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精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案
- 精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題，BP3216內(nèi)部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應(yīng)用；采用源極驅(qū)動，DCMB的控制方式，沒有二極管反向恢復(fù)，開關(guān)損耗小。P3216系列芯片內(nèi)部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 可控硅調(diào)光 LED燈絲燈
導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減
- 導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計的首要目標(biāo)。為達(dá)此一目的，半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負(fù)載及輕負(fù)載時的功率損耗。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 柵極屏蔽 快捷半導(dǎo)體
為反向極性保護(hù)設(shè)計一個電路
- 為反向極性保護(hù)設(shè)計一個電路-反向極性解決方案被看成是一個迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽車系統(tǒng)中，搭線啟動期間，防止電池反接或者電纜反向連接很重要，然而系統(tǒng)設(shè)計人員也必須忍受反向極性保護(hù)出現(xiàn)時的功率損耗。
- 關(guān)鍵字： 汽車電池 反向極性保護(hù) 二極管 MOSFET
Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超高速切換
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴(kuò)充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)的
- 關(guān)鍵字： Littelfuse MOSFET
MOSFET 安全工作區(qū)對實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
- MOSFET 安全工作區(qū)對實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負(fù)載電容充電時能夠保持在安全水平。
- 關(guān)鍵字： mosfet linear
在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處
- 摘要 本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大?！ ∏把浴 ∈袌鰧﹂_關(guān)速度、功率、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！ 拵栋雽?dǎo)體器件因電、熱、機(jī)械等各項(xiàng)性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
- 關(guān)鍵字： MOSFET SiC
一篇文章讀懂超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢
- 平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu) 圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和： RDS(on) = Rch + Repi + Rsub 圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
- 關(guān)鍵字： MOSFET 超級結(jié)
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