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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
關(guān)鍵字： IR HEXFET MOSFET

2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設(shè)計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)?！?/li>
關(guān)鍵字： MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器

同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組
關(guān)鍵字： MOSFET 同步降壓電阻比

混合動力電動車應(yīng)用中大功率器件的五大要素

盡管標準內(nèi)燃機驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機獲取車載系統(tǒng)的電氣需...
關(guān)鍵字：混合動力電動車大功率器件 IGBT MOSFET

2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設(shè)計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)。　　去年功率MOSFET在中國市場強勁增長，可能主要歸功于中國政府的推動。為了鼓勵投資和刺激經(jīng)濟，中國政府推出了一系
關(guān)鍵字： MOSFET 無線通信

飛兆半導體推出60V PowerTrench MOSFET器件

　　DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關(guān)應(yīng)用，以及服務(wù)器的次級同步整流應(yīng)用的設(shè)計人員，需要使用具有更低傳導損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計的效率。　　
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產(chǎn)品

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標準，如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示，是許多關(guān)鍵應(yīng)用的上佳之選，也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富?！?/li>
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

恩智浦NextPower MOSFET具有行業(yè)最低RDS (on)

　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級)，是高性能、高可靠性開關(guān)應(yīng)用的理想之選。
關(guān)鍵字：恩智浦 MOSFET

英飛凌新一代高壓MOSFET設(shè)立能效新標準

　　英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

Diodes推出超小型封裝的高性能MOSFET

　　Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256oC/W，在連續(xù)條件下功耗高達1.3W，而同類產(chǎn)品的功耗則多出一倍。　　
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET

利用DAC、運算放大器和 MOSFET 晶體管構(gòu)建多功能高精度可編程電流源

電路功能與優(yōu)勢數(shù)字控制電流源在許多應(yīng)用中至關(guān)重要，如電源管理、電磁閥控制、電機控制、阻抗測量、傳 ...
關(guān)鍵字：實驗室電路 MOSFET 運算放大器

Diodes全新DFN3020封裝MOSFET節(jié)省七成空間

　　Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代兩個獨立的SOT23封裝MOSFET，節(jié)省七成的電路板空間?！?/li>
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET

為你的應(yīng)用選擇合適的高壓MOSFET

高電壓MOSFET技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大變化，給電源工程師帶來了不少選擇。只要提供有關(guān)不同技術(shù)的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達成其應(yīng)用的效率和成本目標。了解不同MOSFET部件的細微差別及不同開
關(guān)鍵字： MOSFET 高壓合適選擇應(yīng)用

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET 芯片組

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用DirectFET?2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機、混合動力和電動車中的DC-DC 應(yīng)用。　　
關(guān)鍵字： IR MOSFET

IR推出新系列車用MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應(yīng)用。　　
關(guān)鍵字： IR MOSFET

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