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MOS管驅動電路綜述連載（二）
- 現(xiàn)在的MOS驅動，有幾個特別的應用1、低壓應用當使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結構，由于...
- 關鍵字： MOS
MOS管驅動電路綜述連載（一）
- 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
- 關鍵字： MOS
MOSFET分析：選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
- 前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。...
- 關鍵字： mos
MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開關損耗
- 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知...
- 關鍵字： mos/開關損耗
集成電路布圖設計登記：數(shù)量持續(xù)上升 中國企業(yè)占優(yōu)
- 2008年，受到全球半導體市場衰退的影響，中國集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長轉變?yōu)橄禄?。盡管中國以內(nèi)需市場為主的集成電路設計業(yè)仍實現(xiàn)了一定增長，但嚴重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新，知識產(chǎn)權問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產(chǎn)權保護形式，集成電路布圖設計登記應得到更多的關注。 最近，中國半導體行業(yè)協(xié)會知識產(chǎn)權工作部和上海硅知識產(chǎn)權交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設計登記2008年度報告，本期刊登部分節(jié)選，供業(yè)界研究參考。 本報告數(shù)據(jù)
- 關鍵字： NEC MOS 集成電路布圖設計
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導體結構。對于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應晶體管、電容器、電阻器和其他半導體設備都是用這種結構制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
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