<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> mosfet

          Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝

          • Nexperia近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品,它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布,Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)采用D2
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  SiC MOSFET  D2PAK-7  

          用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

          • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。IX4352NE的主要優(yōu)勢(shì)在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序,同時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶(hù)可選的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置,以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動(dòng)器
          • 關(guān)鍵字: SiC MOSFET  IGBT  低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器  

          欠電壓閉鎖的一種解釋

          • 了解欠壓鎖定(UVLO)如何保護(hù)半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險(xiǎn)操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動(dòng)要求時(shí),我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化,如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作,而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時(shí),接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
          • 關(guān)鍵字: 欠電壓閉鎖,UVLO  MOSFET,IC  

          MOSFET開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)介

          • 本文將通過(guò)解釋MOSFET功耗的重要來(lái)源來(lái)幫助您優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動(dòng)器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式:線(xiàn)性和開(kāi)關(guān)。在線(xiàn)性模式中,晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過(guò)溝道,但溝道電阻相對(duì)較高。跨溝道的電壓和流過(guò)溝道的電流都是顯著的,導(dǎo)致晶體管中的高功耗。在開(kāi)關(guān)模式中,柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動(dòng),或者足夠高以使FET處于“完全增強(qiáng)”狀態(tài),在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下,晶體管就像一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān):即使大電流流過(guò)通道,功耗也會(huì)很低或中等。隨著開(kāi)關(guān)模式操作接近理想情況,功耗變得可
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  開(kāi)關(guān)損耗  

          一文詳解電池充電器的反向電壓保護(hù)

          • 處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡(jiǎn)潔,但是二極管在便攜式或備份應(yīng)用中是不起作用的,因?yàn)殡姵卦诔潆姇r(shí)必須吸收電流,而在不充電時(shí)則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1:傳統(tǒng)的負(fù)載側(cè)反向保護(hù)對(duì)于負(fù)載側(cè)電路而言,這種方法比使用二極管更好,因?yàn)殡娫? (電池) 電壓增強(qiáng)了 MOSFET,因而產(chǎn)生了更少的壓降和實(shí)質(zhì)上更高的電導(dǎo)。該電路的 NMOS 版本比 PM
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  電源電壓反轉(zhuǎn)  

          解析LLC諧振半橋變換器的失效模式

          • 在功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)中,尤其對(duì)于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用,不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議題。對(duì)于功率密度的提高,最普遍方法就是提高開(kāi)關(guān)頻率,以便降低無(wú)源器件的尺寸。零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)拓?fù)湟蚓哂袠O低的開(kāi)關(guān)損耗、較低的器件應(yīng)力而允許采用高開(kāi)關(guān)頻率以及較小的外形,能夠以正弦方式對(duì)能量進(jìn)行處理,開(kāi)關(guān)器件可實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)閉,因此可以大大地降低開(kāi)關(guān)損耗和噪聲。在這些拓?fù)渲校葡郱VS全橋拓?fù)湓谥?、高功率?yīng)用中得到了廣泛采用,因?yàn)榻柚β蔒OSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開(kāi)關(guān)工作在ZVS狀態(tài)下
          • 關(guān)鍵字: LLC  MOSFET  ZVS  變換器  

          談?wù)剮追N常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

          • 一、MOS管驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)述MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí),大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的,MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET,其驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器將控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器和通信整合到單個(gè)器件

          • 為了在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、實(shí)時(shí)的嵌入式電機(jī)控制系統(tǒng),Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)推出基于dsPIC?數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)的新型集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系列。該系列器件在一個(gè)封裝中集成了dsPIC33 數(shù)字信號(hào)控制器 (DSC)、一個(gè)三相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)是減少電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)的元件數(shù)量,縮小印刷電路板(PCB)尺寸,并降低復(fù)雜性。該系列器件的支持資源包括開(kāi)發(fā)板、參考設(shè)計(jì)、應(yīng)用筆記和 Micr
          • 關(guān)鍵字: dsPIC  數(shù)字信號(hào)控制器  MOSFET  電機(jī)控制  

          Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比

          • 在之前一篇題為《功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過(guò)渡》的博文中,我們探討了碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場(chǎng)一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢(shì),因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車(chē)(EV)、數(shù)據(jù)中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對(duì)比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣
          • 關(guān)鍵字: Qorvo  SiC  MOSFET  

          英飛凌為汽車(chē)應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7

          • 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高,和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專(zhuān)為滿(mǎn)足高要求汽車(chē)應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造,包括電動(dòng)汽車(chē)的汽車(chē)直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制(例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS))、48 V電池開(kāi)關(guān)以及電動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  OptiMOS  

          P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用領(lǐng)域

          • Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加,P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)(HS)應(yīng)用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對(duì)低壓變換器(<120 V)和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。因?yàn)闊o(wú)需電荷泵或額外的電壓源,高端側(cè)(HS)P溝道MOSFET易于驅(qū)動(dòng),具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、節(jié)省空間,零件數(shù)量少等特點(diǎn),提升了成本效率。本文通過(guò)對(duì)N 溝道和P溝道MOSFETs進(jìn)行比較,介紹Littelfuse P溝道功率
          • 關(guān)鍵字: 202404  P溝道功率MOSFET  MOSFET  

          高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?

          • 不斷提升能效的需求影響著汽車(chē)和可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域的電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。對(duì)于電動(dòng)汽車(chē) (EV) 而言,更高效率意味著更遠(yuǎn)的續(xù)航里程;而在可再生能源領(lǐng)域,發(fā)電效率更高代表著能夠更充分地將太陽(yáng)能或風(fēng)能轉(zhuǎn)換為電能。圖1.在電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源領(lǐng)域,對(duì)更高效率的不懈追求正推動(dòng)著設(shè)計(jì)向前發(fā)展這兩大領(lǐng)域都廣泛采用開(kāi)關(guān)電子器件,因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關(guān)系遵循歐姆定律,也就是說(shuō)電路中產(chǎn)生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理,當(dāng)電壓加倍時(shí),電路中的電流會(huì)減半,因而損耗會(huì)降到四分之一。根據(jù)這個(gè)原理,為了減
          • 關(guān)鍵字: 高電壓  高電壓  轉(zhuǎn)換器  逆變器  MOSFET  電力電子  EliteSiC  

          一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

          • 熱泵是一種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術(shù),其滿(mǎn)足低排放電力要求,是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時(shí)滿(mǎn)足供暖和制冷的要求,但熱泵的主要目標(biāo)是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平,因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標(biāo)熱泵的原理與制冷類(lèi)似,其大部分技術(shù)基于冰箱的設(shè)計(jì)。2021年,全球約有10%建筑的采暖由熱泵來(lái)完成,且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對(duì)能源安全的關(guān)注以及應(yīng)對(duì)氣候變化的承諾,熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
          • 關(guān)鍵字: 熱泵  供暖  IPM  MOSFET  IGBT  

          意法半導(dǎo)體隔離柵極驅(qū)動(dòng)器:碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶

          • 意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動(dòng)器具有集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅(qū)動(dòng)器,非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面,STGAP系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器作為優(yōu)選解決方案,在輸入部分和被驅(qū)動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離,確保無(wú)縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術(shù)得到廣泛采用,對(duì)可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時(shí)候都更高,而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
          • 關(guān)鍵字: STGAP  MOSFET  IGBT  驅(qū)動(dòng)器  電氣隔離  

          通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)

          • 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件,可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí),這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管:BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān),它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān),晶體管類(lèi)似于繼電器,因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi),這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
          • 關(guān)鍵字: 晶體管  BJT  MOSFET  
          共1257條 3/84 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

          mosfet介紹

            金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]

          熱門(mén)主題

          VD-MOSFET    JFET-MOSFET    IGBT/MOSFET    MOSFET-driver    樹(shù)莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
          備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();