lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
iSuppli預(yù)計(jì)今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)將增40%
- 2月24日消息，市場(chǎng)研究公司iSuppli預(yù)計(jì)，今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)增幅將超過40%，也是3年來的首次增長(zhǎng)。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，iSuppli表示，今年全球DRAM內(nèi)存芯片銷售額將增長(zhǎng)至319億美元，2009年、2008年和2007年DRAM內(nèi)存芯片銷售額分別下滑了3.7%、25.1%和7.5%。 iSuppli分析師邁克·霍華德當(dāng)?shù)貢r(shí)間上周四說，“今年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將繼續(xù)去年第四季度的增長(zhǎng)趨勢(shì)，增長(zhǎng)40%。” 推動(dòng)去年第四季度DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM 內(nèi)存芯片
英飛凌向爾必達(dá)提出專利侵權(quán)訴訟
- 英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)遞交起訴書，稱爾必達(dá)(Elpida Memory Inc.)制造并向美國(guó)進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面四項(xiàng)重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。 英飛凌公司管理委員會(huì)成員兼銷售、營(yíng)銷、技術(shù)與研發(fā)負(fù)責(zé)人Hermann Eul博士指出：“英飛凌在業(yè)界一直處于先進(jìn)半導(dǎo)體制程的領(lǐng)先地位。我們將盡力保護(hù)我們通過持續(xù)研發(fā)所獲得的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。&rdqu
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 DRAM
iSuppli：2010年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將增長(zhǎng)40%
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli稱，經(jīng)過連續(xù)三年的下降之后，DRAM內(nèi)存市場(chǎng)2010年的銷售收入將達(dá)到319億美元，增長(zhǎng)40%。 iSuppli負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存業(yè)務(wù)的高級(jí)分析師Mike Howard在聲明中說，2010年將在2009年第四季度增長(zhǎng)的基礎(chǔ)上繼續(xù)增長(zhǎng)。2009年第四季度整個(gè)DRAM內(nèi)存行業(yè)的銷售收入環(huán)比增長(zhǎng)了40%。 Howard指出出貨量的增長(zhǎng)和平均銷售價(jià)格的提高是這種增長(zhǎng)的主要原因。 2009年第四季度是DRAM內(nèi)存行業(yè)在最近的記憶中表現(xiàn)最好的一個(gè)季度。據(jù)iSuppli稱，20
- 關(guān)鍵字： Elpida DRAM 內(nèi)存
海力士：DRAM恐供給過剩
- DRAM廠普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發(fā)出警語，認(rèn)為今年DRAM恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 全球DRAM龍頭三星上周才公開表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警語，看法與三星大為迥異。 外電報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時(shí)透露，由于各大芯片廠都大舉擴(kuò)大資本支出，擔(dān)心DRAM會(huì)供給過剩;不過，他認(rèn)為儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)需求仍會(huì)不錯(cuò)。
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM
美光、南亞科攜手42納米 加入DRAM新技術(shù)戰(zhàn)局
- 美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn)，今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問世，同時(shí)也全面導(dǎo)入銅制程技術(shù)，與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(dá)(Elpida)45納米相比，美光陣營(yíng)的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產(chǎn)出數(shù)量最多，預(yù)計(jì)在2010年第2季試產(chǎn)，而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導(dǎo)入42納米制程，與爾必達(dá)旗下力晶和瑞晶導(dǎo)入45納米的時(shí)間點(diǎn)相仿。 2010 年DRAM市場(chǎng)50
- 關(guān)鍵字： Micron 40納米 DRAM
海力士反行業(yè)主流看法：今年DRAM芯片恐將過剩
- 2月9日消息，據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)出警告，認(rèn)為今年DRAM芯片恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警告，看法與三星大為迥異。海力士發(fā)警告，將牽動(dòng)南科、華亞科、力晶以及創(chuàng)見、威剛等臺(tái)灣內(nèi)存企業(yè)發(fā)展計(jì)劃。 外電報(bào)道，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲在接受媒體採(cǎi)訪時(shí)透露，由于各大晶片廠都大舉擴(kuò)大資本支出，擔(dān)心DRAM芯片會(huì)供給過剩
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM
應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機(jī)密被捕
- 據(jù)報(bào)道，韓國(guó)檢方近日逮捕了兩名美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機(jī)密并出售給了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手海力士。 美國(guó)證券交易委員會(huì)的報(bào)告顯示，Applied已經(jīng)確認(rèn)此事，并透露說其中一人是前應(yīng)用材料韓國(guó)(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁，另一名則是應(yīng)用材料韓國(guó)子工廠的高管。 應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國(guó)檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 DRAM NAND
DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過DDR3
