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          集成智能——第1部分:EMI管理

          •   智能集成電機驅(qū)動器和無刷直流(BLDC)電機可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?! D1所示為集成電機驅(qū)動器結(jié)合驅(qū)動電機所需的一切要素,如場效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動器和狀態(tài)機。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機的布線距離過長,并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點?! LDC電機在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗以及更好的EMI性能?! D1:智能集成BLDC電機驅(qū)動器  集成智能系列博
          • 關(guān)鍵字: BLDC  FET  

          使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

          • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
          • 關(guān)鍵字: FET  雙極性晶體管  緩沖電路  寬帶  

          如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

          • 如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時,你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。
          • 關(guān)鍵字: FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

          揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

          • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進步推動了這一進展,并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動汽車。隨著技術(shù)的最新進展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
          • 關(guān)鍵字: 電池管理系統(tǒng)  FET  FET驅(qū)動器  

          如何設(shè)計防反接保護電路?

          • 如何設(shè)計防反接保護電路?-利用MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
          • 關(guān)鍵字: mos  

          揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

          • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關(guān)電源設(shè)備中,MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對電源設(shè)計工程師至關(guān)重要。
          • 關(guān)鍵字: MOS  電源  

          MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

          • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展,為了提高集成電路的集成度,同時提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不斷縮小,MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
          • 關(guān)鍵字: MOS  FinFET  

          拯救EMI輻射超標,開關(guān)電源能做點啥?

          • 作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強度較大;干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾;而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了PCB分布
          • 關(guān)鍵字: EMI  開關(guān)電源  MOS  

          DC-DC電路當中同步與非同步的差異講解

          • 在開關(guān)電源電路設(shè)計當中,電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見的一種設(shè)計。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換,是指將一個電壓值轉(zhuǎn)化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計在開關(guān)電源當中非常常見,也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計,本篇文章將為大家介紹這種電路當中非同步與同步的區(qū)別。
          • 關(guān)鍵字: DC-DC  MOS  同步  開關(guān)電源  非同步  

          為IC設(shè)計減少天線效應(yīng)

          • 如同摩爾定律所述,數(shù)十年來,芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知,這種高速成長的趨勢總有一天會結(jié)束,只是不知道當這一刻來臨時,芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展,芯片密度不斷增加,而閘級氧化層寬度不斷減少,超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應(yīng)變得原來越重要且難以控制,天線效應(yīng)便是其中之一。
          • 關(guān)鍵字: IC設(shè)計  天線  天線效應(yīng)  充電損害  MOS  

          FET知識:采用結(jié)型FET實現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

          •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接,以構(gòu)成CR的連接方式。此時,為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式?! ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反?! ET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
          • 關(guān)鍵字: FET  放大電路  

          使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

          • 該電路采用衰減場效應(yīng)晶體管(FET)分流信號到地面。這個R2是用來控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來源的電壓信號來控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負面的信號電壓會(你可以用DAC采用對稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
          • 關(guān)鍵字: FET  壓控衰減器  

          單片機設(shè)計注意要點

          • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點:采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿足時序的要求,這樣單片機的工作電流可以變得更低,最重要的是VDD到VSS的電流峰值會更小。
          • 關(guān)鍵字: 單片機  FET  穿通電流  工作頻率  

          學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET

          •   導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體   硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間,用于制造半導(dǎo)體器件的原材料,具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量,并可控制電流動的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。        根據(jù)電流流動的構(gòu)造,可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類。   半導(dǎo)體的電流流通原理   (1) N型半導(dǎo)體   圖1是在硅晶
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  FET  
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