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          ROHM開發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET

          • 新推出40V~150V耐壓的共13款產(chǎn)品,非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅(qū)動全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動以24V、36V、48V級電源供電的應用,例如基站和服務器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來,全球電力需求量持續(xù)增長,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業(yè)設備的工作
          • 關鍵字: ROHM  超低導通電阻  Nch MOSFET  

          Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

          • 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅(qū)動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用,對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作,同時維持低導
          • 關鍵字: Diodes  碳化硅 MOSFET  

          基于Infineon S7 MOSFET 主動式電源整流方案

          • 因應日趨嚴苛的能源效率規(guī)范,特別是像server power的應用,從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET,提供在靜態(tài)切換的應用場合,減少功率損耗以提升效率,特別是針對高輸出功率的產(chǎn)品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率,與傳統(tǒng)bridge diode相比,在230Vac輸入時在50% load約可提高0.5%,而115Vac輸入時在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
          • 關鍵字: Infineon  S7 MOSFET  電源整流  

          同時實現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

          • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品,非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅(qū)動。近年來,全球電力供應日趨緊張,這就要求設備要更加節(jié)能。據(jù)了解,電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此,在電機驅(qū)動中擔負功率轉(zhuǎn)換工作的逆變電路,越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面,針對使用MOSFET時所產(chǎn)生的噪聲,主要通過添加部件和改變
          • 關鍵字: 超快反向恢復時間  Super Junction MOSFET  MOSFET  

          SiC MOSFET的短溝道效應

          • Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂,不如加入自己的理解,重新梳理一遍,希望能給大家?guī)砀嘤袃r值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET,盡
          • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

          正確選擇MOSFET以優(yōu)化電源效率

          • 優(yōu)化電源設計以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節(jié)省能源,減少熱量產(chǎn)生,還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數(shù)量比,以提高電源設計的效率。圖 1 顯示了一個具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡化電路。圖 1:具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時,如何恰當分配 HS-FET 和 LS-FET 的內(nèi)阻以獲得最佳效率,這對電源工程師來說是一項挑戰(zhàn)。 MOSFET的結構和損耗組成MOSFE
          • 關鍵字: MPS  MOSFET  

          ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

          • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機驅(qū)動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
          • 關鍵字: ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業(yè)設備功率模塊   

          Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET

          • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET),該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝,且具有增強安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了全面優(yōu)化,可在175°C下工作,適用于先進的電信和計算設備。 憑借數(shù)十年開發(fā)先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識,Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE(100 V,2.3 m N溝道ASFET)作為其產(chǎn)品組合中的首選,
          • 關鍵字: Nexperia  SMD  銅夾片  LFPAK88  MOSFET  

          [向?qū)捊麕а葸M]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

          • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面,這些物質(zhì)比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性,而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料,所以會引發(fā)不良的導電性泄漏,且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率,相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中,GaN主要適合中低檔功率實現(xiàn)方案,大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用,而且在汽車
          • 關鍵字: MOSFET  IGBT  

          碳化硅MOSFET加速應用于光伏領域 增量市場需求望爆發(fā)

          • 據(jù)報道,近年來,光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近,又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日,德國KATEK集團宣布,其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體,以提高效率,同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術,可以在高溫和高速下運行,壽命最多可延長3倍,適用于大功率和快速上市的應用。1月13日,美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采
          • 關鍵字: SiC MOSFET  

          使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

          • 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中,必須防止電流過大,以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此,通常需要將電流限制在一個特定值。大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換器都有過流限制器,以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉(zhuǎn)換器中,甚至可以調(diào)整閾值。圖1. 每個端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中,還可以使用具有內(nèi)置甚至可調(diào)節(jié)限流器的DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。在這種情況下,無需額外的限流器模塊。不過,也有許多應
          • 關鍵字: ADI  MOSFET  

          Ameya360:平面MOSFET與超級結MOSFET區(qū)別

          • 今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談超級結MOSFET相關的話題,因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上,根據(jù)其特征和特性對使用區(qū)分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍??梢钥闯?,Si-MOSFET在這個比較中,導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET,但在低~中功率條件
          • 關鍵字: MOSFET  超級結MOSFET  

          FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現(xiàn)象下半年將持續(xù)

          • 2023 年,半導體和電子元件價格正在穩(wěn)定,但仍有部分產(chǎn)品短缺。
          • 關鍵字: FPGA  MOSFET  

          詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

          • 電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD),包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力,同時尺寸較小,從而有助于實現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力,但有時散熱效果并不理想。由于器件的引線框架(包括裸露漏極焊盤)直接焊接到覆銅區(qū),這導致熱量主要通過PCB進行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中,僅能通過空氣對流來散熱。因此,熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性:覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無論電路板是
          • 關鍵字: 安森美  MOSFET  

          銀河微電:功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術量產(chǎn)

          • 銀河微電12月20日在互動平臺表示,功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術的量產(chǎn);IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn),未來將根據(jù)市場情況逐步系列化;DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證,性能指標符合開發(fā)目標要求;CSP0603封裝已完成技術開發(fā),未來芯片線改擴建時將進行成果轉(zhuǎn)化。
          • 關鍵字: 銀河微電  MOSFET  
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          mosfet介紹

            金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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