lpddr5x dram 文章 進入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
爾必達擬增資187億日圓 金士頓成為金主
- 日本存儲器大廠爾必達(Elpida)將向存儲器模塊大廠金士頓(Kingston)發(fā)行新股與可轉(zhuǎn)換公司債，籌資187億日圓(約1.98億美元)，以作為2010年度中擴充廣島廠半導體尖端設(shè)備之用。而金士頓亦將因此握有爾必達4.79%的持股，成為爾必達的第6大股東。 此次，爾必達向金士頓發(fā)行的新股為647萬股，每股發(fā)行價格為1,805日圓，總額約117億日圓;另發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債約70億日圓。 金士頓為爾必達的主要客戶之1，金士頓希望透過注資爾必達，穩(wěn)定DRAM模塊貨源。而爾必達則為將廣島廠產(chǎn)線由
- 關(guān)鍵字： Elpida 存儲器 DRAM
三星電子芯片業(yè)務(wù)上半年利潤或超35億美元
- 受全球存儲芯片供應(yīng)短缺利好影響，三星電子存儲芯片業(yè)務(wù)增長明顯，預(yù)計其2010年上半年營業(yè)利潤有望超過4萬億韓元，約合35億美元。 三星公司消息人士稱，三星電子自身預(yù)估2010年全年的芯片業(yè)務(wù)營業(yè)利潤將最多可增至4.4萬億韓元，但韓國媒體報道稱，三星電子發(fā)言人拒絕就此事宜發(fā)表言論。 據(jù)悉，三星電子是目前全球最大的存儲芯片生產(chǎn)商，其09年在全球DRAM市場的份額從08年的29%增加至36%，而NAND閃存芯片市場份額則一直保持在40%左右。
- 關(guān)鍵字： 三星電子 存儲芯片 DRAM
三星電子：半導體廠房跳電損失估計不到90億韓元
- 三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 YonhapNews于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當?shù)貢r間
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND
LED市場持續(xù)火熱 臺資加速布局大陸設(shè)廠
- 隨著中國大陸LED市場迅速增長，臺資企業(yè)正在加快搶灘登陸的步伐，以期盡早在大陸LED產(chǎn)業(yè)卡位布局。比如日前廣東中山科技局的一位工作人員就告訴記者，現(xiàn)在可以明顯感受到，外資尤其是臺廠對中國大陸LED行業(yè)投資腳步的加快和投資力度的加大，早在2002年臺灣最大的封裝廠億光就在中山小欖設(shè)廠，而近來臺企投資腳步則更加頻繁。 如果細分近期有意向至大陸設(shè)廠的臺企，大體可分成三類：一是臺灣大型LED企業(yè)，為擴大產(chǎn)能需要，在大陸投資設(shè)廠。比如日前市場傳出臺灣LED外延大廠晶電計劃與封裝廠光寶攜手布局大陸LED市場
- 關(guān)鍵字： LED DRAM
三星跳電 存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。 三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時內(nèi)便恢復(fù)運作，估計此事件對公司營運影響不大。 存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM SDRAM 存儲器
供給有限、需求強勁 DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年
- 根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進難度高影響下，位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇，帶動消費者及企業(yè)換機潮，以及智能型手機帶動行動內(nèi)存需求大幅成長下則將動力強勁，預(yù)期未來三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機會連續(xù)獲利。 DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)過去十幾年來，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字： 智能手機 DRAM 40nm
三星美光反對擴大DRAM產(chǎn)能
- 近期內(nèi)存價格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來，好光景來之不易，不應(yīng)該一味擴大產(chǎn)能惡性競爭而重新導致DRAM內(nèi)存暴跌。 韓國三星半導體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉日前表示，DRAM制造商不應(yīng)該盲目擴大產(chǎn)能，而應(yīng)當把大規(guī)模投資放在提升技術(shù)水平上。美國美光官方近日也表示，今年無意擴大DRAM產(chǎn)能，而是將全力投入制造工藝升級，進一步增強其在DRAM市場的競爭力。臺灣力晶半導體董事長黃崇仁同樣認為，廠商們在對待產(chǎn)能的問題上應(yīng)當更加謹慎，避免重蹈當年的覆轍。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
英飛凌對爾必達提專利侵權(quán)訴訟 美ITC展開調(diào)查
