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          MOS—FET甲乙類功率放大器

          MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(三)

          • 相對(duì)通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路這里只針對(duì)NMOS...
          • 關(guān)鍵字: MOS  驅(qū)動(dòng)電路  

          MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(二)

          • 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng),有幾個(gè)特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于...
          • 關(guān)鍵字: MOS  

          MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(一)

          • 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
          • 關(guān)鍵字: MOS  

          TI 小貼士:圖例理FET知識(shí)

          • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
          • 關(guān)鍵字: FET  

          手把手教你讀懂FET選取合適器件

          • 現(xiàn)在;一臺(tái)臺(tái)電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西,或用來(lái)逆變;或用來(lái)整流;或就當(dāng)個(gè)開(kāi)關(guān)...
          • 關(guān)鍵字: FET  

          MOSFET分析:選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

          • 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。...
          • 關(guān)鍵字: mos  

          MOSEFT分析:理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗

          • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程,從而使電子工程師知...
          • 關(guān)鍵字: mos/開(kāi)關(guān)損耗  

          CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管

          •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.   
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  

          開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路

          • 對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō),在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
          • 關(guān)鍵字: 吸收  回路  RCD  管反峰  設(shè)計(jì)  MOS  開(kāi)關(guān)電源  

          如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

          •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
          • 關(guān)鍵字: 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  

          MOS-FET開(kāi)關(guān)電路

          • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單,如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
          • 關(guān)鍵字: MOS-FET  開(kāi)關(guān)電路    

          J-FET開(kāi)關(guān)電路工作原理

          • 1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí),VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號(hào)至VO;當(dāng)VC比V1足夠負(fù),VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
          • 關(guān)鍵字: J-FET  開(kāi)關(guān)電路  工作原理    

          采用C-MOS與非門(mén)的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路

          • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光,正向偏流只能在數(shù)10MA以下,允以獲得大的發(fā)光輸出,若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比,則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ,脈沖載頻為38KHZ,受發(fā)光電路很容易分辯外來(lái)光。電
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)  電路  脈沖  發(fā)光二極管  C-MOS  與非門(mén)  采用  

          與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

          • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí),但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別,如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí),
          • 關(guān)鍵字: VOO  檢驗(yàn)  VP  FET  結(jié)合  使用  萬(wàn)用表  
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          mos-fet介紹

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