mos 文章 進(jìn)入mos技術(shù)社區(qū)
MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(三)
- 相對(duì)通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路這里只針對(duì)NMOS...
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(二)
- 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng),有幾個(gè)特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于...
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(一)
- 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
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MOSFET分析:選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
- 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。...
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MOSEFT分析:理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
- 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知...
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開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路
- 對(duì)于一位開關(guān)電源工程師來說,在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
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MOS-FET開關(guān)電路
- MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路
- 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì),而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代,因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng),容易停振或
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集成電路布圖設(shè)計(jì)登記:數(shù)量持續(xù)上升 中國企業(yè)占優(yōu)
- 2008年,受到全球半導(dǎo)體市場(chǎng)衰退的影響,中國集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄?。盡管中國以內(nèi)需市場(chǎng)為主的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)仍實(shí)現(xiàn)了一定增長,但嚴(yán)重依賴出口的芯片制造和封測(cè)行業(yè)下滑嚴(yán)重。市場(chǎng)的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新,知識(shí)產(chǎn)權(quán)問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)形式,集成電路布圖設(shè)計(jì)登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。 最近,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設(shè)計(jì)登記2008年度報(bào)告,本期刊登部分節(jié)選,供業(yè)界研究參考。 本報(bào)告數(shù)據(jù)
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麻省理工學(xué)院計(jì)劃為發(fā)展中國家開發(fā)12美元PC
- 美國麻省理工學(xué)院一個(gè)為第三世界家庭開發(fā)廉價(jià)計(jì)算機(jī)的項(xiàng)目組將以任天堂娛樂系統(tǒng)為基礎(chǔ)而不是以蘋果II電腦為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)計(jì)。這兩種系統(tǒng)都采用相同的處理器芯片。 一些Mac計(jì)算機(jī)網(wǎng)站指出,《波士頓先驅(qū)報(bào)》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學(xué)院國際設(shè)計(jì)峰會(huì)部分內(nèi)容“教育家庭計(jì)算計(jì)劃”。這個(gè)計(jì)劃的目標(biāo)是開發(fā)成本只有12美元的初級(jí)計(jì)算機(jī)。 雖然設(shè)計(jì)師之一的27歲研究生Derek Lomas說他希望給第三世界的學(xué)校提供類似于伴隨他長大蘋果II計(jì)算機(jī),但是,他和他的團(tuán)隊(duì)研制的這種計(jì)算機(jī)
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mos介紹
MOS
金屬氧化物半導(dǎo)體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對(duì)于硅襯底來說,絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS,NMOS,PMOS。
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