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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點
- 近年來,為了更好地實現自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產品,因此,關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率,從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業(yè),諸如提高效率、降低成本和增強便攜性(即,縮小尺寸并減輕重量)等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如,多個標準法規(guī)已經或即將強制規(guī)
- 關鍵字: 英飛凌 MOSFET
干貨 | MOSFET結構及其工作原理詳解
- 01?概述MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱功率MOSFET(Power MOSFET)。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管(Sta
- 關鍵字: MOSFET
中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術鑒定
- 近日,中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術及應用”成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為,該項目技術難度大,創(chuàng)新性顯著,總體技術達到國際先進水平。該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網等領域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求,突破多項關鍵工藝技術,貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產業(yè)鏈量產平臺,國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件,實現新能源汽車、光伏、智能電網等領域碳化硅MOSFET批量供貨,有力保障碳化硅功率器件供
- 關鍵字: 中國電科 55所 碳化硅 MOSFET
SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
- SMPD可用于標準拓撲結構,如降壓、升壓、橋臂(phase-leg),甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品,如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅,或定制組合,具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優(yōu)勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現在是Littelfuse公司的一部分)在2012年開發(fā)。SMPD只有硬幣大小,具有幾項關鍵優(yōu)勢:·
- 關鍵字: Littelfuse SMPD MOSFET
安森美與Kempower就電動汽車充電樁達成戰(zhàn)略協議
- 2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),宣布與Kempower達成戰(zhàn)略協議,將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管,用于可擴展的電動汽車(EV)充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產品在內的各種功率半導體技術,開發(fā)電動汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側和次級側的DC-DC轉換器。 安森美為Kempower 的Satellit
- 關鍵字: 安森美 Kempower 充電樁 EliteSiC MOSFET 電動汽車快充
優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動
- 在高壓開關電源應用中,相較傳統的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現高頻(數百千赫茲)開關,但它們不能用于非常高的電壓(>1 000 V)。而IGBT 雖然可以在高壓下使用,但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美,可實現在高壓下的高頻開關。然而,SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后,設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
- 關鍵字: SiC MOSFET 柵極驅動 安森美
ROHM開發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET
- 新推出40V~150V耐壓的共13款產品,非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產品(40V/60V/80V/100V/150V),這些產品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用,例如基站和服務器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來,全球電力需求量持續(xù)增長,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業(yè)設備的工作
- 關鍵字: ROHM 超低導通電阻 Nch MOSFET
Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
- 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅動、太陽能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用,對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作,同時維持低導
- 關鍵字: Diodes 碳化硅 MOSFET
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]