lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
DRAM跌價(jià)襲擊 模塊廠1月營收處變不驚
- 2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會(huì)被DDR2價(jià)格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對(duì)吃緊。 存儲(chǔ)器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個(gè)股本，但2010年1月立
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND DDR3
設(shè)備交期拉長 恐影響設(shè)備業(yè)2010年成長力道
- 近期晶圓代工、DRAM等科技大廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃不斷，不少業(yè)者的機(jī)臺(tái)進(jìn)廠時(shí)間落在下半年，從目前的設(shè)備交期6~9個(gè)月來推算，部分機(jī)臺(tái)交貨時(shí)間恐怕落到2011年。 在2010年科技業(yè)大擴(kuò)產(chǎn)風(fēng)潮下，市場(chǎng)紛紛看好設(shè)備業(yè)業(yè)績可望較2009年成長4~5成，不過近期在關(guān)鍵設(shè)備交期拉長到6~9個(gè)月的隱憂下，設(shè)備業(yè)者已開始擔(dān)憂，交期拉長恐怕使部分原本可在2010年交貨的機(jī)臺(tái)，延后到2011年，使全年業(yè)績成長幅度受到壓抑。 設(shè)備短缺現(xiàn)象自2009年第4季就已出現(xiàn)，尤其是關(guān)鍵機(jī)臺(tái)包括LED的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MO
- 關(guān)鍵字： MOCVD，晶圓代工 DRAM
DDR3來臨 2010年DRAM市場(chǎng)云開月明
- 2009年DRAM 市場(chǎng)烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時(shí)期，終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。 三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達(dá)22 億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。 DDR3 來臨 第三季度，下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli 公司預(yù)測(cè)，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過DDR2。 三星在 DDR3
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3
機(jī)臺(tái)交期延 DRAM廠制程微縮絆腳石
- 2010年臺(tái)DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤式微顯影(Immersion Scanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華亞科之前亦傳出機(jī)臺(tái)交貨不及，公司則澄清前期機(jī)臺(tái)已順利拉進(jìn)來，轉(zhuǎn)換制程進(jìn)度一切正常。 DRAM廠決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)最大挑戰(zhàn)是資金問題，其中，機(jī)臺(tái)購置成本占相當(dāng)大比重，由于1臺(tái)機(jī)臺(tái)設(shè)備動(dòng)輒要價(jià)新臺(tái)幣10億元，且每臺(tái)機(jī)器產(chǎn)能約僅1萬片，若1座產(chǎn)能達(dá)10萬片的12寸
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM
南亞科擴(kuò)建12寸廠 全球市占挑戰(zhàn)10%
- 南亞科將逆勢(shì)擴(kuò)建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬片擴(kuò)增至5萬~6萬片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴(kuò)產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產(chǎn)能(加計(jì)華亞科)約9.5萬片，以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬片計(jì)算，南亞科擴(kuò)產(chǎn)后，全球市占率將首度挑戰(zhàn)10%，成為臺(tái)塑集團(tuán)在 DRAM產(chǎn)業(yè)重要里程碑。 DRAM廠喜迎產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇，但苦于無錢擴(kuò)增產(chǎn)能，2009年下半除趕緊將減產(chǎn)的產(chǎn)能回復(fù)，對(duì)于制程演進(jìn)亦快馬加鞭，包括美光(Micron)、爾必達(dá)(Elpida)陣營2010年紛宣布要轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米制程世代
- 關(guān)鍵字： 南亞科 DRAM
4大DRAM陣營競(jìng)爭(zhēng)激烈 美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米
- 2010年4大DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代!繼爾必達(dá)跳過50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競(jìng)爭(zhēng)力有十足把握;在爾必達(dá)、美光跟上制程進(jìn)度后，年底4大陣營技術(shù)實(shí)力大幅縮小，競(jìng)爭(zhēng)更激烈。 雖然三星電子和海力士已先一步轉(zhuǎn)到40納米世代，其中三星是
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM 40納米
海力士第4季獲利6,570億韓元 創(chuàng)3年新高
- 全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。 2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因?yàn)镈RAM及NAND Flash存儲(chǔ)器出貨量成長，同時(shí)，DRAM平均售價(jià)也上揚(yáng)，此外，第4季海力士凈利為6,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。 和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價(jià)及出貨量分別成長26%及12%，至于N
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM NAND
三星將向Rambus支付9億內(nèi)存專利授權(quán)費(fèi)以達(dá)成和解
- 韓國三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權(quán)官司達(dá)成和解協(xié)議，三星公司將在五年之內(nèi)逐步向Rambus公司支付總額達(dá)9億美金的專利授 權(quán)費(fèi)用.據(jù)協(xié)議規(guī)定，三星將首先一次性支付給Rambus公司2億美元，并在此后的5年之中以平均每季度支付2500萬美元的方式逐步將剩下的金額以專利授權(quán)費(fèi)的形式支付給對(duì)方，其中包括一筆用于購買三星現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品所使用的Rambus專利終身授權(quán)的資金。另外，協(xié)議還規(guī)定三星將向Rambus公司投資2億美元。 據(jù)Rambus公司高級(jí)副總裁Sharon Holt
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 內(nèi)存
廠商采取搭售策略 挽回DDR2銷售頹勢(shì)
- 全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫存越來越多，近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購買DDR3模塊，由于DDR3模塊在現(xiàn)貨市場(chǎng)貨源奇缺，使得部分下游通路商亦跟進(jìn)DRAM大廠，采取搭售策略，希望在DDR2與DDR3 模塊世代交替的同時(shí)，避免產(chǎn)品價(jià)格嚴(yán)重背道而馳。 近期DRAM市場(chǎng)已呈現(xiàn)兩極化發(fā)展，DDR3芯片市場(chǎng)缺貨情況持續(xù)惡化，但DDR2芯片庫存卻是愈堆愈多，存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3
DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能
- 據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。 根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場(chǎng)市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%， 海力士也將增加NAND Flash產(chǎn)能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計(jì)劃倍增NAND
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM 存儲(chǔ)器
海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供不應(yīng)求可能有助于利潤創(chuàng)下4年來新高，全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士計(jì)劃今年償還逾1萬億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。 海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時(shí)表示，“我們的目標(biāo)是，在進(jìn)行必要投資的同時(shí)償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬億韓元(約合62.16億美元)。” 更少的債務(wù)和更高的利潤有助于海力士吸引其他收購方。去年11月，曉星公司撤消了收購海力士的收購要約。分析師稱，由于PC需求增長，今年
- 關(guān)鍵字： DRAM 內(nèi)存芯片 DDR3
臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
- 2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報(bào)道，臺(tái)灣力晶(PSC)半導(dǎo)體以及他們和日本爾必達(dá)合資的瑞晶電子(Rexchip)預(yù)計(jì)，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例 將超過70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。 另一家DRAM大廠
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3
為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
- 存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM NAND NOR SRAM
365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂
- 2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價(jià)還在0.5美元，當(dāng)時(shí)生產(chǎn)成本還在2美元，可見虧損有多嚴(yán)重，各廠只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問題延伸至臺(tái)、美、日DRAM廠大整合階段，也演變成國與國之間的戰(zhàn)爭(zhēng)。但到了年底，DRAM廠又開始生龍活虎起來，中間歷程看似短短 365天，但個(gè)中辛酸DRAM廠冷暖自知，未來各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進(jìn)在通往天堂的路上。 365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺(tái)幣1億元、每1季虧損超過百億元的DRAM
- 關(guān)鍵字： Microsoft DRAM DDR
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