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功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
- _____“?動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進行?！卑凑毡粶y器件的封裝類型，功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)分為針對分立器件和功率模塊兩大類。長期以來，針對功率模塊的測試系統(tǒng)占據(jù)絕大部分市場份額，針對分立器件的測試系統(tǒng)需求較少，選擇也很局限。隨著我國功率器件國產(chǎn)化進程加快，功率器件廠商和系統(tǒng)應(yīng)用企業(yè)也越來越重視功率器件動態(tài)參數(shù)測試，特別是針對分立器件的測試系統(tǒng)提出了越來越多
- 關(guān)鍵字： MOSFET
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識
- 高頻高效是開關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，高頻工作導(dǎo)致功率元件開關(guān)損耗增加，因此要使用軟開關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。高頻高效是開關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，高頻工作導(dǎo)致功率元件開關(guān)損耗增加，因此要使用軟開關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。功率MOSFET開關(guān)損耗有2個產(chǎn)生因素：1）開關(guān)過程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺時間，在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。圖1 功率MOSFET
- 關(guān)鍵字： MOSFET ZVS
高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望
- 碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛，具有巨大的研究價值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進展，總結(jié)了進一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu)，介紹了針對高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進入高壓、特高壓領(lǐng)域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
東芝推出采用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,支持車載設(shè)備對更大電流的需求
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開始出貨。近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產(chǎn)業(yè)對能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結(jié)構(gòu)，通過引入一個銅夾片將源極連接件和外
- 關(guān)鍵字： 東芝 MOSFET
功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟
- 功率半導(dǎo)體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉(zhuǎn)換成交流）、整流（交流轉(zhuǎn)換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉(zhuǎn)換）是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應(yīng)用十分廣泛，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲能和電動汽車）、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據(jù)每個細(xì)分領(lǐng)域性能要求
- 關(guān)鍵字： 功率器件 IGBT MOSFET 國產(chǎn)替代
羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧
- 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及多個可用的TO247封裝元件，其汽車級合格認(rèn)證達56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準(zhǔn)他們之前取得成功的車載充電器市場。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過進一步改進原有的雙溝槽結(jié)構(gòu)，在不影響短路耐受時間的情況下，使單位面積導(dǎo)通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關(guān)損耗比我們的上一代碳
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瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動IC 用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 柵極驅(qū)動IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
- SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動作成為可能。但是，由于開關(guān)的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導(dǎo)致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規(guī)格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
- 關(guān)鍵字： Arrow 碳化硅 MOSFET
基于世平安森美半導(dǎo)體 LV8310 Single-Phase Pre Driver 應(yīng)用于車內(nèi)空調(diào)循環(huán)扇方案
- 由于現(xiàn)代人對于生活物質(zhì)的享受要求愈來愈高,汽車駕駛?cè)藢τ谲噧?nèi)空間主觀的價值感要求也是一樣,不管是行駛時可能產(chǎn)生的種種噪音及靜止時冷氣空調(diào)循環(huán)扇的音量亦是,以空調(diào)風(fēng)扇噪音來說,三相馬達也許是低噪的最佳選擇,但整體成本較高,基于成本及整體效能考量,安森美推出的可優(yōu)化超前角單相直流無刷馬達驅(qū)動方案,可說是性價比最高的選擇。安森美新推出的LV8310 Single phase pre driver 提供可彈性選擇功率晶體以配合不同功率需求的條件及可調(diào)整的轉(zhuǎn)速曲線以優(yōu)化可控轉(zhuǎn)速檔次的一致性和可調(diào)整超前角功能以優(yōu)化功
- 關(guān)鍵字： 安森美 ONSemi LV8310 Single-Phase Pre Driver 車內(nèi)空調(diào)循環(huán)扇
庫存去化緩 MOSFET上半年市況嚴(yán)峻
- PC、消費性市況在2022年第四季需求持續(xù)疲弱，且今年第一季客戶端仍舊處于保守態(tài)度，使得MOSFET庫存去化速度將比原先預(yù)期更加緩慢，供應(yīng)鏈預(yù)期，最差情況可能要延續(xù)到今年第三季才可能逐步結(jié)束庫存去化階段。法人預(yù)期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET廠營運可能將維持平淡到今年中。PC、消費性市況在歷經(jīng)2022年下半年的景氣寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市場庫存去化速度緩慢。供應(yīng)鏈指出，先前晶圓代工產(chǎn)能吃緊，客戶端重復(fù)下單情況在2
- 關(guān)鍵字： 庫存 MOSFET
簡述SiC MOSFET短路保護時間
- 在本設(shè)計解決方案中，我們回顧了在工廠環(huán)境中運行的執(zhí)行器中使用的高邊開關(guān)電路的一些具有挑戰(zhàn)性的工作條件和常見故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監(jiān)控電路運行，并在發(fā)生這些情況時采取適當(dāng)措施防止損壞。IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。比如英飛凌這個820
- 關(guān)鍵字： 技術(shù)田地 MOSFET
基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁掛爐熱風(fēng)機解決方案
- 近年來，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自動駕駛”等時髦的詞匯，大家的注意力也都集中在這些領(lǐng)域，但其實，有一個已經(jīng)真正落地，大部分人都還沒注意到的應(yīng)用——直流無刷電機（BLDC）市場正在悄然興起，而且成長迅速。根據(jù)市場公開的資料，2018年全球無刷直流電機的市場規(guī)模為153.6億美元，樂觀的市場研究機構(gòu)預(yù)計未來五年，市場將會以13%的年復(fù)合增長率持續(xù)增長；當(dāng)然也有機構(gòu)認(rèn)為年復(fù)合增長率會在6.5%左右。但不論是6.5%，還是13%的增長率，這個市場都非常值得期待。由于BLDC本身可以節(jié)約能源，
- 關(guān)鍵字： Richtek RT7083GQW MCU Gate Driver 壁掛爐熱風(fēng)機
簡述功率MOSFET電流額定值和熱設(shè)計
- 電氣設(shè)備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設(shè)環(huán)境溫度。1、什么是電流額定值？?電氣設(shè)備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設(shè)環(huán)境溫度。這就帶來了兩種后果：?? 每個電流
- 關(guān)鍵字： MOSFET
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