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          Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。  《電子產(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)評(píng)選已經(jīng)舉行了11年,面向全球的電源供應(yīng)商征集參選產(chǎn)品。五個(gè)門類的最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品是通過在線投票,以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴(yán)格評(píng)審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計(jì)算設(shè)備中顯著提高效率
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  電子產(chǎn)品世界  

          美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

          •   致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用,包括用于太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案?! ∶栏呱罁碛欣肧iC半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的良好條件,據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement預(yù)計(jì),從201
          • 關(guān)鍵字: 美高森美  MOSFET  SiC  

          開關(guān)電源技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展?fàn)顩r分析

          •   開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新,使得開關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前,開關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用幾乎所有的電子設(shè)備,是當(dāng)今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。   根據(jù)中國(guó)電源學(xué)會(huì)收集整理的數(shù)據(jù),2008年全國(guó)開關(guān)電源(主要包含消費(fèi)類開關(guān)電源、工業(yè)類開關(guān)電源、通信電源、PC電源,下同)產(chǎn)值達(dá)到855億元,2009年達(dá)931億元,
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  MOSFET  

          一款基于AN8026的變頻器電源設(shè)計(jì)方案

          • 1.前言 變頻器在能源節(jié)約、電力環(huán)保方面意義重大,電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)是電能消耗大戶,約消耗全國(guó)65%發(fā)電量,近三十多年來(lái)變頻調(diào)速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運(yùn)用,其他家用電器例如變頻冰箱,變頻洗衣機(jī)、變頻微波爐等也已相繼出現(xiàn),因此設(shè)計(jì)可靠高性能的變頻器電源尤為重要。 變頻技術(shù)目前得到了廣泛的應(yīng)用,而變頻器的可靠穩(wěn)定運(yùn)行決定了變頻器性能指標(biāo),作為基礎(chǔ)硬件,變頻器電源的高效可靠運(yùn)行至關(guān)重要。如圖1所示為變頻器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),主要由整流單元、預(yù)充電電路、制動(dòng)單元和逆變單元組成,從圖中可知,變頻器電源
          • 關(guān)鍵字: AN8026  MOSFET  

          用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)的幾種方法

          • 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展,大多數(shù)人擁有自己的車,這也使得交通變得擁堵,而汽車在高峰期的走走停停會(huì)耗掉很多的能源,不僅浪費(fèi)還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能,但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來(lái)了一些獨(dú)特的工程技術(shù)挑戰(zhàn),汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計(jì)是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)。 為了控制燃油消耗,許多汽車制造商在下一代汽車中實(shí)現(xiàn)了“啟停”功能,而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會(huì)在汽車停下來(lái)時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī),當(dāng)腳從剎車踏板移動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: P-FET  MOSFET  

          IR擴(kuò)充StrongIRFET系列

          •    國(guó)際整流器公司?(International?Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)?近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET?MOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離子電池組保護(hù)及開關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流等?! ∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管,以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
          • 關(guān)鍵字: IR  StrongIRFET  MOSFET  

          Allegro MicroSystems推出新型雙同步低降壓穩(wěn)壓器

          •   Allegro?MicroSystems,?LLC?公司宣布推出針對(duì)多輸出系統(tǒng)的新型雙轉(zhuǎn)換器。Allegro’經(jīng)?AEC-Q100?標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的?A8651?是雙?2?A?低?VIN?同步穩(wěn)壓器,帶可調(diào)頻率,整合了高端?P?通道?MOSFET?和低端?N?通道?MOSFET。A8651?整合電流模式控制,可
          • 關(guān)鍵字: Allegro  雙轉(zhuǎn)換器  MOSFET  

          工程師該如何選擇電源?

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 供電處理器  凌力爾特  MOSFET  均流控制器  二極管  

          基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開關(guān)電源的方案

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  TVS串聯(lián)  三相開關(guān)電源  ICE3AR2280JZ  

          同步正向 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器無(wú)需信號(hào)變壓器

          • ?? 凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出高效率副邊?MOSFET?驅(qū)動(dòng)器?LT8311,該器件在隔離式同步正向轉(zhuǎn)換器中無(wú)需原邊控制就可工作。LT8311?采用獨(dú)特的預(yù)測(cè)模式,通過在副邊檢測(cè)信號(hào)以控制同步整流,無(wú)需信號(hào)變壓器實(shí)現(xiàn)原邊至副邊通信。這種模式減少了組件數(shù)量和解決方案尺寸?! T8311?在?3.7V?至?30V
          • 關(guān)鍵字: 凌力爾  MOSFET  LT8311  

          Vishay MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

          •   日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率,在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導(dǎo)通電阻,占位面積為2mm?x?2mm?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  SiA936EDJ  

          德州儀器面向大電流電機(jī)控制及電源設(shè)計(jì)推出40V至100V NexFET? MOSFET

          •   德州儀器?(TI)?宣布推出?14?款采用?TO-220?及?SON?封裝的功率?MOSFET,其支持?40V?至?100V?輸入電壓,進(jìn)一步壯大了?TI?普及型?NexFET?產(chǎn)品陣營(yíng)。高效率?NexFET?包括?40V、60V、80V?以及?100V?N?通道器
          • 關(guān)鍵字: TI  TO-220  MOSFET  NexFET  

          76V、?1A 降壓型轉(zhuǎn)換器靜態(tài)電流僅為12μA

          •   凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出能接受?76V?輸入的高效率降壓型轉(zhuǎn)換器?LTC3637,該器件可提供高達(dá)?1A?的連續(xù)輸出電流。它在?4V?至?76V?的輸入電壓范圍內(nèi)工作,非常適用于電信、工業(yè)、航空電子和汽車應(yīng)用。LTC3637?運(yùn)用可編程峰值電流模式設(shè)計(jì),在很寬的輸出電流范圍內(nèi)優(yōu)化效率。該器件提供高達(dá)&nbs
          • 關(guān)鍵字: Linear  LTC3637  MOSFET  

          Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器

          •   日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備,以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T,擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長(zhǎng)隔離距離,還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓,非常適合在高工作電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境?! 〕司哂袃?yōu)異的隔離能力,使用可靠和久經(jīng)考驗(yàn)的光電子
          • 關(guān)鍵字: Vishay  IGBT  MOSFET  VOW3120  

          英飛凌推出針對(duì)體二極管硬式整流進(jìn)行了優(yōu)化的快速二極管

          •   英飛凌科技股份公司日前推出200V和250V?OptiMOSTM?FD,進(jìn)一步完善了中壓產(chǎn)品組合。作為針對(duì)體二極管硬式整流進(jìn)行優(yōu)化的最新一代功率MOSFET,這些器件更加可靠耐用,具有更低的過沖電壓和更低的反向恢復(fù)損耗,有助于實(shí)現(xiàn)最可靠的系統(tǒng),特別是在硬開關(guān)應(yīng)用中,如通訊系統(tǒng)、工業(yè)電源、D類音頻放大器、電機(jī)控制(適用于48–110V系統(tǒng))和直流/交流逆變器等。  提高可靠性,同時(shí)節(jié)省成本  OptiMOS?FD家族具備針對(duì)最高性能標(biāo)準(zhǔn)而優(yōu)化的反向恢復(fù)電荷(Qrr)。相比標(biāo)
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  OptiMOS  MOSFET  
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