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智能電網(wǎng)端口保護(hù)：這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!
- 今天，做一個(gè)產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護(hù)方案，特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應(yīng)用的端口保護(hù)設(shè)計(jì)，就像是組織一場(chǎng)足球比賽的防御戰(zhàn)：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術(shù)，去抵御來自對(duì)手的每一次可能的“進(jìn)攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護(hù)界的“豪門”，是怎么玩兒的?！ ∧切┟餍窃 ∠葋砑?xì)數(shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護(hù)元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如： TBU高速
- 關(guān)鍵字： 智能電網(wǎng) MOSFET
1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性
- SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃裕约白銐虻拈撝惦妷汉鸵詰?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
- 關(guān)鍵字： 電源轉(zhuǎn)換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化
- 全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國(guó)政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格，對(duì)于電源設(shè)計(jì)工程師，如何設(shè)計(jì)更高效率、更高性能的電源是一個(gè)永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
- 關(guān)鍵字： 電源模塊性能 PCB布局技術(shù) MOSFET
電源設(shè)計(jì)小貼士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案
- 在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分立驅(qū)動(dòng)器來保護(hù)同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅(qū)動(dòng)同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量，變壓器電壓會(huì)變得很高以至于可能會(huì)損壞同步整流器。
- 關(guān)鍵字： 分立器件 MOSFET 同步整流器 電源設(shè)計(jì)小貼士
電源設(shè)計(jì)小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件
- 分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價(jià)值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅(qū)動(dòng)器 IC 成本降低 10 倍。分立驅(qū)動(dòng)器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關(guān)電流，從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。
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電源設(shè)計(jì)小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
- 我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)
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電源設(shè)計(jì)小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升
- 在本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將最終對(duì)一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計(jì)小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度。
- 關(guān)鍵字： 熱插拔 MOSFET 網(wǎng)絡(luò)
意法半導(dǎo)體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級(jí)功率MOSFET管
- 意法半導(dǎo)體推出了采用先進(jìn)的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進(jìn)技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會(huì)社選用?！ TLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機(jī)控制、電池極性接反保護(hù)和高性能功率開關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸和高散熱效率的底部設(shè)計(jì)，同時(shí)將頂部的源極曝露在
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東芝面向風(fēng)扇電機(jī)推出600V／500V小型封裝高壓智能功率器件
- 東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出新系列小型封裝高壓智能功率器件(IPD)，這些產(chǎn)品用于空調(diào)、空氣凈化器和空氣泵等各類風(fēng)扇電機(jī)。該新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"兩款產(chǎn)品，產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)?！ ±脰|芝最新的MOSFET技術(shù)，新系列IPD在新開發(fā)的小型表面貼裝“SOP30”封裝中實(shí)現(xiàn)高壓和低功率損耗，該封裝尺寸僅為20.0mm x 14.2mm。其封裝空間僅約為東
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東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET，該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設(shè)備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動(dòng)，批量生產(chǎn)發(fā)貨計(jì)劃于3月中旬啟動(dòng)?！ ≡撔孪盗袚碛信c東芝當(dāng)前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)性能，同時(shí)，其優(yōu)化的設(shè)計(jì)流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導(dǎo)通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
- 關(guān)鍵字： 東芝 MOSFET
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