年4月30日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會(huì)推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，提供低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，用于多方面的電源應(yīng)用，包括那些將得益于更低反向恢復(fù)損耗的應(yīng)用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
關(guān)鍵字：安森美半導(dǎo)體 IGBT SiC肖特基二極管技術(shù)

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制

　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國慕尼黑）　　摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。　　關(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動(dòng)器；耐受性；隔離? ? &nb
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意法半導(dǎo)體的先進(jìn)IGBT專為軟開關(guān)優(yōu)化設(shè)計(jì) 可提高家電感應(yīng)加熱效率

　　意法半導(dǎo)體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER?IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關(guān)電路中實(shí)現(xiàn)最佳的導(dǎo)通和開關(guān)性能，提高諧振轉(zhuǎn)換器在16kHz-60kHz開關(guān)頻率范圍內(nèi)的能效?！　⌒翴H系列器件屬于意法半導(dǎo)體針對(duì)軟開關(guān)應(yīng)用專門優(yōu)化的溝柵式場截止(TFS) IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關(guān)應(yīng)用的半橋電路，現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員可以選用這些IGBT，來達(dá)到更高的能效等級(jí)。除新的IH系列外，意法半導(dǎo)體的軟開關(guān)用溝柵式場截止(TFS) IGBT系列產(chǎn)品
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2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

TrendForce在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》指出，受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣，其中離散式元件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年增長8%。
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 IGBT

變頻器中IGBT爆炸原因分析，深入透徹！

　　IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。下面，小編就結(jié)合案例具體分析一下?！　《x　　一、IGBT爆炸：因?yàn)槟承┰?，模塊的損耗十分巨大，熱量散不出去，導(dǎo)致內(nèi)部溫度極高，產(chǎn)生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸?！　《? IGBT爆炸原因分析　　1.爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過散熱功率，內(nèi)部原因應(yīng)該就是過熱?！　?.人為因素 (1)進(jìn)線接在出線的端子上(2)變頻器接錯(cuò)電源(3)沒按要求接負(fù)載3.常
關(guān)鍵字： IGBT，變頻器