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mos-fet 文章進(jìn)入mos-fet技術(shù)社區(qū)

汽車啟動(dòng)/停止系統(tǒng)電源方案

為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應(yīng)用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車停下來時(shí)，這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車踏板移向油門踏板時(shí)，就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
關(guān)鍵字： MOSFET 二極管 PCB 穩(wěn)壓器 P-FET

如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：反向轉(zhuǎn)換器 FET 關(guān)斷電壓緩沖漏極電感

經(jīng)典FET輸入甲類前級(jí)

經(jīng)典FET輸入甲類前級(jí)本電路是參照《無線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級(jí)純A類分立件前級(jí)放大 ...
關(guān)鍵字： FET 甲類前級(jí)

車載筆記本電源的設(shè)計(jì)制作

此電源有兩種，輸入電壓不同分為12V和24V兩種，輸出電壓均為19V。一、12V轉(zhuǎn)19V電路電路如上圖，此電路屬升壓型...
關(guān)鍵字：車載筆記本 MOS IC器件

eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
關(guān)鍵字： eGaN FET 硅功率器轉(zhuǎn)換器

正確的同步降壓FET時(shí)序設(shè)計(jì)

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過渡階...
關(guān)鍵字：同步降壓 FET 時(shí)序設(shè)計(jì)

SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較

引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為...
關(guān)鍵字： SJ-MOS VDMOS

電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過渡階段：低...
關(guān)鍵字： FET MOSFET 電源設(shè)計(jì)小貼士德州儀器

電源設(shè)計(jì)：正確地同步降壓 FET 時(shí)序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過渡階段：低...
關(guān)鍵字：電源設(shè)計(jì) 同步降壓 FET 時(shí)序

X-FAB發(fā)表XT018獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對(duì)抗電磁干擾的卓越性。
關(guān)鍵字： X-FAB XT018 MOS

德州儀器推出最靈活PFET高側(cè)負(fù)載開關(guān)

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側(cè)負(fù)載開關(guān)。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關(guān)的最靈活替代產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： TI TPS27081A FET

將光電FET光耦用作一個(gè)線性壓控電位器

光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
關(guān)鍵字： FET 光電電位器光耦

基于優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)。　　AC/DC平均系統(tǒng)
關(guān)鍵字：改善能量效率開關(guān) FET 優(yōu)化變換器基于

設(shè)計(jì)主電源和備用電源之間的FET-OR電路開關(guān)

圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動(dòng)切換的場(chǎng)合，包括電池供電存儲(chǔ)器電...
關(guān)鍵字：主電源備用電源 FET-OR

舞臺(tái)功放MOS管改裝介紹

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
關(guān)鍵字：介紹改裝 MOS 功放舞臺(tái)

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