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          UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能 1200 V第四代SiC FET
          
                                                            
            
                    	
          • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
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          • 關鍵字：
                        SiC  FET                          
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          場效應管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開關導通
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 1、放大電路場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛，如下圖是主要是由場效應管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調標尺工序。由于場
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  MOS  場效應管                          
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          開關電源MOS管有哪些損耗，如何減少MOS管損耗
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 一、什么是開關電源開關模式電源（SwitchModePowerSupply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是一種高頻化電能轉換裝置，是電源供應器的一種。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構轉換為用戶端所需求的電壓或電流。開關電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設備，例如個人電腦，而開關電源就進行兩者之間電壓及電流的轉換。二、開關損耗開關損耗包括導通損耗和截止損耗。1、導通損耗指功率管從截止到導通時,所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止
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          • 關鍵字：
                        開關電源  MOS  MOSFET                          
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          采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開關技術的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權衡取舍，一個好例子是既要求達到服務器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會通過升壓轉換器部分實施PFC，升壓轉換器會將整流后
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          • 關鍵字：
                        SiC FET  PFC                          
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          揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結構
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • GAA FET將取代FinFET，但過渡的過程將是困難且昂貴的。
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          • 關鍵字：
                        3nm FinFET  GAA FET  晶體管                          
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          模電設計的九個級別，你到哪個段位了？
          
                                                            
            
                    	
          • 模擬電路設計的九個級別，類似下圍棋的段位。請從一段到九段仔細閱讀，看看自己處于什么水平，值得一看哦~
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          • 關鍵字：
                        模電  模擬電路  MOS                          
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          TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會？此次GaN FET的突破性技術是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領
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          • 關鍵字：
                        GaN  FET  SiC                          
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          5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
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          • 關鍵字：
                        EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET                          
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          寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
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          • 關鍵字：
                        IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS                          
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          電源管理設計小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓撲選擇
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 離線電源是最常見的電源之一，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉換器的需求也越來越大。對于這些應用程序，最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時，反激通常是任何低功耗離線轉換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設終端設備是一個智能燈開關，用戶可以通過智能手機的應用程序進行控制。在這種情況下，用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對于離線電源來說，反激拓撲是一個合理的解決方案，因為它的物料清單（BOM
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          • 關鍵字：
                        BOM  FET  VDD                          
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          超低靜態(tài)功耗、內置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應用范圍及更低的價格需求，金升陽推出超低靜態(tài)功耗、內置高壓MOS且性價比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應用于中小功率AC/DC反激式開關電源的高性能電流模式PWM控制器，內置高壓功率MOS，最大輸出功率達20W，待機功耗＜75mW，具有極低的啟動電流和工作電流，可在實現(xiàn)低的損耗的同時保證可靠啟動。芯片滿載工作時，PWM開關頻率固定；降低負載后，進入綠色模式，開關頻率降低；在空載和輕載時，
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          • 關鍵字：
                        EMI  PWM  MOS                          
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          Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
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          • 關鍵字：
                        Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件                          
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          對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據(jù)雙向開關的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應管（FET），因此從有刷電流轉向無刷電流意味著全球電動工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍（見圖1）。圖1：從有刷拓撲轉換到無刷拓撲意味著FET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設計在這些FET上提出了新的技術要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
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          • 關鍵字：
                        FET  BLDC                          
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          工程師必須掌握的MOS管驅動設計細節(jié)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間，有結電容存在。這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單......
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          • 關鍵字：
                        MOS  MOSFET                          
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          看看國外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇，在其中報告半導體、電子元件技術、設計、制造、物理與模型等領域中的技術突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International 
Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM)　　在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學界的管理者、工程師和科學家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術、先進內存、顯示、感測器、微機電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學現(xiàn)象、光電工程、
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          • 關鍵字：
                        DRAM  GAA-FET                          
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