mosfet-driver 文章 進入mosfet-driver技術社區(qū)
Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
- 奈梅亨,2023年6月21日:基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝,而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性,適用于通信、服務器、工業(yè)、開關電源、快充、USB-PD和電機控制應用。 長期以來,品質因數(shù)Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開關效率的重點。然而,一味地降低該品質因數(shù)導致產(chǎn)生了意外后果
- 關鍵字: Nexperia MOSFET
采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點
- 近年來,為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產(chǎn)品,因此,關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率,從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業(yè),諸如提高效率、降低成本和增強便攜性(即,縮小尺寸并減輕重量)等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如,多個標準法規(guī)已經(jīng)或即將強制規(guī)
- 關鍵字: 英飛凌 MOSFET
干貨 | MOSFET結構及其工作原理詳解
- 01?概述MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱功率MOSFET(Power MOSFET)。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管(Sta
- 關鍵字: MOSFET
用于車載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
- 隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發(fā)展,對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市,工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設計 OBC 系統(tǒng)。要注意的是,PFC 拓撲結構的變化非常顯著。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲,因為它有著卓越的開關性能和較小的反向恢復特性。眾所周知,使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術的汽
- 關鍵字: 安森美 車載充電器 MOSFET
中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術鑒定
- 近日,中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術及應用”成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為,該項目技術難度大,創(chuàng)新性顯著,總體技術達到國際先進水平。該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求,突破多項關鍵工藝技術,貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺,國內(nèi)率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件,實現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領域碳化硅MOSFET批量供貨,有力保障碳化硅功率器件供
- 關鍵字: 中國電科 55所 碳化硅 MOSFET
SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
- SMPD可用于標準拓撲結構,如降壓、升壓、橋臂(phase-leg),甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產(chǎn)品,如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅,或定制組合,具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優(yōu)勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公司的一部分)在2012年開發(fā)。SMPD只有硬幣大小,具有幾項關鍵優(yōu)勢:·
- 關鍵字: Littelfuse SMPD MOSFET
安森美與Kempower就電動汽車充電樁達成戰(zhàn)略協(xié)議
- 2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),宣布與Kempower達成戰(zhàn)略協(xié)議,將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管,用于可擴展的電動汽車(EV)充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內(nèi)的各種功率半導體技術,開發(fā)電動汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側和次級側的DC-DC轉換器。 安森美為Kempower 的Satellit
- 關鍵字: 安森美 Kempower 充電樁 EliteSiC MOSFET 電動汽車快充
Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊,助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為
- 奈梅亨,2023年5月11日:基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊,大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊,用戶可以手動調(diào)整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件,并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應這些變化。 這些交互式數(shù)據(jù)手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點,可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外,工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
- 關鍵字: Nexperia 交互式數(shù)據(jù)手冊 MOSFET
MOSFET電路不可不知
- MOSFET已成為最常用的三端器件,給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET,現(xiàn)在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小,制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性,模擬電路和數(shù)字電路都成功地實現(xiàn)了集成電路,MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進行分析。大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線性化的基礎上推導出來。截止區(qū)、三極管區(qū)和飽和區(qū)是MOSFET的三個工作區(qū)。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時,器件處于截止區(qū)。當MOSFET用作
- 關鍵字: 雷卯 MOSFET
SiC MOSFET的設計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
- 碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關注導通電阻,將其作為特定技術的主要基準參數(shù)。然而,工程師們必須在主要性能指標(如電阻和開關損耗),與實際應用需考慮的其他因素(如足夠的可靠性)之間找到適當?shù)钠胶狻?yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度,以便在不對工藝和版圖進行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而,關鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻,并結合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個標準,或許還
- 關鍵字: 英飛凌 SiC MOSFET
功率半導體“放量年”,IGBT、MOSFET與SIC的思考
- 4月24日,東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布,在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個階段進行,第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓,以應對人員的增加。此外,今年2月下旬,日經(jīng)亞洲報道,東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息,東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié),布局完成后將形成:外延設備+外
- 關鍵字: 功率半導體 IGBT MOSFET SIC
優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動
- 在高壓開關電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關,但它們不能用于非常高的電壓(>1 000 V)。而IGBT 雖然可以在高壓下使用,但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美,可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。然而,SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后,設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
- 關鍵字: SiC MOSFET 柵極驅動 安森美
mosfet-driver介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條mosfet-driver!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對mosfet-driver的理解,并與今后在此搜索mosfet-driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對mosfet-driver的理解,并與今后在此搜索mosfet-driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
熱門主題
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473