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基于C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路
- 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
- 關(guān)鍵字： C-MOS 轉(zhuǎn)換器 石英晶體 振蕩電路
無比型動(dòng)態(tài)MOS反相器
- 無比型動(dòng)態(tài)MOS反相器
- 關(guān)鍵字： 動(dòng)態(tài) MOS 反相器
采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路
- 采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品 ...
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羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊
- 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車)及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì)，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC MOS
高性能、可高壓直接驅(qū)動(dòng)MOS的LLC控制器—NCP1396A/B
- NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個(gè)最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅(qū)動(dòng)功能時(shí)齙控制模式有很大...
- 關(guān)鍵字： 光耦 可調(diào) 死區(qū)時(shí)間 MOS
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導(dǎo)體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對(duì)于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
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