EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
mos
mos 文章 進(jìn)入mos技術(shù)社區(qū)
高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計(jì)
- 混頻器是無(wú)線收發(fā)機(jī)中的核心模塊， 對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個(gè)混頻器性能的重要指標(biāo)。 在接收機(jī)中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級(jí)模塊設(shè)計(jì)的難度， 有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號(hào)強(qiáng)度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對(duì)性能要求越來(lái)越高， 無(wú)論是應(yīng)用于接收機(jī)系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應(yīng)用于發(fā)射機(jī)系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設(shè)計(jì)具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點(diǎn)。 在CMOS電路設(shè)
- 關(guān)鍵字： MOS 諧波混頻器
你造嗎？ 四大MOSFET實(shí)用技巧
- MOSFET是一個(gè)時(shí)代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開(kāi)關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為工程師們的首選。 在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問(wèn)起MOS管的事情，有很多童靴對(duì)MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說(shuō)幾個(gè)關(guān)于MOSFET的技巧的幾個(gè)實(shí)用技巧的事情。 為了把問(wèn)題說(shuō)的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道
- 關(guān)鍵字： MOSFET MOS
CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
- 1 引 言 靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計(jì)者主要考慮的問(wèn)題。 2 ESD保護(hù)原理 ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
- 關(guān)鍵字： CMOS ESD MOS
LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)小Tips：不可不知的5大關(guān)鍵點(diǎn)
- 1、芯片發(fā)熱 這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的
- 關(guān)鍵字： LED MOS 變壓器
一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介
- 因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設(shè)備。由于未來(lái)CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì)遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，于是采用襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計(jì)就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號(hào)加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號(hào)通路上得以避開(kāi)。襯底驅(qū)動(dòng)MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也就是一個(gè)耗盡型器件，它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
- 關(guān)鍵字： MOS CMOS
一種抗機(jī)載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案
- 為了解決現(xiàn)有浪涌保護(hù)電路可靠性差、專用模塊體積龐大以及效率低的問(wèn)題，提出一種抗機(jī)載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案。其設(shè)計(jì)思路從以下幾個(gè)方面考慮：(1)能夠承受航空供電系統(tǒng)中80V/50ms過(guò)壓浪涌且能正常工作;(2)外圍電路較為簡(jiǎn)單，通過(guò)分離元器件可實(shí)現(xiàn)抗浪涌功能;(3)構(gòu)建的電路占用體積僅為專用模塊的50%～60%左右;(4)正常工作時(shí)，電路轉(zhuǎn)換效率能達(dá)到90%以上;80V/50ms的高壓浪涌電壓時(shí)，電路轉(zhuǎn)換效率能達(dá)到80%以上
- 關(guān)鍵字： PCB MOS 恒流源
移動(dòng)電源方案技術(shù)深度剖析連載一：小米10400
- 引言： 鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動(dòng)電源方案知識(shí)甚少，而移動(dòng)電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開(kāi)始特在移動(dòng)電源網(wǎng)開(kāi)設(shè)移動(dòng)電源方案技術(shù)篇連載，對(duì)目前市面主流品牌，暢銷(xiāo)產(chǎn)品等移動(dòng)電源方案一一深度剖析，與移動(dòng)電源設(shè)計(jì)師和技術(shù)迷們一起分享!我們首款產(chǎn)品就選目前最熱門(mén)的小米10400mAh移動(dòng)電源吧。 正文： 移動(dòng)電源網(wǎng)獨(dú)家撰稿，轉(zhuǎn)載請(qǐng)保留出處鏈接?！ 〈蠹液?我是來(lái)福，移動(dòng)電源資深技術(shù)愛(ài)好者，鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動(dòng)電源方案知識(shí)甚少，而移動(dòng)電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開(kāi)始特在移動(dòng)電源網(wǎng)開(kāi)設(shè)移動(dòng)電源方案技術(shù)篇連載，
- 關(guān)鍵字： 小米 10400 BQ24195 ABOV MOS
從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-1
- 在下面的兩個(gè)帖子當(dāng)中，我將簡(jiǎn)短地介紹構(gòu)成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，這相當(dāng)于IC設(shè)計(jì)中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
- 關(guān)鍵字： CPU IC設(shè)計(jì) 單晶硅 MOS 硅
車(chē)載筆記本電源的設(shè)計(jì)制作
- 此電源有兩種，輸入電壓不同分為12V和24V兩種，輸出電壓均為19V。一、12V轉(zhuǎn)19V電路電路如上圖，此電路屬升壓型...
- 關(guān)鍵字： 車(chē)載筆記本 MOS IC器件
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導(dǎo)體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對(duì)于硅襯底來(lái)說(shuō)，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
[ 查看詳細(xì) ]
mos研討會(huì)推薦
mos相關(guān)帖子
mos資料下載
mos專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473