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OBC DC/DC SiC MOSFET驅動選型及供電設計要點

新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場景高頻驅動和高壓化的技術發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動芯片方案。最后，本文根
關鍵字： TI MOSFET OBC

Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法

相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。超過 1000 V 電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但現在的SiC 器件性能卓越，能夠實現快速開關的單極組件，可替代雙極 IGBT。這些SiC器件可以在較高的電壓下實施先前僅僅在較低電壓 (<600 V) 下才可行的應用。與雙極 IGBT 相比，這些基于 SiC 的 MOSFET 可將功率損耗降低多達 80%。英飛凌進一步優(yōu)化了
關鍵字：儒卓力 MOSFET

專為工業(yè)應用而設計的MOSFET—TOLT封裝

近年來，工業(yè)應用對MOSFET 的需求越來越高。從機械解決方案和更苛刻的應用條件都要求半導體制造商開發(fā)出新的封裝方案和實施技術改進。從最初的通孔封裝（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD)，再到最新的無引腳封裝，以及內部硅技術的顯著改進，MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展，以更好地滿足工業(yè)市場新的要求。本文介紹了 TOLT 的封裝方案、熱性能和電路板的可靠性。關鍵特性，主要優(yōu)勢和應用目標應用市場英飛凌公司的 TOLT（JEDEC：HDSOP-16)，封裝OptiMOS? 5 功率
關鍵字： Arrow MOSFET

ROHM開發(fā)出具有絕緣構造、小尺寸、超低功耗的MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產品非常適用于可穿戴設備、無線耳機等可聽戴設備、智能手機等輕薄小型設備的開關應用。近年來，隨著小型設備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設備內部所需的電量也呈增長趨勢，電池尺寸的增加，導致元器件的安裝空間越來越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求，開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
關鍵字： ROHM MOSFET

SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅動電壓，以及SiC器件驅動設計中的寄生導通問題。本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設計工程師在選擇功率開關器件時
關鍵字：富昌電子 MOSFET

通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題

高壓功率系統(tǒng)設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰(zhàn)。在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
關鍵字： SiC MOSFET 功率轉換

RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內市場空白

現階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設計，研發(fā)出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進口品牌壟斷的局面。一、破局進口品牌壟斷現階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設
關鍵字： RS瑞森半導體 MOSFET

單芯片驅動器+ MOSFET技術改善電源系統(tǒng)設計

本文介紹最新的驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩(wěn)壓器模塊（VRM）應用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊（VRM）提供。在該領域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率，高
關鍵字：單芯片驅動器 MOSFET DrMOS 電源系統(tǒng)設計

安森美：聚焦SiC產能擴建，推出最新MOSFET產品

近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績，其三季度業(yè)績直線上揚，總營收21.93億美元，同比增長25.86%；毛利10.58億美元，同比增長46.82%。財報數據顯示，其三大業(yè)務中，智能電源組營收為11.16億美元，同比增長25.1%；高級解決方案組營收7.34億美元，同比增長19.7%；智能感知組營收為3.42億美元，同比增長44.7%，三大業(yè)務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領域，從傳統(tǒng)的I
關鍵字：安森美 SiC MOSFET

Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內領先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務器和通信設備。多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應用經驗結合起來，增強器件中關鍵MOSFET的性能，滿足特定應用的要求，以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流
關鍵字： Nexperia MOSFET ASFET SOA

安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

2022年11月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用創(chuàng)新的頂部冷卻，幫助設計人員解決具挑戰(zhàn)的汽車應用，特別是電機控制和DC-DC轉換。新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過傳統(tǒng)的印刷電路板（以下簡稱“PCB”）散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面，減少PCB發(fā)熱，從而提高功率密度
關鍵字：安森美 Top Cool封裝 MOSFET

如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效

在各種電源應用領域，例如工業(yè)電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。在各種電源應用領域，例如工業(yè)電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
關鍵字： Digi-Key MOSFET

全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設備更小、更高效

SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現系統(tǒng)的低損耗和小型化。東芝推出并已量產的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產品，其最大亮點是全SiC MOSFET模塊，不同于只用SiC SBD（肖
關鍵字： Toshiba MOSFET

認識線性功率MOSFET

本文針對MOSFET的運作模式，組件方案，以及其應用范例進行說明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優(yōu)勢，與方案選擇的應用思考。線性MOSFET是線性模式應用時最合適的選擇，能夠確保可靠的運作。然而，用于線性模式應用時，標準MOSFET容易產生電熱不穩(wěn)定性，從而可能導致組件損壞。A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區(qū)內運行。了解線性模式運作在功率 MOSFET 的線性工作模式下，高電壓和高
關鍵字： Littelfuse 線性功率 MOSFET

電源系統(tǒng)設計優(yōu)化秘技:單片驅動器+MOSFET(DrMOS)

現階段，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認的解決方案，是將先進的開關MOSFET（穩(wěn)壓器的主要組成部分）及其相應的驅動器集成到單個芯片中并采用高級封裝，從而實現緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優(yōu)化了高速功率轉換。隨著對這
關鍵字：電源系統(tǒng)設計單片驅動器 MOSFET DrMOS

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]