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拯救EMI輻射超標(biāo)，開(kāi)關(guān)電源能做點(diǎn)啥？
- 作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
- 關(guān)鍵字： EMI 開(kāi)關(guān)電源 MOS
DC-DC電路當(dāng)中同步與非同步的差異講解
- 在開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)當(dāng)中，電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見(jiàn)的一種設(shè)計(jì)。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換，是指將一個(gè)電壓值轉(zhuǎn)化為另一個(gè)電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)在開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中非常常見(jiàn)，也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計(jì)，本篇文章將為大家介紹這種電路當(dāng)中非同步與同步的區(qū)別。
- 關(guān)鍵字： DC-DC MOS 同步 開(kāi)關(guān)電源 非同步
為IC設(shè)計(jì)減少天線效應(yīng)
- 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來(lái)，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。眾所周知，這種高速成長(zhǎng)的趨勢(shì)總有一天會(huì)結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來(lái)臨時(shí)，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級(jí)氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見(jiàn)的多種效應(yīng)變得原來(lái)越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
- 關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì) 天線 天線效應(yīng) 充電損害 MOS
高手詳解，MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)總結(jié)
- 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。 下面是我對(duì)MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。 MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，
- 關(guān)鍵字： MOS MOS驅(qū)動(dòng)電路
恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務(wù)出售給中國(guó)公司
- 半導(dǎo)體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營(yíng)分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導(dǎo)體等產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門出售給中國(guó)的投資公司(英文發(fā)布資料)。 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門2015年財(cái)年的銷售額為12億美元，約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門約有員工1.1萬(wàn)名，約為恩智浦總員工數(shù)量(4.5萬(wàn))的2.5成。 出售金額約為27.5億美元，購(gòu)買方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡(jiǎn)稱“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
- 關(guān)鍵字： 恩智浦 MOS
【E問(wèn)E答】MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？
- MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高?！ §o電放電形成
- 關(guān)鍵字： MOS 擊穿
一種簡(jiǎn)單的防短路的保護(hù)方法
- 前段時(shí)間開(kāi)發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對(duì)負(fù)載供電，滿負(fù)載時(shí)基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個(gè)PWM信號(hào)控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時(shí)內(nèi)阻非常小，我們所用的型號(hào)約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對(duì)于電源控制來(lái)說(shuō)是一種效果不錯(cuò)的器件?！ ‰m然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過(guò)的電流也有最大限制，如果電流過(guò)大，比如外接負(fù)載短路，同樣會(huì)被燒毀。短路都是非正常工
- 關(guān)鍵字： 防短路 MOS
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)
- 我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管. 1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管擊穿 由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來(lái)是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來(lái)新的問(wèn)題.由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感應(yīng)出來(lái)的
- 關(guān)鍵字： 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS
深度分析MOS場(chǎng)效應(yīng)管在消費(fèi)類電子中的電路設(shè)計(jì)
- 當(dāng)我們還是學(xué)生的時(shí)候，不論從做題還是原理分析上,通常會(huì)重點(diǎn)學(xué)習(xí)NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計(jì)算、動(dòng)態(tài)信號(hào)分析等等。對(duì)于MOS管，老師一般都會(huì)草草帶過(guò)，沒(méi)有那么深入的分析和了解，一般都會(huì)說(shuō)MOS管和三極管的不同就是一個(gè)是電壓控制，一個(gè)是電流控制，一個(gè)Ri大，一個(gè)Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實(shí)戰(zhàn)的角度進(jìn)行MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分析?！ ∈紫任覀儊?lái)看下經(jīng)常使用的增強(qiáng)型mos場(chǎng)效應(yīng)管：N溝道和P溝道m(xù)os場(chǎng)效應(yīng)管。 在消費(fèi)類電子設(shè)計(jì)中由于對(duì)功耗要求比較嚴(yán)格，通常使用N溝道和P溝道MOS
- 關(guān)鍵字： MOS 場(chǎng)效應(yīng)管
怎樣正確使用MOS 集成電路
- 所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行保護(hù)，雖然如此，器件內(nèi)的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)還不足以免除對(duì)器件的靜電損害(ESD)，實(shí)驗(yàn)指出，在高電壓放電時(shí)器件會(huì)失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴(yán)重程度靜電損害有多種形式，最嚴(yán)重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
- 關(guān)鍵字： MOS 集成電路
到底什么是fmax講解
- 簡(jiǎn)介： 今天一個(gè)剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f(shuō)，他的老板給了他一個(gè)MOS管讓他測(cè)管子的fmax,幫他測(cè)完之后，他還問(wèn)到怎么才能加大這個(gè)fmax~~想到自己也曾千辛萬(wàn)苦的琢磨這個(gè)參數(shù)，就寫(xiě)個(gè)短短的文章說(shuō)一下fmax到底是什么和哪些參數(shù)有關(guān)。 這兩個(gè)頻率都是晶體管的重要參數(shù)，無(wú)論BJT還是MOS，也決定了將來(lái)電路能工作到的最大頻率(當(dāng)然這個(gè)最大頻率是絕對(duì)不可能到fmax和ft的)。這兩個(gè)頻率其實(shí)離得不遠(yuǎn)，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來(lái)定義的，fmax是用最大功率增益來(lái)定義的，千萬(wàn)別弄混了哦。下圖是一
- 關(guān)鍵字： MOS fmax
一種簡(jiǎn)單的防短路保護(hù)方法
- 簡(jiǎn)介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個(gè)概念，不要混淆在一起。 前段時(shí)間開(kāi)發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對(duì)負(fù)載供電，滿負(fù)載時(shí)基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個(gè)PWM信號(hào)控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時(shí)內(nèi)阻非常小，我們所用的型號(hào)約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對(duì)于電源控制來(lái)說(shuō)是一種效果不錯(cuò)的器件。 雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過(guò)的電
- 關(guān)鍵字： 靜電損壞 MOS
低待機(jī)功耗電源方案選擇
- 歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對(duì)靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應(yīng)對(duì)呢?下面給你解決此問(wèn)題的電源供電方案。 2009年1月6日，歐盟電子類產(chǎn)品待/關(guān)機(jī)模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設(shè)計(jì)要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設(shè)計(jì)管理委員會(huì)批準(zhǔn)的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達(dá)到第一階段的要求，2013年1月6日達(dá)到第二階段要求。 圖1 Eup圖標(biāo) 我們來(lái)了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求， 1、產(chǎn)品在關(guān)機(jī)或待機(jī)
- 關(guān)鍵字： MOS AC-DC
怎樣用最小的代價(jià)降低MOS的失效率？
- 【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中，自舉電路因技術(shù)簡(jiǎn)單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時(shí)還伴隨著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何破?一個(gè)合適的電阻就可搞定問(wèn)題。 【問(wèn)題分析】 上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過(guò)低端二極管進(jìn)行續(xù)流，導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓，且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負(fù)壓會(huì)把驅(qū)動(dòng)的電位拉到負(fù)電位，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路異常，還可能讓自舉電容過(guò)充電
- 關(guān)鍵字： MOS SCR
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理- -場(chǎng)效應(yīng)管工作原理也瘋狂
- 一、場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理- -概念 場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡(jiǎn)稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場(chǎng)效應(yīng)管，是一種常見(jiàn)的利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場(chǎng)效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻高達(dá)107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)，且比后者耗電省，這些優(yōu)點(diǎn)使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
- 關(guān)鍵字： 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS JFET 場(chǎng)效應(yīng)管工作原理
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導(dǎo)體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對(duì)于硅襯底來(lái)說(shuō)，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
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