- 報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價(jià)格有望在今年下半年超過DDR3。 Simon Chen認(rèn)為，DDR2在低端PC市場(chǎng)還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價(jià)格低于2美元，那么它需求將會(huì)出現(xiàn)大幅度增長(zhǎng)。 Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過工藝升級(jí)的方式來加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過這種升級(jí)或許會(huì)因?yàn)槠渌O(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。 根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測(cè)，1Gb DDR2
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3 DDR2
美國(guó)09年專利前25名出爐 三星電子緊隨IBM
- 湯森路透知識(shí)產(chǎn)權(quán)解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級(jí)專利權(quán)人》(2009 Top Patentees) 的分析結(jié)果，對(duì)過去一年在美國(guó)獲得專利最多的前25家公司進(jìn)行排名。這項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)，在這25家頂級(jí)公司中，無一家中國(guó)大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國(guó)IBM公司以4843項(xiàng)專利位列第一， 韓國(guó)三星電子和美國(guó)微軟公司分別位列第二和第三，這份25大專利權(quán)名單還包括11家日本公司，中國(guó)臺(tái)灣、芬蘭和德國(guó)各一家公司。 2009年美國(guó)專利權(quán)人 TOP25 亞洲公司目前已經(jīng)占據(jù)了專利權(quán)名單的56%，而日
- 關(guān)鍵字： 三星電子 芯片 LCD DRAM
三星發(fā)布全球首顆30nm級(jí)工藝DDR3內(nèi)存芯片
- 三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級(jí)別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認(rèn)證。注意這里說的是30nm級(jí)別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級(jí)別的。 三星這種30nm工藝級(jí)DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級(jí)可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM 30nm DDR3
三星的“致命傷”——過渡依賴芯片產(chǎn)品
- 導(dǎo)讀：《朝鮮日?qǐng)?bào)》今日撰文稱，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列，但公司銷售業(yè)績(jī)?cè)诤艽蟪潭壬弦蕾囉谛酒a(chǎn)品，而芯片的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)容易根據(jù)市場(chǎng)環(huán)境起伏不定，這也被認(rèn)為是三星的“致命弱點(diǎn)”。如果現(xiàn)在放松警惕，今后可能會(huì)面臨更大的危機(jī)。 以下為全文： 三星電子在韓國(guó)企業(yè)史上第一個(gè)實(shí)現(xiàn)“銷售額100萬億韓元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)10萬億韓元”的業(yè)績(jī)，成為世界最大的電子企業(yè)。但英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》29日?qǐng)?bào)道稱：“從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
- 關(guān)鍵字： 三星電子 芯片 LCD DRAM
40納米成DRAM廠流行口號(hào)
- 近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(dá)(Elpida)說起。因?yàn)闋柋剡_(dá)2009年沒錢轉(zhuǎn)進(jìn)50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過50納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營(yíng)，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導(dǎo)入，讓整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米都還沒看到影子時(shí)，又冒出一堆40納米的話題，但40納米能為DRAM產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機(jī)會(huì)大量生產(chǎn)，其它陣營(yíng)的40納米技術(shù)，都是口頭說說成分居多。
- 關(guān)鍵字： DRAM 40納米
LSI 針對(duì)企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)應(yīng)用擴(kuò)展定制 IP 產(chǎn)品系列
- LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內(nèi)核和高速嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊，進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內(nèi)核和內(nèi)存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級(jí)交換機(jī)、路由器、RAID 存儲(chǔ)器、服務(wù)器以及基站等高性能應(yīng)用中的高級(jí)網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)SoC 的開發(fā)。 定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對(duì)計(jì)算密集型應(yīng)用開發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
- 關(guān)鍵字： LSI DRAM 內(nèi)存模塊 PowerPC476
DRAM迎來希望之光 年底將“春光燦爛”
- 在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來就不錯(cuò)了。 但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。 DDR3來臨 第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測(cè)，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3 DDR2
lpddr5x dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
lpddr5x dram相關(guān)帖子
lpddr5x dram資料下載
lpddr5x dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473