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RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開關(guān)電源中的應(yīng)用
- 開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。在目前電子產(chǎn)品的飛速增長中，開關(guān)電源憑借其70%~
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基于英飛凌數(shù)位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案
- 隨著USB PD產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用與普及化，Infineon推出全新數(shù)位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構(gòu)除較現(xiàn)行客戶常使用之ACF架構(gòu)更具競爭力，在電路設(shè)計上相對容易，還可減少元件數(shù)量，且數(shù)位化的設(shè)計界面可滿足不同輸出瓦數(shù)的產(chǎn)品應(yīng)用，提高在設(shè)計上的靈活度與可靠性。同時搭配Cypress PD控制芯片，借由數(shù)位控制與參數(shù)設(shè)定功能來改變輸出電壓，藉以符合各種不同產(chǎn)品的應(yīng)用。同時Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率與功率密度的表現(xiàn)，更可以減少客戶的產(chǎn)品設(shè)計與開發(fā)
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MOS管的Miller 效應(yīng)
- 本文對于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動。01 Miller效應(yīng)一、簡介MOS管的米勒效應(yīng)會在高頻開關(guān)電路中，延長開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。下面波形是在博文 ZVS振蕩電路工作原理分析[1] 中觀察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形?？梢钥吹綎艠O電壓在上升階段具有一個平坦的小臺階。這就是彌勒效應(yīng)所帶來的 MOS 管驅(qū)動電壓波
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場效應(yīng)管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開關(guān)導(dǎo)通
- 1、放大電路場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn)，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應(yīng)用很廣泛，如下圖是主要是由場效應(yīng)管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標(biāo)尺工序。由于場
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開關(guān)電源MOS管有哪些損耗，如何減少M(fèi)OS管損耗
- 一、什么是開關(guān)電源開關(guān)模式電源（SwitchModePowerSupply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個位準(zhǔn)的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備，例如個人電腦，而開關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。二、開關(guān)損耗開關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。1、導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時,所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止
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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建?？梢赃M(jìn)行系統(tǒng)級仿真
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超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA
- 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應(yīng)用范圍及更低的價格需求，金升陽推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性價比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應(yīng)用于中小功率AC/DC反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器，內(nèi)置高壓功率MOS，最大輸出功率達(dá)20W，待機(jī)功耗＜75mW，具有極低的啟動電流和工作電流，可在實(shí)現(xiàn)低的損耗的同時保證可靠啟動。芯片滿載工作時，PWM開關(guān)頻率固定；降低負(fù)載后，進(jìn)入綠色模式，開關(guān)頻率降低；在空載和輕載時，
- 關(guān)鍵字： EMI PWM MOS
如何設(shè)計防反接保護(hù)電路？
- 如何設(shè)計防反接保護(hù)電路？-利用MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
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mos介紹
MOS
金屬氧化物半導(dǎo)體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
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