- 據(jù)外電報道，美國國際貿(mào)易委員會(USITC)將對DRAM半導體、產(chǎn)品、記憶模塊展開調(diào)查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。 英飛凌方面稱，爾必達制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導體制程和元件制造方面4項重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。通過訴訟以尋求USITC下達禁令，禁止爾必達或以爾必達的名義，向美國進口侵犯英飛凌專利的DRAM半導體產(chǎn)品。 被調(diào)查的企業(yè)名單 USITC表示，將依據(jù)1930年美國關(guān)稅法第337條，對下列廠商展開調(diào)查，包括日商爾必
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 DRAM
芯片缺很大 電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦
- 由于ODM/OEM廠對第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺貨問題持續(xù)延燒，除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外，電源管理IC、NOR閃存、LCD驅(qū)動IC、功率放大器(PA)等產(chǎn)品線均出現(xiàn)供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續(xù)漲價5%至10%,但電子終端產(chǎn)品價格并未跟進調(diào)漲，顯示今年電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦已成定局。 根據(jù)通路業(yè)者指出，今年中國農(nóng)歷年期間因終端市場需求強勁，大幅去化芯片庫存，去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場效晶體管(MOSFET)等，現(xiàn)在仍有10%左右的供給缺口，另包括電源
- 關(guān)鍵字： 電源管理 NOR閃存 DRAM
三星、力晶猛喊節(jié)制擴產(chǎn) DRAM廠：高手過招戲碼
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺參加全球半導體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風向球。權(quán)五鉉表示，2010年下半DRAM價格可以維持穩(wěn)定，未來DRAM業(yè)者不應(yīng)一昧地追求價格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴充產(chǎn)能;力晶董事長黃崇仁在現(xiàn)場亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴產(chǎn)，要追求合理價格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠高層過招，成為整個論壇最大高潮。 權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導體市場及
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM DDR3
DRAM好 3年LED電視滲透率升
- 美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天，會場聚焦DRAM、手機和LED產(chǎn)業(yè)，業(yè)者紛紛釋出樂觀看法，包括DRAM未來2、3年產(chǎn)業(yè)展望都樂觀，LED背光液晶電視年底滲透率上看35%. 美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天，今天會議部份正式展開，并邀請到意法半導體(STMicroelectronics)與恒憶公司(Numonyx)顧問暨前任資深主管Rolf Seibl演講，暢談中國大陸山寨手機市場。他指出，中國手機市場有8成是山寨手機，所以聯(lián)發(fā)科市場廣大。 今天受邀出席論壇演講的華亞科總經(jīng)理高啟全指出
- 關(guān)鍵字： Numonyx DRAM LED 手機
IC Insight大幅提高2010年全球半導體增長預(yù)測達27%
- 市場調(diào)研公司IC Insight調(diào)整2010年全球半導體銷售額的預(yù)測, 估計增長27%,達2530億美元。 并同時預(yù)測2011年半導體銷售額再增長15%,達2900億美元。 按IC Insight的最新說法表明比之前較好的2007年的2340億美元還好, 達到近期單年的最高增長值。 按SIA的數(shù)據(jù)IC Insight曾在今年1月時預(yù)測2009年全球半導體下降9%,及2010年增長15%的預(yù)測, 此次又作了新的調(diào)整。 推動今年半導體增長的主要動力來自全球DRAM產(chǎn)業(yè), 由于其
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM 存儲器
lpddr5x dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
lpddr5x dram相關(guān)帖子
lpddr5x dram資料下載
lpddr5x dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473