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你造嗎？四大MOSFET實(shí)用技巧

　　MOSFET是一個(gè)時(shí)代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為工程師們的首選。　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問(wèn)起MOS管的事情，有很多童靴對(duì)MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說(shuō)幾個(gè)關(guān)于MOSFET的技巧的幾個(gè)實(shí)用技巧的事情。　　為了把問(wèn)題說(shuō)的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道
關(guān)鍵字： MOSFET MOS

分立器件的創(chuàng)新這樣體現(xiàn)在性能、效率、成本和交貨的完美契合

　　在人們的印象中，東芝NAND Flash(閃存)享譽(yù)世界。其實(shí)，東芝的分立器件也在市場(chǎng)上占有重要位置。　　
關(guān)鍵字：東芝 LED 晶圓 MOS 分立器 201411

CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

　　1　引　言　　靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計(jì)者主要考慮的問(wèn)題。　　2　ESD保護(hù)原理　　ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
關(guān)鍵字： CMOS ESD MOS

LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)小Tips：不可不知的5大關(guān)鍵點(diǎn)

　　1、芯片發(fā)熱　　這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的
關(guān)鍵字： LED MOS 變壓器

基于場(chǎng)效應(yīng)管的功率放大器設(shè)計(jì)

摘要：用場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)出有膽味的音頻功率放大器。前級(jí)采用單管、甲類，后級(jí)采用甲乙類推挽放大技術(shù)。實(shí)驗(yàn)證明差分放大器使用的對(duì)管的一致性與整機(jī)的失真程度密切相關(guān)。從聽音效果來(lái)看，末級(jí)電流200mA是理想值。前后級(jí)間耦合電容對(duì)聽音影響較大，要求質(zhì)量高些。對(duì)于音頻功率放大器而言，最好聽的莫過(guò)于甲類放大器。根據(jù)頻率分析的結(jié)果，由集成運(yùn)算放大器構(gòu)成的前級(jí)聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級(jí)采用單管甲類放大器，后級(jí)采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
關(guān)鍵字： FET 場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器

一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介

因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設(shè)備。由于未來(lái)CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì)遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，于是采用襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計(jì)就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號(hào)加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號(hào)通路上得以避開。襯底驅(qū)動(dòng)MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也就是一個(gè)耗盡型器件，它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
關(guān)鍵字： MOS CMOS

用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)的幾種方法

隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會(huì)耗掉很多的能源，不僅浪費(fèi)還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來(lái)了一些獨(dú)特的工程技術(shù)挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計(jì)是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)。為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實(shí)現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會(huì)在汽車停下來(lái)時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī)，當(dāng)腳從剎車踏板移動(dòng)
關(guān)鍵字： P-FET MOSFET

一種可程控調(diào)制脈沖電源模塊的研制

脈沖電源是脈沖制式供電方式裝備必不可少的供電電源。本文對(duì)脈沖電源特點(diǎn)及主要參數(shù)的影響原因進(jìn)行分析，給出了一種脈沖電源的電路方案。重點(diǎn)分析輸出脈沖電壓跌落幅度產(chǎn)生原因及解決方法，總結(jié)了實(shí)用的脈沖電源工程設(shè)計(jì)方法。
關(guān)鍵字：電源 MOS 脈沖電壓跌落幅度脈沖電源 201405

一種抗機(jī)載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案

　　為了解決現(xiàn)有浪涌保護(hù)電路可靠性差、專用模塊體積龐大以及效率低的問(wèn)題，提出一種抗機(jī)載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案。其設(shè)計(jì)思路從以下幾個(gè)方面考慮：(1)能夠承受航空供電系統(tǒng)中80V/50ms過(guò)壓浪涌且能正常工作;(2)外圍電路較為簡(jiǎn)單，通過(guò)分離元器件可實(shí)現(xiàn)抗浪涌功能;(3)構(gòu)建的電路占用體積僅為專用模塊的50%～60%左右;(4)正常工作時(shí)，電路轉(zhuǎn)換效率能達(dá)到90%以上;80V/50ms的高壓浪涌電壓時(shí)，電路轉(zhuǎn)換效率能達(dá)到80%以上
關(guān)鍵字： PCB MOS 恒流源

新電源模塊如何解決關(guān)鍵設(shè)計(jì)問(wèn)題

新型靈活應(yīng)用的高密度電源模塊現(xiàn)在能夠以易于使用的集成封裝提供先進(jìn)的電熱性能。系統(tǒng)性能的提升促進(jìn)了對(duì)更高功率電源的要求，以及由于需要快速實(shí)現(xiàn)收入的壓力迫使設(shè)計(jì)人員縮短開發(fā)周期，從而對(duì)全功能、快速實(shí)現(xiàn)電源解決方案的需要呈激增之勢(shì)。電源模塊可以解決這些問(wèn)題，并提供系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員所需的靈活性和性能，幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
關(guān)鍵字：新電源 FET ISL8225

移動(dòng)電源方案技術(shù)深度剖析連載一：小米10400

　　引言：　　鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動(dòng)電源方案知識(shí)甚少，而移動(dòng)電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動(dòng)電源網(wǎng)開設(shè)移動(dòng)電源方案技術(shù)篇連載，對(duì)目前市面主流品牌，暢銷產(chǎn)品等移動(dòng)電源方案一一深度剖析，與移動(dòng)電源設(shè)計(jì)師和技術(shù)迷們一起分享!我們首款產(chǎn)品就選目前最熱門的小米10400mAh移動(dòng)電源吧?！　≌模骸　∫苿?dòng)電源網(wǎng)獨(dú)家撰稿，轉(zhuǎn)載請(qǐng)保留出處鏈接?！　〈蠹液?我是來(lái)福，移動(dòng)電源資深技術(shù)愛好者，鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動(dòng)電源方案知識(shí)甚少，而移動(dòng)電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動(dòng)電源網(wǎng)開設(shè)移動(dòng)電源方案技術(shù)篇連載，
關(guān)鍵字：小米 10400 BQ24195 ABOV MOS

Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負(fù)載開關(guān)

　　2014年3月17日Silego于美國(guó)加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負(fù)載開關(guān)每條通道最高電流可達(dá)到?4.5A?、總電流高達(dá)9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、外形尺寸最小同時(shí)可靠性提高?！　LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
關(guān)鍵字： Silego FET SLG59M1527V

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-2

在上一個(gè)帖子當(dāng)中我們見到了MOS管。下面我們來(lái)看一看用它完成的一個(gè)最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： MOS CMOS 反相器電路 NMOS

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-1

在下面的兩個(gè)帖子當(dāng)中，我將簡(jiǎn)短地介紹構(gòu)成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，這相當(dāng)于IC設(shè)計(jì)中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
關(guān)鍵字： CPU IC設(shè)計(jì) 單晶硅 MOS 硅

研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現(xiàn)石墨烯能隙

　　韓國(guó)蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實(shí)現(xiàn)基于石墨烯的場(chǎng)效電晶體(FET)制造與設(shè)計(jì)。　　由Jong-BeomBaek主導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡(jiǎn)單溶劑熱反應(yīng)，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。　　石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)后，已經(jīng)開發(fā)出各種方法來(lái)制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
關(guān)鍵字：石墨烯 FET